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型号：CAT34C02YI-GT5 编号：C233784

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT34C02是一款2 Kb的串行EEPROM I²C器件，内部组织为16页，每页16字节，总共256字节，每字节8位。它具有一个16字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。

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型号：CAT24S128C4ATR 编号：C895349

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24S128是一款128 Kb Serial CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有64字节页写缓冲区和用户可编程块写保护功能。

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型号：N24C02UDTG 编号：C603340

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

N24C02/04/08/16 是2/4/8/16-Kb I2C CMOS串行EEPROM，支持标准、快速和快速加I2C协议，16字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次编程/擦除周期，100年的数据保留时间。

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型号：CAT24C04YI-GT3 编号：C605328

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04是一款4Kb I2C接口的串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有16字节的页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间，工业和扩展温度范围。

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型号：CAT24AA01TDI-GT3 编号：C154611

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24AA01 是一款 EEPROM 串行 1-Kb I2C 器件，内部组织为 128x8 位。此器件具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast-Plus (1 MHz) I2C 协议。与 CAT24C01 不同，CAT24AA01 没有外部地址引脚，因此适用于在 I2C 总线一个 CAT24AA01 的应用。

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型号：CAT24S128C4UTR 编号：C895350

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24S128是一个128 Kb的CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有64字节的页写缓冲区，支持部分和全内存阵列的软件写保护。

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型号：CAT24C64WI-GT3 编号：C13645

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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型号：CAT25010VI-GT3 编号：C233777

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010 是一款 EEPROM 串行 1-Kb SPI 器件，内部组织为 128x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25010 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：NV24C64DWVLT3G 编号：C894134

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV24C64LV是一款64Kb的I2C接口汽车级EEPROM，支持标准、快速和快速加I2C协议，具有1.7V到5.5V的工作电压范围，32字节的页写缓冲区，快速写入时间（4毫秒最大），硬件写保护，100年的数据保留时间和100万次擦写寿命。

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型号：NV34C02MUW3VTBG 编号：C894150

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NV34C02WF是一款2-kb EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有16字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护，适用于DDR2 SPD应用。

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型号：NV25080DWHFT3G 编号：C604513

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25080是一款8Kb SPI EEPROM，适用于汽车级0应用，支持32字节页写缓冲区，具备硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。内置错误校正码（ECC）技术，适合高可靠性应用。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持10MHz SPI协议。

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型号：N24C02UVTG 编号：C730372

封装：US-8

品牌：onsemi(安森美)

N24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C、US 8 引线封装器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast Plus (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 N24C02 器件的寻址。

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型号：CAT34C02VP2IGT4A 编号：C894815

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT34C02 是一款用于 DDR2 DIMM 的 EEPROM 串行 2-Kb SPD，内部组织为 16 页，每页 16 个字节，总共 256x8 位。它具有 16 字节页写入缓存，支持 Standard (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。写入操作可以通过将 WP 引脚置于高电平（保护整个内存）或通过软件命令设置内部写保护标志（保护内存的下半区）来禁止。除了永久性软件写保护之外，CAT34C02 还具有兼容 JEDEC 的可逆向软件写保护，用于基于 1.7 V 至 3.6 V 电源电压范围运行的 DDR2 顺序内存指示位检测 (SPD) 应用。CAT34C02 完全向后兼容之前基于 1.7 V 至 5.5 V 电源电压范围运行的 DDR1 SPD 应用。

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型号：CAT25010YI-GT3 编号：C890359

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25010是一款串行SPI EEPROM，支持1/2/4 Kb存储容量，具有16字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护。

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型号：CAV24C32YE-GT3 编号：C605353

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C32是一款32Kb I2C EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有32字节页写缓冲区，支持硬件写保护，适用于汽车和其他需要现场控制和变更控制的应用。

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型号：NV24C08SNVLT3G 编号：C5207942

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NV24C08LV 是8-Kb CMOS串行EEPROM设备，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。支持硬件写保护，具有100年的数据保留时间和超过1,000,000次的擦写周期。

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型号：NV25160DTHFT3G 编号：C894143

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

NV25160是一款16Kb SPI接口的汽车级EEPROM串行存储器，支持32字节页写缓冲区，具有硬件和软件写保护功能，适用于高可靠性应用。

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型号：LE25U20AMB-AH 编号：C603109

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U20AMB是一款具备256K×8位配置、与串行接口兼容的闪存器件。它采用单2.5 V电源供电。

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型号：CAT24M01XI-T2 编号：C605330

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：CAV25512VE-GT3 编号：C605358

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25512是一款512Kb SPI接口的汽车级EEPROM，内部组织为64Kx8位。支持128字节页写缓冲区，具有硬件和软件写保护功能，适用于高可靠性应用。

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型号：CAV25256YE-GT3 编号：C890497

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI - 汽车级器件，内部组织为 32Kx8 位。它具有 64 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。HOLD 输入可用于暂停与 CAV25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：LE25U40CMDTWG 编号：C146750

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LE25U40CMD 是一款 SPI 总线闪存器件，带有 4M 位（512K x 8 位）配置，由此增添了高性能的双输出和双 I/O 功能。它使用 2.5V 单电源。LE25U40CMD 充分利用串行闪存器件的内在特性，采用 8 引脚超小型封装。所有这些特性都使得此器件适用于存储便携信息设备等应用中的程序，在此类设备中，尺寸要求越来越紧凑。LE25U40CMD 还具有小扇区清除功能，因而使得该器件非常适合存储重写周期较少且传统 EEPROM 因空间不足而无法处理的参数或数据。

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型号：CAT24C01ZI-G 编号：C7471521

封装：MSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的I²C串行EEPROM器件，其内部组织形式分别为16/32/64和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

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型号：CAT25020VI-GT3 编号：C890360

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25020 是一款 EEPROM 串行 2-Kb SPI 器件，内部组织为 256x8 位。安森美半导体先进的 CMOS 工艺大幅降低了器件功率要求。它具有 16 字节写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 启用。另外，必备总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。HOLD 输入可用于暂停与 CAT25020 器件的任何串行通信。该器件具有软硬件写保护功能，包括部分和全阵列保护。

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型号：NV24C16DWVLT3G 编号：C894123

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV24C16LV 是一款 16-Kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 128 个词，每个词 16 位。它具有 16 字节页写缓冲区，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast?Plus (1 MHz) I2C 协议。

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型号：CAT25040YI-GT3 编号：C890366

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25040是一款串行SPI EEPROM，支持1/2/4 Kb存储容量，具有16字节页写缓冲区，支持硬件和软件写保护。

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型号：NV24C32UVLT2G 编号：C894131

封装：VFSOP-8-2.3mm

品牌：onsemi(安森美)

ON Semiconductor的NV24C32LV是一款32 Kb CMOS串行EEPROM设备，内部组织为128页，每页32字节。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。该器件具有1.7 V到5.5 V的工作电压范围，32字节的页写缓冲区，快速写入时间（最大4毫秒），硬件写保护，低功耗CMOS技术，1,000,000次编程/擦除周期，100年的数据保留时间和汽车级1温度范围（-40°C至+125°C）。提供US-8、UDFN-8、SOIC-8和TSSOP-8封装。

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型号：CAT93C86BVI-GT3 编号：C890475

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86B 是一款16-Kb串行EEPROM，支持16位或8位寄存器组织，具有自定时内部写入和自动清除功能。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP、SOIC、MSOP、TSSOP、8垫UDFN和WLCSP。工作电压范围为1.8V至5.5V，支持高至4MHz的操作速度。具有1,000,000次编程/擦除周期和100年的数据保留时间。

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