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封装：SOIC-8

AT25512提供524,288位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为65,536个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作是必需的。设备提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8垫UDFN封装，所有封装均可在1.8V至5.5V范围内工作。

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型号：IS25LP128F-JBLE-TR 编号：C2063014

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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型号：MX29LV160DBTI-70G 编号：C504714

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：MKDV1GIL-AST 编号：C26159624

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV1GIL-AS的升级款，1Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV1GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C4；IOPS R/W 1343/35；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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型号：MKDV1GIL-AS 编号：C726726

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于工业标准的SD卡。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成，支持3.3V供电电压。完全符合SD2.0接口标准，支持SPI模式，内置硬件ECC引擎和高可靠的NAND管理机制。写速度最高可达Class 6，封装尺寸小，LGA-8。

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型号：ML22594-900MBZ0BX 编号：C2982499

封装：SSOP-30

品牌：ROHM(罗姆)

ML22594-xxx是一款4通道混合语音合成LSI，内置MASK ROM用于存储语音数据。该LSI集成了高音质HQ-ADPCM解码器、16位D/A转换器、低通滤波器、1.0W单声道扬声器放大器以及过流检测功能。通过这些功能，可以实现高质量和长时间的语音再生。

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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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型号：H5TC4G63EFR-RDAR 编号：C37953994

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

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型号：W632GU6RB-09 编号：C42088618

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：IS42S32160F-6BLI 编号：C1348852

封装：BGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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型号：MKEV008GCB-SC510 编号：C2987689

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

MLC, 8GB, eMMC5.1, 11.5x13mm,-25°C to +85°C

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型号：H26M41208HPR 编号：C2927805

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

e-NAND由NAND闪存和MMC控制器组成。e-NAND内置智能控制器，可管理接口协议、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和纠错码（ECC）。e-NAND可保护数据内容，防止主机突然断电故障

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型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

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￥755.06
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型号：AT24C02S(TP) 编号：C51939533

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥0.241984 ￥0.3184
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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.280302 ￥0.3014
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￥0.220968 ￥0.2376
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￥0.191301 ￥0.2057
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8000+
￥0.14229 ￥0.153

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型号：AT24C04CDRG 编号：C19723707

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.3666
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￥0.2898
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￥0.2514
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￥0.2226
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型号：P25D22H-SSH-IT 编号：C5263826

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

特性：宽电源范围：2.3至3.6V，适用于读取、擦除和编程。读取、擦除和编程时超低功耗。支持X1、X2多I/O。高可靠性，具有100K次循环和10年数据保留能力

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￥0.4473
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￥0.3393
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￥0.2913
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￥0.2553
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￥0.2265
10000+
￥0.212

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型号：AT24C04CM/TR 编号：C21390146

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

4K 串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥0.4679
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￥0.3675
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￥0.3174
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￥0.2797
2500+
￥0.2496
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￥0.2346

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型号：AT24C16C-SSHM-T-CN 编号：C45369187

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

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￥0.484405 ￥0.5099
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￥0.325945 ￥0.3431
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￥0.28633 ￥0.3014
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￥0.26676 ￥0.2808
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￥0.250895 ￥0.2641

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型号：GD25D10CTEGR 编号：C23821519

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25D10C/05C（1M/512K位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双输出：串行时钟、片选、串行数据输入/输出0（SI）、输出1（SO）。双输出数据的传输速度为160Mbit/s。

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￥0.5031
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￥0.4131
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￥0.3906
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￥0.3726

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型号：AT24C64-HXY 编号：C18198380

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C64是一款64K位I2C兼容串行EEPROM，包含8K x 8位的存储阵列，每页32字节。支持单电源电压和高速模式，最低工作电压可达1.7V，1MHz时钟频率从2.5V到5.5V，400kHz时钟频率从1.7V到2.5V。具有低功耗CMOS技术，读电流0.2mA（400kHz，典型值），写电流0.6mA（400kHz，典型值）。输入端具有施密特触发和噪声抑制功能。支持顺序和随机读取，32字节页面写入模式，部分页面写入允许。整个存储阵列可写保护，附加可锁定写保护页面，附加128位序列号。自定时写周期（最大5ms），高可靠性，耐久性：1百万次写周期，数据保持时间：100年。