三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

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1+
￥38.88
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￥33.41
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￥30.08
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￥27.28

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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￥39.12
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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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￥45.4158 ￥65.82
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￥43.47 ￥63
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￥42.2832 ￥61.28
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￥41.2896 ￥59.84
500+
￥40.779 ￥59.1

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

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￥46.02
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￥40.95
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型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

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￥65.36
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￥56.59
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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。

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￥66.22
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￥57.45
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￥52.11
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￥47.63

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型号：XTSDQ08GWSIGA 编号：C29781617

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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￥69.33
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￥68.35
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￥66.64
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￥65.16

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型号：MKDN032GCL-AA 编号：C2836411

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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1+
￥95.646 ￥100.68
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￥91.637 ￥96.46
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￥78.9925 ￥83.15
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￥72.9315 ￥76.77

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型号：H5AN4G6NBJR-UHI 编号：C46552766

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

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￥126.66
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￥116.27
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￥109.95
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￥104.64

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型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。

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1+
￥129.8
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￥123.2
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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

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￥152.26
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￥145.47
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￥132.05

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型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

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1+
￥186
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￥180

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型号：MKEML064GV1E-C 编号：C48936275

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,64GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

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￥198.0465 ￥208.47
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￥188.461 ￥198.38

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型号：H5ANAG6NCJR-XNC 编号：C2960662

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5ANAG4NCJR-xxC、H5ANAG8NCJR-xxC、H5ANAG6NCJR-xxC 是 16Gb 的互补金属氧化物半导体（CMOS）双倍数据速率 IV（DDR4）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。16Gb DDR4 SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿（CK 的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿均进行采样

1+
￥611.88
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￥599.73
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￥539.757 ￥599.73

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型号：AT24C02CDR630 编号：C51026300

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

20+
￥0.16272 ￥0.1808
200+
￥0.12627 ￥0.1403
600+
￥0.10602 ￥0.1178
4000+
￥0.09387 ￥0.1043
8000+
￥0.08334 ￥0.0926
20000+
￥0.07767 ￥0.0863

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型号：AT24C01BS 编号：C51927310

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

是 I²C 兼容的串行 EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。包含一个 2Kbit（256 字节）的存储阵列，每页 8 字节。

20+
￥0.19089 ￥0.2121
200+
￥0.14814 ￥0.1646
600+
￥0.12438 ￥0.1382
4000+
￥0.11016 ￥0.1224
8000+
￥0.09774 ￥0.1086
20000+
￥0.09108 ￥0.1012

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型号：24C02A(LX) 编号：C22397198

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C02A是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节，随机字地址需要一个8比特的数据字地址。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。

20+
￥0.2185
200+
￥0.1737
600+
￥0.1488
4000+
￥0.1262
8000+
￥0.1133
20000+
￥0.1063

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型号：SL24C02S 编号：C5155391

封装：SOT-23-5

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02是电可擦除PROM，采用256x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，支持I2C总线，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量为2Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

10+
￥0.254
100+
￥0.2021
300+
￥0.1762
3000+
￥0.1503
6000+
￥0.1347
9000+
￥0.1269

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型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

10+
￥0.2976
100+
￥0.2352
300+
￥0.204
1000+
￥0.1806

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型号：AT24C16CDR179 编号：C51026305

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

10+
￥0.308367 ￥0.3807
100+
￥0.243081 ￥0.3001
300+
￥0.210438 ￥0.2598
1000+
￥0.185895 ￥0.2295
4000+
￥0.166293 ￥0.2053
8000+
￥0.156492 ￥0.1932

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型号：ZD24C08A-XGMT 编号：C918267

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3508
100+
￥0.2705
300+
￥0.2303
3000+
￥0.2203
6000+
￥0.1962
9000+
￥0.1841

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型号：ZD24C02B-XGMT 编号：C5375516

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。

数据手册

10+
￥0.378
100+
￥0.2965
300+
￥0.2557
3000+
￥0.2251
6000+
￥0.2007
9000+
￥0.1885

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型号：ZD24C16A-SSGMB 编号：C918268

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A是一款兼容I2C协议的16K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3863
100+
￥0.3179
300+
￥0.2747
1000+
￥0.2423
5000+
￥0.2164
10000+
￥0.2034

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型号：ZD24C02B-MAGMT 编号：C28314538

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作至关重要。

5+
￥0.5213
50+
￥0.4156
150+
￥0.3628
500+
￥0.3232
3000+
￥0.2717
6000+
￥0.2559

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型号：24C08N(XBLW) 编号：C18723550

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

5+
￥0.537
50+
￥0.4245
150+
￥0.3683
500+
￥0.3261
2000+
￥0.2923
4000+
￥0.2754

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型号：AT24C08M/TR 编号：C2688458

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.538
50+
￥0.4276
150+
￥0.3724
500+
￥0.331
2500+
￥0.2811
5000+
￥0.2645

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型号：ZD25WD20CEIGR 编号：C7462744

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,USON-8-EP(2x3),Tape&Reel

5+
￥0.6297
50+
￥0.4954
150+
￥0.4283
500+
￥0.3779
3000+
￥0.32
6000+
￥0.2999

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型号：HG24C04CMM/TR 编号：C7432374

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04C是一款4-Kbit I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可防止意外写入。此外，还提供一个16字节的可锁定识别页和128位唯一ID。

5+
￥0.653
50+
￥0.5162
150+
￥0.4478
500+
￥0.3965
3000+
￥0.3554
6000+
￥0.3349

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型号：HG24C08CM5/TR 编号：C22396890

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08M5/TR升级替代料，建议试样，HG24C08C是一款8K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压范围，具有2线串行接口，支持400kHz和1MHz传输速率。该设备提供字节和页面（最多16字节）写模式，部分页面写允许。自定时写周期最大为3ms。提供DIP-8、SOP-8、MSOP-8、TSSOP-8、DFN-8、SOT-23-5封装选项。硬件和软件写保护功能，高可靠性，数据保留时间为200年，写周期寿命为2,000,000次，工作温度范围为-40°C至+105°C。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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型号：HG24C08MM/TR 编号：C5310842

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08提供8192位的串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为1024个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。通过两线串行接口访问。

5+
￥0.7054
50+
￥0.5614
150+
￥0.4894
500+
￥0.4354
3000+
￥0.3742
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