华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

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￥39.69
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￥33.65
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￥30.72
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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

数据手册

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￥41.81
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￥25.54

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型号：MX29GL512GHT2I-10G 编号：C2803140

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥45.54
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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

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￥46.15
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型号：XT26G04DWSIGA 编号：C29781635

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G04D是一款4G-bit (512M-byte)的SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双线和四线I/O操作。该存储器具有高级写保护机制，支持单级单元(SLC)技术，具备高性能和高可靠性。它的工作电压为2.7V至3.6V，支持108MHz的高速读取速度，数据保留时间为10年。

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￥57.89
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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

数据手册

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￥62.94
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型号：XT25W1GBSFIGA 编号：C42162957

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

1Gb，宽压，SOP16 300mil封装，工业级温度

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￥68.64
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型号：MT41K256M16HA-CN 编号：C47127151

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：ChipNobo(无边界)

工业级SRAM存储器

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￥79.191 ￥87.99
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￥71.532 ￥79.48
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型号：MKDV08GIL-STPB 编号：C48937377

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

8Gbit SD NAND Flash类型:pSLC,擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥93.8315 ￥98.77
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￥89.49 ￥94.2
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￥75.3825 ￥79.35

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型号：MKDV16GIL-STPB 编号：C48937378

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

16Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥94.81 ￥99.8
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￥90.4115 ￥95.17
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型号：MKDN256GCL-ZC 编号：C52753985

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 256Gbit(32GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥131.33
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￥124.97

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型号：IS61WV102416ALL-20TLI 编号：C1353007

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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￥146.64
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型号：THGBMJG6C1LBAU7 编号：C5224589

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

我们的UFS（通用闪存存储）和e - MMC托管闪存解决方案将闪存和铠侠（KIOXIA）控制器集成在单个封装中。作为e - MMC的理想替代品，UFS兼具高性能、高能效和高可靠性，可满足包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、汽车等在内的移动应用需求。

数据手册

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型号：KLMBG4GEUF-B04Q 编号：C2920521

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥207

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型号：71321LA25PFGI 编号：C1350091

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71321/IDT71421 是高速 2K x 8 双端口静态 RAM，内置中断逻辑，用于处理器间通信。

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￥261.54
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型号：MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 编号：C21603959

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥344.52
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型号：MT40A512M16TB-062E IT:R 编号：C27063331

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

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型号：MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y 编号：C21674868

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥452.76
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￥441

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型号：K4UCE3Q4AB-MGCL 编号：C29073172

封装：FBGA-200(15x10)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥1138.38
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￥1099.4

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型号：AT24C02CDRG 编号：C19723704

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.3208
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型号：BL24C04F-PARC 编号：C2856707

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。

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￥0.2604

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型号：HX24C02DRG 编号：C5145453

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C02是一款2K位串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。支持I2C接口，最高时钟频率为1MHz（5V供电），具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

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型号：AT24C04CDGKRG 编号：C19723708

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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型号：BR24T08F-WE2 编号：C600858

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T08-W是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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型号：BL24C16A-SFRC 编号：C116273

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

16-Kbit(2K x 8bit)，I2C接口,1.7V to 5.5V,-40~+85℃。

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型号：FEP24C64YTSSOP8G/TR 编号：C49425008

封装：TSSOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

64Kbit与I2C兼容的EEPROM，TSSOP8封装

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￥0.53086 ￥0.5588
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￥0.3667 ￥0.386
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￥0.32566 ￥0.3428
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￥0.29279 ￥0.3082
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￥0.276355 ￥0.2909

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型号：P25Q80H-UXH-IR 编号：C559205

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：PUYA(普冉)

串行接口闪存设备，适用于各种高容量消费类应用，程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM执行。其灵活的擦除架构，页面擦除粒度也适用于数据存储，无需额外数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备的内存浪费。提高内存空间效率，可在保持相同整体设备密度的同时添加额外代码例程和数据存储段

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