华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

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￥11.33
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￥9.02
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￥8.1
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￥7.69
2000+
￥7.5

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型号：BY25D40ASTIG(R) 编号：C382742

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

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￥0.7969
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￥0.6433
150+
￥0.5665
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￥0.5089
2500+
￥0.4628
4000+
￥0.4397

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型号：ZD24C256A-SSGMB 编号：C918273

封装：SOIC-8

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

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￥1.1516
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￥0.8995
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￥0.7702
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￥0.6354
2500+
￥0.5753
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￥0.5393

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型号：ZD25WQ16CTIGT 编号：C5353550

封装：SOP-8

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil，Tape&Reel

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5+
￥1.168
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￥0.9158
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￥0.8077
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￥0.6729
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￥0.6128
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￥0.5768

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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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5+
￥1.7501
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￥1.3566
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￥1.1879
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￥0.9775
3000+
￥0.8838
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￥0.8276

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型号：24LC01BT-I/OT 编号：C511269

封装：SOT-23-5

24xxx01是1 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个128x8位的存储块，具有2线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。

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5+
￥1.8029
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￥1.3975
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￥1.2238
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￥1.007
3000+
￥0.9105
6000+
￥0.8526

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型号：ZD24C512A-SSGMB 编号：C918274

封装：SOP-8

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

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5+
￥1.8318
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￥1.4272
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￥1.2537
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￥1.0374
2500+
￥0.941
5000+
￥0.8832

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.9119
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￥1.4986
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￥1.3215
500+
￥1.1005
2500+
￥1.0021

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型号：ZD24C512A-SSGMT 编号：C2896788

封装：SOP-8

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

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5+
￥1.9296
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￥1.5165
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￥1.3394
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￥1.1185
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￥0.9935
6000+
￥0.9345

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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5+
￥2.0128
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￥1.5642
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￥1.372
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￥1.1321
3000+
￥1.0253

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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

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￥2.2682
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￥1.7965
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￥1.5944
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￥1.2673
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￥1.1549
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￥1.0876

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型号：M95256-WMN6TP 编号：C221504

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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1+
￥2.69
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￥2.12
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￥1.87
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￥1.28
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￥1.2

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型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

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￥3.79
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￥3.08
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￥2.73
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￥2.37
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￥2.16
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￥2.05

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型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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￥3.99
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￥3.21
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￥2.83
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￥2.44
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￥2.07
1000+
￥1.95

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

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￥9.08
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￥7.73
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￥6.98
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￥6.14
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￥4.68
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￥4.52

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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

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￥9.37
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￥8.18
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￥7.52
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￥6.45
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￥6.3

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥10.23
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￥8.9
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￥8.17
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￥7.34
500+
￥6.57
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￥6.4

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

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1+
￥23.84
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￥21.91
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￥20.7
108+
￥18.8
540+
￥18.25
864+
￥18

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型号：W9751G6NB-25 编号：C908414

封装：VFBGA-84

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA（8x12.5）

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1+
￥28.14
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￥25.43
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￥23.74
209+
￥21.13
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￥20.34
1045+
￥20

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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￥79.21
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￥75.39
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￥68.78
100+
￥63

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

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1+
￥251.64
30+
￥240.67

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥440.44
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￥319.72

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

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￥0.3924
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￥0.3464
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￥0.3234
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￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

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型号：BL24C128A-PARC 编号：C90484

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C128A提供131,072位（16,384字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。BL24C128A具有两线串行接口，可在1.7V至5.5V的单电源电压下工作，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥0.7399
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￥0.5959
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￥0.5239
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￥0.4699
2500+
￥0.4267
5000+
￥0.405

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

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￥1.2294
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￥0.9766
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￥0.8683
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￥0.7331
3000+
￥0.6129
6000+
￥0.5768

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型号：24LC16BT-I/SN 编号：C5456

封装：SOIC-8

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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5+
￥1.7522
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￥1.3792
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￥1.2193
500+
￥0.9342
3300+
￥0.8454

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.8453
50+
￥1.4378
150+
￥1.2632
500+
￥1.0453
3000+
￥0.9032
6000+
￥0.845

有货

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8