华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：WSON-8-EP(6x8)

F35SQA001G 是一款 1Gbit (128Mx8bit) 的串行 NAND 闪存，支持标准 SPI 接口和双/四线 SPI 模式。工作电压为 2.7V 至 3.6V，支持 104 MHz 的 SPI 时钟频率。该设备具有内部 1-bit ECC 逻辑，默认启用。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID，具有唯一 ID 和 62 个 OTP 页面。

数据手册

1+
￥55.84
10+
￥50.45
30+
￥47.17
100+
￥43.08

有货

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型号：GDP2BFLM-CA 编号：C5184009

封装：FBGA-96

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥57.14
10+
￥49.06
30+
￥44.13
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￥40

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥60.78
10+
￥52.26
30+
￥47.07
100+
￥42.72

有货

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型号：NT5CC256M16ER-EK 编号：C428584

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：符合DDR3标准。 8n预取架构，差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS），DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR），具备自动刷新和自刷新模式，有节能模式和掉电模式。信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上终端，通过外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度，具备信号同步，通过MR设置进行写电平校准，通过MPR进行读电平校准。

数据手册

10+
￥112.21
100+
￥94.34
300+
￥86.38

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

1+
￥142.7
10+
￥131.99
30+
￥125.47

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型号：MKDN032GIL-AD 编号：C52754175

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte), Flash 类型pSLC, P/E Cycles 5万次，速度等级：C10,U1,V10,别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;-40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压

1+
￥171.8455 ￥180.89
30+
￥163.5235 ￥172.13

有货

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型号：MKDN064GIL-ZC 编号：C53374590

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等，应用：工业设备、物联网终端、嵌入式系统、数据记录

1+
￥261.2616 ￥283.98
30+
￥248.6208 ￥270.24

有货

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型号：K4A8G165WC-BIWE 编号：C2920134

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥277.06
30+
￥263.46

有货

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型号：MKEML016GV1E-IE 编号：C52753987

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型pSLC, 16GB eMMC 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

1+
￥342.285 ￥360.3
30+
￥325.717 ￥342.86

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型号：H5CG48AGBDX018N 编号：C46552763

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥360.78
30+
￥335

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型号：K4A8G085WC-BCTD 编号：C2920071

封装：FBGA-78

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

特性：支持连接测试模式（TEN）

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单价：
￥476.77 / 个

有货

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型号：MT53E1G32D2FW-046 AUT:B 编号：C5128897

封装：-

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源。VDD1 = 1.70-1.95V；标称 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称 1.10V。VDDQ = 1.06-1.17V；标称 1.10V 或低 VDDQ = 0.57-0.65V；标称 0.60V

1+
￥2247.34
30+
￥2145.4

有货

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型号：AT24C02CDR630 编号：C51026300

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

20+
￥0.16479 ￥0.1831
200+
￥0.12834 ￥0.1426
600+
￥0.10809 ￥0.1201
4000+
￥0.09594 ￥0.1066
8000+
￥0.08541 ￥0.0949
20000+
￥0.07965 ￥0.0885

有货

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型号：24C02A(LX) 编号：C22397198

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C02A是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节，随机字地址需要一个8比特的数据字地址。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。

20+
￥0.2185
200+
￥0.1737
600+
￥0.1488
4000+
￥0.1262
8000+
￥0.1133
20000+
￥0.1063

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型号：H24C02S 编号：C41419578

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM采用I²C接口，提供2Kbit的存储容量，支持最高1MHz的时钟频率。其宽泛的工作电压范围（1.8V至5.5V）使其兼容多种电源标准。适用于需要非易失性数据存储的应用场景，如保存配置数据、校准参数或小量关键信息记录，确保数据在断电后仍能保持完整。

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

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型号：HK24C02G3-ULR-T 编号：C33576244

封装：SOT-23-5

品牌：HK(航顺)

HK24C02是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，提供多种封装选项，适用于工业温度范围。

