ON安森美存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：LE25S161PCTXG 编号：C903035

封装：USON-8(3x4)

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥5.98
10+
￥4.83
30+
￥4.25
100+
￥3.68
500+
￥3.34
1000+
￥3.16

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型号：NV25640DTHFT3G 编号：C894148

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25640是一款64Kb SPI接口的汽车级EEPROM串行存储器，支持32字节页写缓冲区，具有硬件和软件写保护功能，适用于高可靠性应用。

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6000+
￥2.278275
12000+
￥2.25775
18000+
￥2.2167

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型号：CAV25128YE-GT3 编号：C890495

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25128是一款128Kb SPI EEPROM，适用于汽车级应用。支持10MHz SPI协议，工作电压范围为2.5V至5.5V，具有64字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护。

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3000+
￥3.095679
6000+
￥3.06779
9000+
￥3.012012

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型号：NV34C04MU3VTG 编号：C895160

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV34C04是一款4Kb EEPROM，符合JEDEC JC42.4 (EE1004-v)串行存在检测（SPD）规范，支持DDR4 DIMM。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有汽车级1温度范围（-40°C至+125°C）和1.7V至3.6V的工作电压范围。

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1+
￥6.69
10+
￥5.55
30+
￥4.92
100+
￥4.21
500+
￥3.89
1000+
￥3.75

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型号：CAT93C46VI-GT3 编号：C223604

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥6.69
10+
￥5.53
30+
￥4.9
100+
￥4.18
500+
￥3.86
1000+
￥3.72

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型号：CAT24C512WI-G 编号：C1350707

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512 Kb的串行EEPROM，采用I²C接口，内部组织为65,536个8位字。它具备一个128字节的页写缓冲区，并支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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2900+
￥2.0313
5800+
￥2.013
8700+
￥1.9764

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型号：CAT24C04HU4I-GT3 编号：C605327

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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6000+
￥1.25319
12000+
￥1.2419
18000+
￥1.21932

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型号：CAV25256VE-GT3 编号：C605356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持64字节页写缓冲区和SPI协议。具有硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。适合高可靠性应用。

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3000+
￥3.64968
6000+
￥3.6168
9000+
￥3.55104

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型号：N25S830HAS22I 编号：C136398

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 256 Kb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 32 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N25S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥16.03
10+
￥13.67
30+
￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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型号：CAT25512YI-GT3 编号：C605331

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

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3000+
￥3.054609
6000+
￥3.02709
9000+
￥2.972052

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型号：N64S818HAS21I 编号：C897837

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S818HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

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1+
￥5.58
10+
￥4.5
30+
￥3.97
100+
￥3.43
500+
￥3.11
1000+
￥2.95

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型号：CAT25128YI-GT3 编号：C890371

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

是一款128-Kb串行CMOS EEPROM设备，内部组织为16Kx8位。具有64字节页面写缓冲区，支持串行外设接口（SPI）协议。该设备通过片选 (CS(overline)) 输入启用。此外，所需的总线信号是时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD输入可用于暂停与该设备的任何串行通信。该设备具有软件和硬件写保护，包括部分和全阵列保护。片上ECC（纠错码）使该设备适用于高可靠性应用。

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6000+
￥2.342988
12000+
￥2.32188
18000+
￥2.279664

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型号：CAV24C512YE-GT3 编号：C890484

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C512是一款512Kb串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有硬件写保护和128字节页写缓冲区。

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3000+
￥3.734595
6000+
￥3.70095
9000+
￥3.63366

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型号：NV24C256MUW3VTBG 编号：C894127

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV24C256是一款256Kb EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有64字节页写缓冲区，支持硬件写保护，适合高可靠性应用。

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1+
￥10.4
50+
￥9.6
100+
￥9.2
500+
￥8.96
1000+
￥8.8

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型号：CAV25512YE-GT3 编号：C890499

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25512是一款512Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1，内部组织为64Kx8位，支持128字节页写缓冲区和SPI协议。具备硬件和软件写保护，包括部分和全阵列保护。片上ECC（错误校正码）使其适合高可靠性应用。

