MK米客方德存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：TDFN-8-EP(2x3)

GT5SLAD2E-1A是一款支持16-192点阵的矢量字库芯片，使用灰度算法使汉字边缘变得比纯点阵字更加柔和、平滑。采用高通超小型嵌入式矢量字库，具有字体平滑及不失真等特点，可以产生多种高质量的文字输出，可以支持加粗、倾斜、反白、阴影等文字特效，支持ASCII码字符、拉丁文、GB18030汉字。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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￥5.06
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￥4.02
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￥3.51
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型号：ZD24C1MA-MAGMT 编号：C52037962

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C1MA提供1Mbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。UDFN-8L-EP(2x3)

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

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￥5.85
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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：W25Q80EWSNIG 编号：C2641148

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80EW（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：CAT24M01YI-GT3 编号：C233776

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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￥6.81
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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：TC58BVG0S3HTA00 编号：C113406

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit（1,107,296,256 位）的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 4 K 字节：2112 字节×64 页）

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￥11.1
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￥9.35
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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥12.7205 ￥13.39
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￥11.647 ￥12.26
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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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￥16
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￥13.42
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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥18.54
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￥14.03
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型号：M95M01-DWMN3TP/K 编号：C221456

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95M01-A125和M95M01-A145是1 Mbit的串行EEPROM，符合汽车标准AEC-Q100等级0。这些设备通过简单的SPI兼容接口运行，最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具有嵌入式错误校正码逻辑，提高了可靠性。

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1+
￥20.55
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￥17.46
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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。

单价：
￥22.83 / 个

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI 编号：C1349483

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。

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1+
￥23.21
10+
￥19.65
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￥17.53

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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￥24.59
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￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35
480+
￥15.31
960+
￥14.84

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型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

1+
￥27.75
10+
￥26.5
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￥25.73
100+
￥25.09

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型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

1+
￥28.41
10+
￥24.59
30+
￥22.33
100+
￥20.04
480+
￥18.98

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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1+
￥30.71
10+
￥26.28
30+
￥23.65
100+
￥20.99
500+
￥19.76

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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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1+
￥32.9
10+
￥28.9
30+
￥26.53
100+
￥23.38
500+
￥22.27

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型号：W631GG6NB-12 编号：C17452711

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥34.78
10+
￥30.72
30+
￥28.31
198+
￥25.6113 ￥25.87
594+
￥24.4926 ￥24.74
990+
￥23.9976 ￥24.24

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥35.75
10+
￥31.23
30+
￥28.54
180+
￥25.82
540+
￥24.57
1080+
￥24

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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥38.88
10+
￥33.41
30+
￥30.08
100+
￥27.28

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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

数据手册

1+
￥45.4158 ￥65.82
10+
￥43.47 ￥63
30+
￥42.2832 ￥61.28
100+
￥41.2896 ￥59.84
500+
￥40.779 ￥59.1

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

数据手册

1+
￥46.02
10+
￥40.95
30+
￥35.56
100+
￥32.97

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型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

数据手册

1+
￥65.36
10+
￥56.59
30+
￥48.97

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型号：F35SQB004G-WWT 编号：C47994714

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。