华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MKSV4GCL-ABB 编号：C19633500

封装：LGA-8(6x8)

Flash类型:SLC,商业级，SPI NAND，尺寸6x8mm

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型号：M24M02-DWMN3TP/K 编号：C2061773

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 MHz时钟的汽车2-Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：IS62WV51216HBLL-45TLI 编号：C7211338

封装：TSOPII-44

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV51216HALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY62148EV30LL-45ZSXI 编号：C2959462

封装：SOIC-32

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832

封装：TPBGA-24

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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￥41.01
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型号：XT27G04ATSIGA 编号：C42162959

封装：TSOP-48

XT27G04A 是一个 3.3V 4 Gbit 的并行 SLC NAND 闪存，支持 8 位 ECC，组织方式为 (4096+256) 字节 × 64 页 × 2048 块。该设备具有两个 4352 字节的静态寄存器，用于在寄存器和存储单元之间传输数据。

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型号：XT26Q04DWSIGA 编号：C7429717

封装：SON-8-EP(6x8)

工业级 XT26Q04D是一款4G位（512MB）的SPI（串行外设接口）NAND闪存，具备先进的写保护机制。XT26Q04D支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O选项。

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￥54.36
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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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型号：SST39VF6401B-70-4C-EKE 编号：C11321

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF640xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 多功能闪存增强版（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF640xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：MT46H32M16LFBF-5 IT:C 编号：C2061960

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。每字节数据双向数据选通 (DQS)。内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

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型号：MKDN032GIL-AD 编号：C52754175

封装：LGA-16(9x12.5)

SD NAND 32Gbit(4GByte), Flash 类型pSLC, P/E Cycles 5万次，速度等级：C10,U1,V10,别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;-40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压

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型号：MKDN016GCL-AA 编号：C5220822

封装：LGA-16(9x12.5)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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型号：S70FL01GSAGMFI011 编号：C476475

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0V 内核。具有多 I/O 的串行外设接口 (SPI):SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3。双倍数据速率 (DDR) 选项。扩展寻址:32 位地址。串行命令集和引脚布局与 S25FL A、S25FL K 和 S25FL P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL P SPI 系列兼容

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型号：XT26G08DWSIGA 编号：C41408409

封装：WSON-8(8x6)

XT26G08D是一款8G位（1024兆字节）的SPI（串行外设接口）NAND闪存，具备先进的写保护机制。XT26G08D支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O选项。

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型号：MT25QL01GBBB8ESF-0SIT 编号：C2061920

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为133 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s

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型号：XTSDG08GWSIGA 编号：C25836657

封装：WSON-8-EP(6x8)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V和3.3V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：MKDV64GCL-STP 编号：C7500180

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STL升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 6万次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：CY7C1061GN30-10ZSXI 编号：C1353032

封装：TSOPII-54