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3000+
￥4.592403
6000+
￥4.55103
9000+
￥4.468284

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型号：CAT25256VI-G 编号：C223620

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256是一款256Kb SPI EEPROM，支持SPI协议，具有64字节页写缓冲区，适用于高可靠性应用。提供硬件和软件写保护，包括部分和全阵列保护。

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1+
￥9.22
10+
￥9.03
30+
￥8.9
100+
￥8.77

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型号：CAV24C256YE-GT3 编号：C605352

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C256是一款256Kb I2C串行EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速增强（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、64字节页写缓冲区和片上ECC（错误校正码）。适用于高可靠性应用。

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6000+
￥2.853255
12000+
￥2.82755
18000+
￥2.77614

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型号：CAT24C128HU4IGT3 编号：C146751

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

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6000+
￥1.84704
12000+
￥1.8304
18000+
￥1.79712

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型号：CAV24M01YE-GT3 编号：C890487

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24M01是一款1 Mb I2C EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有256字节页写缓冲区，硬件写保护整个内存，支持低功耗CMOS技术，适用于高可靠性应用。

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3000+
￥5.201571
6000+
￥5.15471
9000+
￥5.060988

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型号：CAV25M01YE-GT3 编号：C890501

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25M01是一款1Mb SPI EEPROM，适用于汽车应用，具有256字节页写缓冲区和硬件/软件写保护功能。

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3000+
￥5.236536
6000+
￥5.18936
9000+
￥5.095008

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型号：NV25256MUW3VTBG 编号：C604514

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持SPI协议，具有64字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护，以及自定时写周期。

数据手册

3000+
￥4.329777
6000+
￥4.29077
9000+
￥4.212756

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型号：NV25512MUW3VTBG 编号：C894147

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV25512是一款512-Kb SPI EEPROM，汽车级1设备，内部组织为64Kx8位。支持128字节页写缓冲区，兼容10 MHz SPI协议。具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全数组保护。片上ECC（错误校正码）使其适合高可靠性应用。

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3000+
￥4.548558
6000+
￥4.50758
9000+
￥4.425624

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型号：NV24C512MUW3VTBG 编号：C894132

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV24C512MUW 是一款512Kb I2C EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节页写缓冲区，支持硬件写保护，适用于高可靠性应用。

数据手册

3000+
￥4.131087
6000+
￥4.09387
9000+
￥4.019436

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型号：CAT24C256LI 编号：C5568313

封装：PDIP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256是一款256-Kb I2C CMOS串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有64字节页写缓冲区，硬件写保护功能，以及Schmitt触发器和噪声抑制滤波器。工作电压范围为1.8V到5.5V，适用于工业温度范围。

1+
￥14.08
10+
￥12
50+
￥10.7
100+
￥9.37
500+
￥8.77
1000+
￥8.51

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我要订货

型号：NV25M01DTUTG 编号：C894149

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25M01是一款1 Mb SPI EEPROM，内部组织为128K x 8位。支持SPI协议，具有256字节页写缓冲区，软件和硬件写保护功能，以及片上ECC（错误校正码）。适用于高可靠性应用。

数据手册

3000+
￥5.266284
6000+
￥5.21884
9000+
￥5.123952

我要订货

型号：NV24M01MUW3VTBG 编号：C894136

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV24M01MUW是一款1Mb I2C接口的汽车级EEPROM，具有256字节页写缓冲区，支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。该器件具有硬件写保护、低功耗CMOS技术和内部ECC（错误校正码），适用于高可靠性应用。

