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AT24C04 提供 4096 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，内部组织为 512 字节的 8 位数据。

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型号：24LC32AT-I/OT-TUDI 编号：C41411022

封装：SOT-23-5

24LC32/24AA32提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096字节。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

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型号：24LC16BT-I/ST-TUDI 编号：C41411037

封装：TSSOP-8

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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型号：M24C02-RMC6TG 编号：C495258

封装：DFN-8(2x3)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C02-WDW6TP 编号：C283436

封装：TSSOP-8

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：AT24C16C-XHM-T-TUDI 编号：C22469406

封装：TSSOP-8

AT24C16提供16,384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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型号：FM25Q08B-SO-T-G 编号：C696825

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM25Q08B是一款8M位（1M字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25Q08B支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O以及2时钟指令周期的四路外设接口（QPI）。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：24LC16BT-I/OT-TUDI 编号：C41411021

封装：SOT-23-5

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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型号：BL24C32AA0-PARC 编号：C7436521

封装：SOP-8L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32AA0是一款32K位串行EEPROM，适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。该设备符合汽车标准AEC-Q100，具有高达1百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

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型号：M93C56-RDW6TP 编号：C2062199

封装：TSSOP-8

2 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

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型号：25Q16-TD 编号：C47108716

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

6M 位，即 2M 字节（2,097,152 字节），由 8192 个编程页组成，每个编程页 256 字节。

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型号：M24C16-WMN6P 编号：C283443

封装：SO-8

M24C16是一款16Kbit I2C兼容的EEPROM，支持400kHz I2C总线模式。该器件在不同工作电压范围内具有不同的特性，包括2.5V至5.5V、1.8V至5.5V和1.6V至1.7V。所有器件都支持400kHz的时钟频率。

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型号：93LC86CT-I/SN 编号：C2061401

封装：SOIC-8

16K位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93XX86C这样的字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A器件采用专用8位内存架构，而93XX86B器件采用专用16位内存架构

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型号：CAV24C02WE-GT3 编号：C154828

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C - 汽车级器件，内部组织为 16 页，每页 16 个字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议，也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAV24C02 器件的寻址。

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￥2.33
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型号：AT25020B-SSHL-T 编号：C2061419

封装：SOIC-8

特性：兼容串行外设接口 (SPI)，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 8字节页面模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 < 4000V。高可靠性: -耐久性：1000000次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：24AA02UIDT-I/OT 编号：C511274

封装：SOT-23-5

是一款 2 Kbit 电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该设备由两个 128×8 位存储块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，最大待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。还具备最多 8 字节数据的页写入能力（24AA025UID 为 16 字节）。有标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、5 引脚 SOT-23 和 6 引脚 SOT-23 封装。

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型号：MX25L1006EMI-10G 编号：C71944

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

1-Mbit(1M x 1bit/500K x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

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￥4.09
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￥3.36
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￥2.99
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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

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￥4.3
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￥3.6
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￥3.25
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型号：GT22L16A2Y 编号：C515674

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

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￥4.43
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￥3.07
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型号：M95080-DRMN8TP/K 编号：C2061229

封装：SO-8

M95080-DRMN8TP/K 是一款8 Kbit (1 Kbyte) 的EEPROM，支持串行SPI总线接口，可在高达105°C的温度下工作。具有高速时钟频率（最高20 MHz），短写周期时间（4 ms），以及4百万次写周期寿命。

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型号：M24256-DFMN6TP 编号：C2970055

封装：SO-8-150mil

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥4.83
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型号：IS25LP032D-JBLE 编号：C2841347

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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￥5.33
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￥4.54
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￥4.15

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型号：AT24C04C-PUM 编号：C8811

封装：DIP-8

的AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并可通过两线串行接口访问

数据手册

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￥5.8113 ￥5.87
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￥4.2453 ￥4.77
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￥3.3338 ￥4.22
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￥2.8993 ￥3.67
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￥2.6386 ￥3.34
1000+
￥2.5122 ￥3.18

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型号：25AA02E48T-I/OT 编号：C145570

封装：SOT-23-6