MK米客方德存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：FBGA-96

H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

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￥36.65
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￥32.71
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￥30.37
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￥28

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

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￥44
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￥39.06
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￥36.05
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￥31.03

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型号：W632GU6RB-09 编号：C42088618

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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￥47.04
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￥40.61
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￥36.69
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￥33.4

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型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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￥63.85
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￥54.96
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￥49.55
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型号：IS42S32160F-6BLI 编号：C1348852

封装：BGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

数据手册

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￥85.77
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￥70.64
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型号：H26M41208HPR 编号：C2927805

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

e-NAND由NAND闪存和MMC控制器组成。e-NAND内置智能控制器，可管理接口协议、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和纠错码（ECC）。e-NAND可保护数据内容，防止主机突然断电故障

数据手册

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￥113.47
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￥109.76
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￥103.32
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￥96.7329 ￥97.71

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型号：MT40A1G16KD-062E IT:E 编号：C5330483

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

数据手册

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￥755.06
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￥721.16
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￥687.28

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型号：AT24C02S(TP) 编号：C51939533

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

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￥0.241984 ￥0.3184
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￥0.189772 ￥0.2497
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￥0.163704 ￥0.2154
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￥0.144172 ￥0.1897
6000+
￥0.128516 ￥0.1691
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￥0.120688 ￥0.1588

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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.280302 ￥0.3014
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￥0.220968 ￥0.2376
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￥0.191301 ￥0.2057
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￥0.168981 ￥0.1817
4000+
￥0.151218 ￥0.1626
8000+
￥0.14229 ￥0.153

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型号：AT24C04CDRG 编号：C19723707

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.3666
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￥0.2898
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￥0.2514
2500+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

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型号：P25D22H-SSH-IT 编号：C5263826

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

特性：宽电源范围：2.3至3.6V，适用于读取、擦除和编程。读取、擦除和编程时超低功耗。支持X1、X2多I/O。高可靠性，具有100K次循环和10年数据保留能力

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￥0.4473
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￥0.3393
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￥0.2913
1000+
￥0.2553
5000+
￥0.2265
10000+
￥0.212

有货

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型号：AT24C04CM/TR 编号：C21390146

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

4K 串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥0.4679
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￥0.3675
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￥0.3174
500+
￥0.2797
2500+
￥0.2496
5000+
￥0.2346

有货

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型号：AT24C16C-SSHM-T-CN 编号：C45369187

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

5+
￥0.484405 ￥0.5099
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￥0.378765 ￥0.3987
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￥0.325945 ￥0.3431
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￥0.28633 ￥0.3014
2500+
￥0.26676 ￥0.2808
4000+
￥0.250895 ￥0.2641

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型号：GD25D10CTEGR 编号：C23821519

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25D10C/05C（1M/512K位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双输出：串行时钟、片选、串行数据输入/输出0（SI）、输出1（SO）。双输出数据的传输速度为160Mbit/s。

5+
￥0.5031
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￥0.4431
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￥0.4131
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￥0.3906
3000+
￥0.3726

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型号：AT24C64-HXY 编号：C18198380

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C64是一款64K位I2C兼容串行EEPROM，包含8K x 8位的存储阵列，每页32字节。支持单电源电压和高速模式，最低工作电压可达1.7V，1MHz时钟频率从2.5V到5.5V，400kHz时钟频率从1.7V到2.5V。具有低功耗CMOS技术，读电流0.2mA（400kHz，典型值），写电流0.6mA（400kHz，典型值）。输入端具有施密特触发和噪声抑制功能。支持顺序和随机读取，32字节页面写入模式，部分页面写入允许。整个存储阵列可写保护，附加可锁定写保护页面，附加128位序列号。自定时写周期（最大5ms），高可靠性，耐久性：1百万次写周期，数据保持时间：100年。

5+
￥0.56082 ￥0.8628
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￥0.46722 ￥0.7188
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￥0.42042 ￥0.6468
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￥0.38532 ￥0.5928
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￥0.31694 ￥0.4876
4000+
￥0.3029 ￥0.466

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型号：BL24C32F-PARC 编号：C2763398

封装：SOP-8L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32F提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096字节。适用于多种工业和商业应用，低功耗和低压操作至关重要。

数据手册

5+
￥0.5658
50+
￥0.441
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￥0.3786
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￥0.3318
2500+
￥0.2944
5000+
￥0.2756

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型号：AT24C02AM/TR 编号：C356697

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP、8引脚MSOP、8焊盘DFN和SOT23-5封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.5808
50+
￥0.4608
150+
￥0.4008
500+
￥0.3558
2500+
￥0.2931
5000+
￥0.275

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型号：AT24C04M5/TR 编号：C7432379

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.6267
50+
￥0.4884
150+
￥0.4193
500+
￥0.3675
3000+
￥0.3346
6000+
￥0.3139

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型号：ZD25WD40BUIGR 编号：C2759917

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,4Mbit，1.65V~2V，工作温度-40℃~+85℃，USON-8-EP(2x3)

数据手册

5+
￥0.6375
50+
￥0.5031
150+
￥0.436
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￥0.3856
3000+
￥0.3453
6000+
￥0.3251

有货

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型号：BL24C32A-NTRC 编号：C691878

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32A是一款32K位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持I2C双向数据传输协议。具备页写入功能，硬件数据保护，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，随机和顺序读模式。

数据手册

5+
￥0.6868
50+
￥0.5428
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￥0.4708
500+
￥0.4167
3000+
￥0.3735

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型号：ZD25WQ80COIGR 编号：C28314539

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH, 8Mbit,2.7~3.6V,TSSOP,Tube

5+
￥0.6904
50+
￥0.604
150+
￥0.567
500+
￥0.5208
3000+
￥0.4608
6000+
￥0.4485

有货

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型号：AT24C08MT/TR-HG 编号：C53200137

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2 PROM

5+
￥0.7077
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￥0.5637
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￥0.4917
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￥0.4377
2500+
￥0.3945
5000+
￥0.3729

有货

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型号：HG24C08MT/TR 编号：C53200136

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2 PROM

5+
￥0.7077
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￥0.5637
150+
￥0.4917
500+
￥0.4377
2500+
￥0.3945
5000+
￥0.3729

有货

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型号：HX24C128DRG 编号：C5145456

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C128提供131,072位串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为4096个8位字。该设备优化用于许多工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。支持1 MHz (5V) 和 400 kHz (1.8V, 2.7V, 3.3V) 的I2C接口。具有硬件数据保护功能，写保护引脚可以防止意外写入。数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

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￥0.7211
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￥0.6266
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￥0.5861
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￥0.5355
2500+
￥0.486

有货

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型号：AT24C16M5/TR 编号：C7432356

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。