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封装：U-PDFN-8(6x8)

特性：单级单元 (SLC) 技术。2Gb 密度。页面大小 x1：2176 字节 (2048 + 128 字节)。块大小：64 页 (128K + 8K 字节)。平面大小：2Gb (2 个平面，每个平面 1024 个块)。标准和扩展 SPI 兼容串行总线接口

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

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型号：GD25B512MEYIGR 编号：C2974186

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和双数据速率（DTR）模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速率为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速率为720Mbit/s。

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

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型号：W634GU6QB-11 编号：C2943204

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MKDV16GCL-STPA 编号：C47118465

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV16GCL-STP的升级款。尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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型号：TP24C02S5 编号：C18197836

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP24C02S是一款2 Kbit、与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个256×8位的存储阵列，每页组织为8字节。TP24C02S为不同应用提供以下器件

10+
￥0.3354
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￥0.2004
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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

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￥0.39178 ￥0.4124
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型号：SL24C64D 编号：C5155396

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C64是电可擦除PROM，采用8192x8-bit的组织结构以及两线串行接口。工作电压范围1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。存储容量为64K位，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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￥0.5891
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2500+
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4000+
￥0.2806

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型号：ZD24C64A-SSGMT 编号：C2896793

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压I2C兼容串行EEPROM，内部组织为8,192 x 8 (64Kb)，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有超低功耗和高可靠性。

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5+
￥0.6137
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￥0.4793
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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围（1.8V至5.5V）使应用范围广泛。

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￥0.64771 ￥0.6818
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￥0.50426 ￥0.5308
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￥0.43244 ￥0.4552
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￥0.37867 ￥0.3986
2500+
￥0.33554 ￥0.3532
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￥0.31407 ￥0.3306

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型号：AT24C04-TD 编号：C49270315

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

EEPROM

5+
￥0.6991
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￥0.555
150+
￥0.4829
500+
￥0.4289
2500+
￥0.3856

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型号：M24C08-WMN6TP 编号：C141771

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7266
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￥0.5693
150+
￥0.4907
500+
￥0.4317

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型号：M24C32-RMN6TP 编号：C79920

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8009
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￥0.676
150+
￥0.6136
500+
￥0.5668
2500+
￥0.4948

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8101
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￥0.6374
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￥0.5511
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￥0.4864
2500+
￥0.4454
5000+
￥0.4195

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型号：M24C16-FMC6TG 编号：C2970824

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.1458
50+
￥0.9044
150+
￥0.8009
500+
￥0.6191
2500+
￥0.5616

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型号：FM24C128D-SO-T-G-AX 编号：C908400

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C128D提供131,072位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384个8位字，并带有128位唯一标识符（UID）和64字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要

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