10+
￥0.2951
100+
￥0.2377
300+
￥0.209

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型号：SL24C16D 编号：C5155394

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C16是16K位电可擦除PROM，采用2048x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量16Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

数据手册

5+
￥0.4348 ￥0.5435
50+
￥0.34608 ￥0.4326
150+
￥0.30168 ￥0.3771
500+
￥0.2684 ￥0.3355
2500+
￥0.24176 ￥0.3022
4000+
￥0.22848 ￥0.2856

有货

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型号：AT24C08CP164 编号：C51026295

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2000+
￥0.2825
4000+
￥0.2667

有货

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型号：SL24C08D 编号：C5155393

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C08D是一款1024x8位电可擦除PROM，采用两线串行接口，工作电压范围为1.8V~5.5V，具有页写能力，每页16字节。支持多种封装形式，包括SOP-8、DIP-8和SOT-23-5。具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

5+
￥0.5878
50+
￥0.4678
150+
￥0.4078
500+
￥0.3628
2500+
￥0.3118
4000+
￥0.2938

有货

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型号：P24C08C-SSH-MIR 编号：C2977251

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C08C是一种8K位I2C兼容的串行EEPROM，具有16字节的页写模式，支持低功耗CMOS技术，工作电压范围为1.7V至5.5V。

数据手册

5+
￥0.5997
50+
￥0.4797
150+
￥0.4197
500+
￥0.3747
2500+
￥0.3118

有货

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型号：ZD25WD40BUIGR 编号：C2759917

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,4Mbit，1.65V~2V，工作温度-40℃~+85℃，USON-8-EP(2x3)

数据手册

5+
￥0.6735
50+
￥0.5295
150+
￥0.4575
500+
￥0.4036
3000+
￥0.3604
6000+
￥0.3388

有货

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型号：FT24C64A-TLR-T 编号：C7466824

封装：SOT23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C64A系列是65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个字（每个字8位）。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。

5+
￥0.6885
50+
￥0.5381
150+
￥0.4629
500+
￥0.4065
3000+
￥0.3613

有货

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型号：GD25D10BTIGR 编号：C5333617

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25D10B/05B（1M/512K位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双输出：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、O1（SO）。双输出数据的传输速度为160Mbit/s。

5+
￥0.7163
50+
￥0.5723
150+
￥0.5003
500+
￥0.4463
3000+
￥0.4031

有货

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型号：FT24C64A-ELR-T 编号：C5263778

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C64A系列是65,536位串行电可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。这些设备提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN、5引脚SOT23和5引脚TSOT23封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的Vcc范围（1.8V到5.5V）使应用范围广泛。

数据手册

5+
￥0.7382
50+
￥0.5942
150+
￥0.5222
500+
￥0.4682
3000+
￥0.407

有货

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型号：BL24C128A-SFRC 编号：C177776

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C128A是一款128Kbits（16,384 x 8）的串行EEPROM，适用于多种工业和商业应用。该器件支持I2C两线接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有高可靠性和低功耗特性。

数据手册

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591

有货

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型号：AT24C16C-SSHM-T-TUDI 编号：C22469402

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225

有货

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型号：FM25F01C-SO-T-G 编号：C7503854

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM25F01C是一款1M位（128K字节）的串行闪存，具备先进的写保护机制。FM25F01C支持标准串行外设接口（SPI），以及高性能双输出和双I/O。使用页编程指令，FM25F01C每次可对1至256字节进行编程

5+
￥0.8313
50+
￥0.6571
150+
￥0.57
500+
￥0.5046
2500+
￥0.4328

有货

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型号：FT24C256A-ESR-T 编号：C417371

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

256K位低功耗串行EEPROM，支持1.8V至5.5V工作电压，最大待机电流小于1uA，64字节页写模式，自定时写周期（最大5ms），1MHz（2.5V-5V）和400kHz（1.8V）兼容，硬件数据保护，高可靠性（1,000,000次写周期寿命），100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

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