ST存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：M24C16-RMC6TG 编号：C2913652

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6866
50+
￥1.3107
150+
￥1.1497

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型号：M24C32-FMC6TG 编号：C2060985

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5000+
￥0.53076
10000+
￥0.521914
20000+
￥0.508645
40000+
￥0.48653

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型号：M24C04-WMN6P 编号：C283439

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24C04是一款4 Kbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为512×8位。M24C04 - W可在2.5 V至5.5 V的电源电压下访问，M24C04 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下访问，M24C04 - F可在1.6 V至5.5 V的电源电压下访问。

数据手册

5+
￥1.9255
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￥1.5223
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￥1.3495
500+
￥1.1339

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型号：M24C32-WMN6P 编号：C1353147

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：兼容所有I²C总线模式:1 MHz。400 kHz。100 kHz。存储阵列:32 Kbit (4 Kbyte) EEPROM。页面大小：32 byte。额外可写锁定页面（M24C32-D订购代码）。单电源电压:-40℃至+85℃时为1.7 V至5.5 V。-20℃至+85℃时为1.6 V至5.5 V。写入:字节写入在5 ms内完成。页面写入在5 ms内完成。随机和顺序读取模式。整个存储阵列写保护。增强型ESD/闩锁保护。超过400万次写入周期。超过200年数据保留

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5+
￥2.0064
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￥1.5755
200+
￥1.335
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￥1.1046

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型号：M24C64-FMH6TG 编号：C222104

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥2.86
10+
￥2.23
30+
￥1.96
100+
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型号：M24C16-DRMN3TP/K 编号：C2061039

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.15
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￥2.78
30+
￥2.6
100+
￥2.41
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￥2.3

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型号：M95080-DRMN8TP/K 编号：C2061229

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95080-DRMN8TP/K 是一款8 Kbit (1 Kbyte) 的EEPROM，支持串行SPI总线接口，可在高达105°C的温度下工作。具有高速时钟频率（最高20 MHz），短写周期时间（4 ms），以及4百万次写周期寿命。

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1+
￥4.07
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￥3.24
30+
￥2.83
100+
￥2.42
500+
￥2.17

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型号：M24128-BFMH6TG 编号：C222091

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

品牌：ST(意法半导体)

M24128是一款128Kbit I2C兼容的EEPROM，组织为16K x 8位。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持高达1MHz的时钟频率，并具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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1+
￥4.11
10+
￥3.28
30+
￥2.87
100+
￥2.47

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型号：M24512E-FMN6TP 编号：C22438993

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24512E-F是一款512-Kbit I2C兼容EEPROM，具有可配置设备地址寄存器、软件写保护寄存器和预编程设备地址。支持1.6 V至5.5 V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件提供多种封装选项，包括SO8N、TSSOP8和UFDFPN8。

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￥4.38
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￥3.49
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￥3.05
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￥2.61
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￥2.35

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型号：M24256-DFMC6TG 编号：C495257

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥5.61
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￥4.53
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￥4

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型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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1+
￥8.95
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￥7.5
30+
￥6.71
100+
￥5.82

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型号：M24C32-FMN6TP 编号：C2061453

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥1.5558
50+
￥1.2122
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￥1.0649

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型号：M95160-WMN6TP 编号：C141776

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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5+
￥1.8094
50+
￥1.3982
150+
￥1.2219

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型号：M24C64-WDW6TP 编号：C283447

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥1.8906
50+
￥1.4672
150+
￥1.2858

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型号：M95020-WMN6P 编号：C2802543

封装：SO-8N-150mil

品牌：ST(意法半导体)

M95010/M95020/M95040 器件（M950x0）是电可擦除可编程存储器（EEPROM），分别组织为 128×8 位、256×8 位和 512×8 位，通过 SPI 总线访问。M950x0*W 的工作电源电压范围为 2.5 V 至 5.5 V，M950x0-R 的工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，M950x0-DF 的工作电源电压范围为 1.7 V 至 5.5 V，环境温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

5+
￥1.9489
50+
￥1.5165
200+
￥1.3312
500+
￥1.1

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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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1+
￥2.77
10+
￥2.16
30+
￥1.9
100+
￥1.57

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型号：M24C08-DRDW3TP/K 编号：C2965398

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥4.49
10+
￥4.4
30+
￥4.34
100+
￥4.28

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型号：M24512-RMN6P 编号：C1349691

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512Kbit (64Kbyte) 的I2C串行访问EEPROM，支持1 MHz的时钟频率，工作电压范围为1.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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1+
￥5.3
10+
￥4.24
30+
￥3.71
100+
￥3.18

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型号：M24M02E-FDW6TP 编号：C21458389

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥17.82
10+
￥15.08
30+
￥13.36
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￥11.61

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型号：M24M02-DWMN3TP/K 编号：C2061773

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 MHz时钟的汽车2-Mbit串行I2C总线EEPROM

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1+
￥33.61
10+
￥28.98
30+
￥24.95

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型号：M24C02-WMN6P 编号：C283437

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24C01(C02) 是一款 1(2) Kbit 的 I²C 兼容 EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为 128 (256)×8 位。M24C01/02-W 可在 2.5 V 至 5.5 V 的电源电压下访问；M24C01/02-R 可在 1.8 V 至 5.5 V 的电源电压下访问，而 M24C02-F 可在……

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￥1.3197
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￥0.8351

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型号：M24C08-WMN6P 编号：C283441

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

是 8-Kbit I²C 兼容的 EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为 1k×8 位。M24C08-W 可在 2.5V 至 5.5V 的电源电压下访问；M24C08-R 可在 1.8V 至 5.5V 的电源电压下访问；M24C08-F 可在 1.7V 至 5.5V（全温度范围）的电源电压下访问，或在 1.6V 至 1.7V 的扩展电源电压下访问。所有这些器件都以 400kHz 的时钟频率工作。

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