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IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存为简化引脚封装提供了一种高度灵活且高性能的通用存储解决方案。它适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

数据手册

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型号：GD25Q64ESIGR 编号：C2831359

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：CAT25M01VI-GT3-TUDI 编号：C41355577

封装：SOIC-8

AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用。

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型号：AT24CM02-SSHM-T-TUDI 编号：C36533661

封装：SOP-8

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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型号：FM25640B-GTR 编号：C365763

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25640B是一款64-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。该存储器适用于需要频繁快速写入的应用场景，如数据采集和工业控制。

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型号：HG25Q256MW/TR 编号：C20613275

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3.3v256m位串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：W25Q64JWBYIQ 编号：C2691929

封装：WLCSP-12

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型号：DS2460S+T&R 编号：C879652

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是硬件实现的ISO/IEC 10118-3安全哈希算法（SHA-1），无需开发软件来执行验证SHA设备和验证数字签名服务数据所需的复杂SHA计算。通过流行的I²C接口与微控制器通信。应用包括用于令牌认证和服务数据验证的访问控制和电子支付系统主机，以及用于不超过SHA-1结果长度（20字节）的短消息加密和解密的一次性加密密钥生成。

数据手册

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￥12.16
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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

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￥12.89
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型号：FM24V01A-GTR 编号：C2759930

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，写入速度更快，功耗更低。

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￥16.03
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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥17.69
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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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￥20.94
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型号：AT24C1024-10PI-2.7 编号：C36533653

封装：DIP-8

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥22.37
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￥15.97

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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

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￥22.51
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型号：AT25M02-SSHM-T-TUDI 编号：C41355580

封装：SOP-8

AT25M02/CAT25M02 是一款2M位（262,144x8）的串行EEPROM，具有256字节的可锁定识别页。支持部分页面写入，写保护功能可以保护四分之一、一半或整个内存阵列。工作电压范围为2.8V至5.5V，最高时钟频率为55MHz。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥22.8095 ￥24.01
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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

数据手册

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￥24.43
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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥27.88
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￥23.83
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￥20.08
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￥16.52

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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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￥32.9
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￥28.9
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￥26.53
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￥23.38
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￥22.27

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型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

1+
￥33.42
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￥28.35
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￥25.34
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￥22.29

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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￥34.51
10+
￥29.36
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￥26.3
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￥23.21

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型号：W631GG6NB-12 编号：C17452711

封装：VFBGA-96(7.5x13)

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￥28.31
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￥25.6113 ￥25.87
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￥24.4926 ￥24.74
990+
￥23.9976 ￥24.24

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

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￥35.75
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￥28.54
180+
￥25.82
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￥24.57
1080+
￥24

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥51.65
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￥44.16
30+
￥39.59
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￥35.76

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型号：XTSDQ08GWSIGA 编号：C29781617

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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￥69.33
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￥68.35
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￥66.64
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型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798

封装：TFBGA-48