兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：BGA-200(10x15)

特性：VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V)。VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17)。VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)。单数据速率架构用于命令和地址；所有控制和地址在时钟上升沿锁存

数据手册

1+
￥143.74
30+
￥136.05

有货

立即购买

型号：IS43TR16128BL-125KBLI 编号：C2977983

封装：BGA-96(13x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V,-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构

1+
￥38.56
10+
￥37.78
30+
￥37.26
100+
￥32.86

有货

立即购买

型号：K4B2G1646F-BCMA 编号：C3002777

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥43.38
10+
￥36.92
30+
￥32.99

有货

立即购买

型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥43.61
10+
￥38.14
30+
￥34.8

有货

立即购买

型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥51.17
10+
￥44.61
30+
￥40.61
100+
￥34.5

有货

立即购买

型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

1+
￥53.51115
20+
￥51.3359
100+
￥50.03075
200+
￥48.7256
500+
￥47.8555

我要订货

型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

数据手册

1+
￥64.88
10+
￥56.12
30+
￥48.5

有货

立即购买

型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

10+
￥67.85
100+
￥58.96
300+
￥53.55
1000+
￥49

有货

立即购买

型号：K4A4G165WG-BCWE 编号：C49260570

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥84.63
10+
￥80
30+
￥71.99
112+
￥65

有货

立即购买

型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。

数据手册

1+
￥129.8
5+
￥123.2
30+
￥118.8

有货

立即购买

型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

1+
￥142.7
10+
￥131.99
30+
￥125.47

有货

立即购买

型号：MKDN256GCL-ZC 编号：C52753985

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 256Gbit(32GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥251.8592 ￥273.76
30+
￥239.6692 ￥260.51

有货

立即购买

型号：K4A8G165WC-BIWE 编号：C2920134

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥277.06
30+
￥263.46

有货

立即购买

型号：MKEMF032GT1E-C 编号：C22374386

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,32GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°,CLDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

1+
￥298.62
30+
￥284.4

有货

立即购买

型号：FEMDNN064G-C9A61 编号：C49284704

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

特性：eMMC 5.1 规格兼容性：JEDEC 标准编号 JESD84-E51A，向后兼容 eMMC4.41/4.5/5.0。工作电压范围:VCC（NAND）：2.7 ~ 3.6V。VCCQ（控制器）：1.7 ~ 1.95V / 2.7 ~ 3.6V。总线模式:先进的 12 信号接口，包括 8 线 DATA、CLK、CMD、RSTN、DS

1+
￥298.63
30+
￥285.26

有货

立即购买

型号：FEMDRW032G-88A19 编号：C719926

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

数据手册

1+
￥364.51
30+
￥297.66

有货

立即购买

型号：MKEMF032GT2E-IE 编号：C26159628

封装：FBGA-153(13x11.5)

品牌：MK(米客方德)

32GB 工业宽温级，pSLC Flash，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,LDPC纠错，支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

1+
￥538.2795 ￥566.61
30+
￥511.2235 ￥538.13

有货

立即购买

型号：MT40A1G16TB-062E IT:F 编号：C20562221

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥1052.76
30+
￥998.34

有货

立即购买

型号：HX24C02P 编号：C5445110

封装：SOP-8

品牌：HX(恒佳兴)

HX24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，宽电压工作范围，两线串行接口，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

数据手册

20+
￥0.2292
200+
￥0.1812
600+
￥0.1572

有货

立即购买

型号：HK24C02G3-ULR-T 编号：C33576244

封装：SOT-23-5

品牌：HK(航顺)

HK24C02是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，提供多种封装选项，适用于工业温度范围。

10+
￥0.2951
100+
￥0.2377
300+
￥0.209

有货

立即购买

型号：P24C64C-UNH-MIR 编号：C2977256

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：PUYA(普冉)

P24C64C是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有8K x 8位的存储阵列，每页32字节。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40℃至125℃，最大时钟频率为1MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，写保护功能，自定时写周期，高可靠性和长达100年的数据保留时间。

数据手册

5+
￥0.3651
50+
￥0.3564
150+
￥0.3507

有货

立即购买

型号：24C02/TR 编号：C316692

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 采用节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOP、8 引脚 TSSOP、8 引脚 MSOP、8 焊盘 DFN 和 SOT23 - 5 封装，可通过两线串行接口访问

数据手册

10+
￥0.3662
100+
￥0.29
300+
￥0.252
2500+
￥0.2119
5000+
￥0.189
10000+
￥0.1776

有货

立即购买

型号：GN24C02A 编号：C2758328

封装：SOP-8

品牌：GN(旌芯半导体)

GN24C02A是2Kbit I2C兼容串行EEPROM，包含一个256X8位的存储器阵列，每页8字节组织。支持单电源电压和高速操作，最低工作电压低至1.7V，具有低功耗CMDS技术和高可靠性。

10+
￥0.4058
100+
￥0.3326
300+
￥0.296
1000+
￥0.2685
4000+
￥0.2444
8000+
￥0.2334

有货

立即购买

型号：HG24C02CM/TR 编号：C7432361

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

10+
￥0.4405
100+
￥0.3541
300+
￥0.3109
2500+
￥0.2785
5000+
￥0.2525
10000+
￥0.2396

有货

立即购买

型号：P25D22H-SSH-IT 编号：C5263826

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

特性：宽电源范围：2.3至3.6V，适用于读取、擦除和编程。读取、擦除和编程时超低功耗。支持X1、X2多I/O。高可靠性，具有100K次循环和10年数据保留能力

10+
￥0.4593
100+
￥0.3513
300+
￥0.3033
1000+
￥0.2673
5000+
￥0.2385
10000+
￥0.224

订货

我要订货

型号：HG24C04M/TR 编号：C2688457

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。HG24C04有节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP、8引脚MSOP、8焊盘DFN和SOT23 - 5封装可供选择，并可通过两线串行接口进行访问

数据手册

5+
￥0.4806
50+
￥0.3798
150+
￥0.3294
500+
￥0.2916
2500+
￥0.251
5000+
￥0.2359

有货

立即购买

型号：HG24C02CMM/TR 编号：C7432360

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02MM/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。