数据手册

3000+
￥6.07409
6000+
￥6.018871
9000+
￥5.963652

我要订货

型号：CAT1023WI-30-GT3 编号：C516102

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT1023 是一款用于基于微控制器的系统的完整内存和监督方案。EEPROM 串行 2-Kb CPU 监督器和系统电源监督器带有欠电压保护，采用低功耗 CMOS 工艺进行集成。内存接口通过 400 kHz I?C 总线实现。CAT1023 提供精确的 VCC 感应电路和两个开漏输出：一个 (RESET) 驱动高电平，一个 (RESET) 在 VCC 降至重置阈值电压之下时驱动低电平。如果 WP 联接逻辑高电平，写操作则禁用。该监督器具有一个 1.6 秒监督计时器电路，如果软件或硬件故障暂停或“挂起”系统，则将系统重置为某个已知状态。CAT1023 具有一个单独的监督计时器中断输入引脚，WDI。该电源监控电路保护内存和系统控制器，并在电源通电/关断期间以及针对欠电压情况对其进行重置。五个重置阈值电压支持 5.0 V、3.3 V 和 3.0 V 系统。如果电源电压超出容差范围，重置信号则变为有效状态，阻止系统微控制器、ASIC 或外围设备运行。重置信号通常在电源电压超过重置阈值水平 200 ms 之后变为无效状态。通过有效高电平和低电平重置信号连接微控制器和其他集成电路非常简单。另外，重置引脚或单独的输入 MR 可用作按钮手动重置能力的输入。该片上 2-Kb EEPROM 内存具有 16 字节页。另外，硬件数据保护由 VCC 感应电路提供，在 VCC 降至重置阈值以下或 VCC 在通电期间尚未达到重置阈值之前阻止写入内存。可采用 8 引脚 DIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 TSSOP、8 引脚 TDFN 和 8 引脚 MSOP。TDFN 封装厚度最大为 0.8mm。

数据手册

1+
￥23.02
10+
￥19.81
30+
￥17.9
100+
￥15.96
500+
￥15.07
1000+
￥14.67

订货

我要订货

型号：N64S830HAS22I 编号：C897839

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 64 K 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 8 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 工艺制造，速度快、功耗低。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 串行总线。单个数据输入和数据输出行与时钟一起用于访问器件中的数据。N64S830HA 器件包括暂停引脚，可实现与要暂停器件的通信。暂停后，输入转换将忽略。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽广温度范围内运行，采用若干标准封装。

数据手册

1+
￥13.81
10+
￥11.71
30+
￥10.4
100+
￥9.05
500+
￥8.44
1000+
￥8.18

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型号：N25S830HAT22I 编号：C223618

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

这是一款256 Kb的串行SRAM，内部组织为32 K x 8-Bit。采用先进的CMOS技术制造，具有高速性能和低功耗。支持单个片选（CS）输入，使用简单的SPI串行总线。包括HOLD引脚，用于暂停通信。工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于多种标准封装。

数据手册

1+
￥16.03
10+
￥13.67
30+
￥12.19
100+
￥10.67
500+
￥9.99
1000+
￥9.69

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型号：N01S830BAT22IT 编号：C891849

封装：TSSOP-8-3.0mm

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体串行 SRAM 系列包括多款集成存储器件，其中就包括这款 1 Mb 串行访问的静态随机访问存储器，内部组织为 128 K 个词，每个词 8 位。此类器件采用安森美半导体先进的 CMOS 技术设计和制造，具有高速和低功耗性能。此类器件通过一个单芯片选择 (CS) 输入运行，并使用一个简单的串行外围接口 (SPI) 协议。在 SPI 模式中，单个数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 行与时钟 (SCK) 一起用于访问器件中的数据。在双模式下，使用两个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO1) 行，在四路模式下，使用四个多路复用数据输入/数据输出 (SIO0-SIO3) 行来访问存储器。此类器件可在 ?40°C 至 +85°C 的宽温度范围内运行，采用 8 引线 TSSOP 封装。N01S830xA 器件有两个不同的版本，HOLD 版本允许暂停与器件的通信，而电池备份 (BBU) 版本配备一个电池，用于在断电时保留数据。

数据手册

1+
￥28.42
10+
￥24.32
30+
￥21.89
100+
￥19.42
500+
￥18.29
1000+
￥17.78

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