华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

数据手册

1+
￥41.4
10+
￥36.79
30+
￥33.98
100+
￥31.62

有货

立即购买

型号：XT61M2G8D2TA-B8BEA 编号：C558831

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器，结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决方案，而LPDDR2 SDRAM则适用于需要大容量快速存储的应用场景。

数据手册

1+
￥59.87
10+
￥57.38
30+
￥55.87
100+
￥49.59

有货

立即购买

型号：MKDN032GCL-AD 编号：C52754172

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥61.807 ￥65.06
10+
￥53.257 ￥56.06
30+
￥48.051 ￥50.58
100+
￥43.681 ￥45.98

有货

立即购买

型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥67.83 ￥71.4
10+
￥58.4535 ￥61.53
30+
￥52.7345 ￥55.51
100+
￥47.937 ￥50.46

有货

立即购买

型号：MKEMC008GT2M-C 编号：C6152614

封装：BGA-153(7.5x9)

品牌：MK(米客方德)

8GB eMMC 小封装 7.5x9mm,符合智能穿戴及IoT产品的小型化的需求

1+
￥71.5255 ￥75.29
10+
￥68.1435 ￥71.73
30+
￥62.2915 ￥65.57
100+
￥57.1805 ￥60.19

有货

立即购买

型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

数据手册

1+
￥82.22
10+
￥71.14
30+
￥64.38
100+
￥58.72

有货

立即购买

型号：FM22L16-55-TG 编号：C66024

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM，支持页模式操作，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥83.87
10+
￥73.41
30+
￥66.65
135+
￥60.75

有货

立即购买

型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

1+
￥94.47
10+
￥90.92
30+
￥84.78

有货

立即购买

型号：MKDV08GCL-STP 编号：C19192126

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐;广泛适配在各大MCU平台上；尺寸6.6x8mm。支持SD2.0,-25°C to +85°C，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥100.719 ￥106.02
10+
￥96.197 ￥101.26
30+
￥88.3595 ￥93.01
100+
￥81.529 ￥85.82

有货

立即购买

型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥119.13
10+
￥114.47
30+
￥98.24

有货

立即购买

型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥130.67
10+
￥125.03
30+
￥104.68
100+
￥96.16

有货

立即购买

型号：CY14B256LA-SZ45XIT 编号：C2951972

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节，每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

1+
￥175.45
30+
￥166.75

有货

立即购买

型号：FEMDRW008G-88A39 编号：C3249966

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

数据手册

1+
￥188
10+
￥181.61
30+
￥142.14
100+
￥132.48

有货

立即购买

型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C5821038

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

1+
￥224.31
30+
￥214.75

有货

立即购买

型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

数据手册

1+
￥276.78
10+
￥256.29

有货

立即购买

型号：K4AAG165WA-BCTD 编号：C2920139

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥443.02
10+
￥432.07

有货

立即购买

型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

10+
￥0.2976
100+
￥0.2352
300+
￥0.204
1000+
￥0.1806

有货

立即购买

型号：SL24C08D 编号：C5155393

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C08D是一款1024x8位电可擦除PROM，采用两线串行接口，工作电压范围为1.8V~5.5V，具有页写能力，每页16字节。支持多种封装形式，包括SOP-8、DIP-8和SOT-23-5。具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

5+
￥0.3256
50+
￥0.3184
150+
￥0.3136
500+
￥0.3088

有货

立即购买

型号：ZD25WD20BKIGR 编号：C3646779

封装：USON-6(1.2x1.2)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,USON-6(1.2x1.2),Tape&Reel

数据手册

5+
￥0.3434
50+
￥0.3347
150+
￥0.329
500+
￥0.3232

有货

立即购买

型号：AT24C16-TD 编号：C42421828

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

5+
￥0.3712
50+
￥0.3628
150+
￥0.3573

有货

立即购买

型号：HK24C16HA-USR-B 编号：C33576252

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C16HA-USR-B是一款16Kbit (2048 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，工作电压范围为1.8V至5.5V，支持16字节页写模式，具有自定时写周期（最大5ms），1MHz (5V)和400kHz (1.8V, 2.5V, 2.7V)兼容性，工业温度范围（-40°C至85°C），100年数据保留时间，1,000,000次写周期寿命。

100+
￥0.243
1000+
￥0.234
3000+
￥0.225
6000+
￥0.207
10000+
￥0.2016

我要订货

型号：HX24LC02BDRG 编号：C2987256

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

10+
￥0.4584
100+
￥0.3648
300+
￥0.318

有货

立即购买

型号：HK24C64HA-USR-B 编号：C33576254

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C64是一款64Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗、宽工作电压范围（1.8V至5.5V）、32字节页写模式、标准2线双向串行接口、自定时写周期（最大5ms）、1MHz（5V）和400kHz（1.8V、2.5V、2.7V）兼容性、硬件数据保护等功能。工作温度范围为-40℃至85℃，数据保留时间为100年。

5+
￥0.4748
50+
￥0.3785
200+
￥0.3304
500+
￥0.2942

有货

立即购买

型号：AT24C16DGKRG 编号：C19723711

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C16是一款16K位串行EEPROM，具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+85°C。它支持两线串行接口，最大时钟频率为1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。该器件具有写保护引脚，支持16字节页写模式，自定时写周期时间最大为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

有货

立即购买

型号：HX24C08DRG 编号：C5145455

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C08提供8K位（1024字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

数据手册

5+
￥0.5173
50+
￥0.4117
150+
￥0.3589
500+
￥0.3193
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

有货

立即购买

型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。

5+
￥0.5369
50+
￥0.4313
150+
￥0.3785
500+
￥0.3389
3000+
￥0.294
6000+
￥0.2782

订货

我要订货

型号：HX24LC04BDRG 编号：C2987257

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.5657
50+
￥0.4481
150+
￥0.3893
500+
￥0.3452
2500+
￥0.2942
5000+
￥0.2765

有货

立即购买

型号：ZD25WD20BEIGR 编号：C2759919

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

新版本ZD25WD20CEIGR

数据手册

5+
￥0.6122
50+
￥0.4772
150+
￥0.4097
500+
￥0.359
3000+
￥0.3185
6000+
￥0.2983

有货

立即购买

型号：HX24LC08BDRG 编号：C2987258

封装：SOIC-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.6268
50+
￥0.502
150+
￥0.4396
500+
￥0.3928
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

有货

立即购买

型号：AT24C32-TD 编号：C42421829

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

5+
￥0.6354
50+
￥0.6211
150+
￥0.6115

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示