东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W29N02KVSIAF 编号：C2940193

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N02KV是一款2Gbit、3.3V供电的NAND Flash存储器，适用于低功耗和高可靠性的应用。支持标准NAND命令集，提供多种封装选项，包括48-pin TSOP1、48-ball VFBGA和63-ball VFBGA。

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型号：GD25Q127CSIGR 编号：C395513

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q127C（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/ RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：IS45S32200L-7BLA2 编号：C1352248

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：CY62167EV30LL-45BVXIT 编号：C2840303

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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型号：CSNP4GCR01-DPW 编号：C50396672

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 4Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡

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型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥174.0115 ￥183.17
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￥165.9175 ￥174.65

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型号：K4F8E3S4HD-MGCL 编号：C2920231

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：H5AN8G6NCJR-XNI 编号：C18213114

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

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￥227.56
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￥220

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C5821038

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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型号：SDINBDG4-16G-XI1 编号：C2830398

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：THGBMJG6C1LBAU7 编号：C5224589

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

我们的UFS（通用闪存存储）和e - MMC托管闪存解决方案将闪存和铠侠（KIOXIA）控制器集成在单个封装中。作为e - MMC的理想替代品，UFS兼具高性能、高能效和高可靠性，可满足包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、汽车等在内的移动应用需求。

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￥342.84
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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥560.1865 ￥589.67
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￥531.715 ￥559.7

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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1+
￥570.08
10+
￥537.74

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型号：KLM8G1GEUF-B04P 编号：C2920508

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥582.38
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￥551.21

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型号：AT24C01BS 编号：C51927310

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

是 I²C 兼容的串行 EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。包含一个 2Kbit（256 字节）的存储阵列，每页 8 字节。

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￥0.19089 ￥0.2121
200+
￥0.14814 ￥0.1646
600+
￥0.12438 ￥0.1382
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￥0.11016 ￥0.1224
8000+
￥0.09774 ￥0.1086
20000+
￥0.09108 ￥0.1012

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型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

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￥0.2813
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￥0.2266
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￥0.1992
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￥0.1525
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￥0.1361
9000+
￥0.1278

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型号：AT24C64CDR332 编号：C51026298

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C64提供64K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有两线串行接口，支持32字节页写模式，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，耐久性为1百万次写周期，数据保留时间为100年。

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￥0.44783 ￥0.4714
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￥0.352925 ￥0.3715
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￥0.30552 ￥0.3216
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￥0.26999 ￥0.2842
2500+
￥0.24149 ￥0.2542
4000+
￥0.22724 ￥0.2392

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型号：HX24C16DRG 编号：C5145457

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C16提供16K位的串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有硬件数据保护功能，支持100年的数据保留时间和1百万次写周期寿命。

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5+
￥0.4726
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￥0.3761
150+
￥0.3279
500+
￥0.2917
2500+
￥0.2507
5000+
￥0.2362

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型号：ZD25WD20CTIGT 编号：C5555028

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil,Tape&Reel

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￥0.4869
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￥0.427
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￥0.397
500+
￥0.3745
2500+
￥0.3566
5000+
￥0.3476

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型号：AT24C16DGKRG 编号：C19723711

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C16是一款16K位串行EEPROM，具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+85°C。它支持两线串行接口，最大时钟频率为1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。该器件具有写保护引脚，支持16字节页写模式，自定时写周期时间最大为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

5+
￥0.5041
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￥0.3985
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￥0.3457
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￥0.3061
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