华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD25LQ16ETIGR 编号：C6260514

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥5.41
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型号：ZD25C1MA-XGMT 编号：C53953985

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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￥6.33
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型号：M24M01-DFMN6TP 编号：C222230

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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￥6.65
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型号：CAV25256VE-GT3 编号：C605356

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV25256是一款256Kb SPI EEPROM，适用于汽车级1设备。该设备内部组织为32Kx8位，支持64字节页写缓冲区和SPI协议。具有硬件和软件写保护功能，包括部分和全阵列保护。适合高可靠性应用。

数据手册

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￥8.79
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￥5.03

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型号：GD25Q64ETIGR 编号：C2976334

封装：SOIC-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64E（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

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型号：AT24CM01-XHM-T 编号：C2653508

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

数据手册

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￥10.46
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￥8.88
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型号：MX25L3206EM2I-12G 编号：C415880

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS 启用对设备的串行访问。

数据手册

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￥9.01
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型号：W25Q64JVSFIQ TR 编号：C2456207

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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￥12.22
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型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

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￥13.83
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￥11.73
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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥13.84
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￥11.28
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￥10.95

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型号：AT25512N-SH-T 编号：C779669

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25512提供524,288位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为65,536个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作是必需的。设备提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8垫UDFN封装，所有封装均可在1.8V至5.5V范围内工作。

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￥15.46
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￥11.66
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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥9.21

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型号：23LC1024T-I/SN 编号：C114449

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

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￥18.06
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￥15.33
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￥13.62
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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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￥12.79

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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

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￥22.86
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￥19

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型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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￥25.08
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￥21.75
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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥26.36
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￥23.14
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￥21.23
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￥19.3
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￥18.41
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型号：IS45S32200L-7BLA2 编号：C1352248

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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￥20.6
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￥18.11
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￥16.43

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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

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￥28
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￥23.97
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￥19.14

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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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￥30.61
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￥26.59
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￥24.21
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￥21.79

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型号：EPCQ4ASI8N 编号：C569021

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

EPCQ4ASI8N是用于FPGA配置的串行存储器，采用8引脚小外形集成电路封装(SOIC)，符合JEDEC MS-012标准。

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1+
￥39.84
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￥34.63
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￥31.45
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￥28.79

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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1+
￥51.95
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￥47.86
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￥46.39
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￥45.16

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

数据手册

5+
￥93.22321
50+
￥81.890192
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￥75.401126

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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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单价：
￥61.585 / 个

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型号：CY62167EV30LL-45BVXIT 编号：C2840303

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

数据手册

1+
￥75.55
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￥72.15
30+
￥66.26

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

30+
￥76.99
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￥71.34
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￥67.89
3000+
￥65

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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

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￥77.28
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￥76.21
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￥74.35
96+
￥72.72

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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥78.192 ￥86.88
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￥74.574 ￥82.86
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￥68.292 ￥75.88
96+
￥62.82 ￥69.8

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型号：CSNP4GCR01-DPW 编号：C50396672

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 4Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡

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￥92.22
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￥81.07
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￥68.49
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￥62.79

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型号：SDINBDG4-8G-XA 编号：C22405955

封装：-

品牌：SANDISK(闪迪)

1+
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