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封装：TFBGA-90(8x13)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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1+
￥27.23
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￥23.07
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￥20.6
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￥18.11
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型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

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型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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￥30.18
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￥25.89
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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥30.51
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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

1+
￥33.0352 ￥37.54
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￥28.468 ￥32.35
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￥25.6784 ￥29.18
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￥23.3464 ￥26.53

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型号：XT61M1G8C2TM-B8BEA 编号：C29781628

封装：BGA-162(10.5x8)

品牌：XTX(芯天下)

1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)

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￥37.51
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￥35.81
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￥34.78
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型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 4GBIT

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￥40.59
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￥35.88
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￥33.01

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

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￥41.4
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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G TR 编号：C41881

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式（AAT设备不可用）。自动刷新：64ms，8192周期（商业和工业）；16ms，8192周期（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源。 AEC-Q100 PPAP提交。 8D响应时间

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￥46.07
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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

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￥66.97
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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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￥72.28
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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

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￥78.45
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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

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￥81.01
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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MKEMC004GT1E-IE 编号：C2987690

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

pSLC, 4GB 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm

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型号：RS70B08G3S03F 编号：C22364054

封装：TFBGA-153(11.5x13)

品牌：Rayson(晶存)

是高质量且具成本优势的嵌入式存储解决方案，兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。其强大的ECC引擎显著提高纠错能力，延长设备使用寿命，并增强处理更高原始误码率的能力。由NAND闪存和eMMC控制器组成。eMMC控制器和软件直接管理NAND闪存，包括ECC、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和性能优化，并管理接口协议。这种架构使NAND闪存的任何修订与eMMC主机隔离，使eMMC设备易于集成并加快上市时间。

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型号：K4AAG165WA-BCWE 编号：C2920140

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKEML016GV1E-IE 编号：C52753987

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型pSLC, 16GB eMMC 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

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￥215.517 ￥226.86
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型号：MKEML128GV1E-C 编号：C48936276

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,128GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

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￥294.25
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型号：H5ANAG6NCJR-XNC 编号：C2960662

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样

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￥611.88
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￥539.757 ￥599.73

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型号：AT24C02CS5630 编号：C51026301

封装：SOT-23-5

品牌：GMIC(绿微)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

20+
￥0.159104 ￥0.1808
200+
￥0.123464 ￥0.1403
600+
￥0.103664 ￥0.1178
3000+
￥0.091784 ￥0.1043
9000+
￥0.081488 ￥0.0926
21000+
￥0.075944 ￥0.0863

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型号：SL24C16D 编号：C5155394

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C16是16K位电可擦除PROM，采用2048x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量16Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

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5+
￥0.24088 ￥0.3011
50+
￥0.23552 ￥0.2944
150+
￥0.232 ￥0.29
500+
￥0.22848 ￥0.2856

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型号：H24C02S 编号：C41419578

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM采用I²C接口，提供2Kbit的存储容量，支持最高1MHz的时钟频率。其宽泛的工作电压范围（1.8V至5.5V）使其兼容多种电源标准。适用于需要非易失性数据存储的应用场景，如保存配置数据、校准参数或小量关键信息记录，确保数据在断电后仍能保持完整。

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

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型号：AT24C02C-SSHM-T-CN 编号：C45369184

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

10+
￥0.30552 ￥0.3216
100+
￥0.23826 ￥0.2508
300+
￥0.20463 ￥0.2154
1000+
￥0.179455 ￥0.1889
4000+
￥0.16701 ￥0.1758
8000+
￥0.156845 ￥0.1651

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型号：24C02/TR 编号：C316692

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 采用节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOP、8 引脚 TSSOP、8 引脚 MSOP、8 焊盘 DFN 和 SOT23 - 5 封装，可通过两线串行接口访问

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10+
￥0.3662
100+
￥0.29
300+
￥0.252
2500+
￥0.2119
5000+
￥0.189
10000+
￥0.1776

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型号：AT24C02M5/TR 编号：C565361

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02 / AT24C04 / AT24C08 / AT24C16 提供 2048/4096/8192/16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 256/512/1024/2048 个字，每个字 8 位。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT24C02 / AT24C04 / AT24C08 / AT24C16 提供节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 TSSOP 和 5 引脚 SOT23 封装，通过两线串行接口进行访问

数据手册

1+
￥0.3716
10+
￥0.2911
30+
￥0.2509
100+
￥0.2207
500+
￥0.1966
1000+
￥0.1845

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型号：HX24C32DRG 编号：C42396715

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.3951
50+
￥0.3451
150+
￥0.3201
500+
￥0.3013
2500+
￥0.2863

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型号：AT24C02M/TR 编号：C356696

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

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