兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

是串行接口闪存设备，适用于各种大批量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，页面擦除粒度使其也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，通过优化擦除块大小，可更有效地利用内存空间。可大大减少大扇区和大块擦除闪存设备出现的浪费和未使用的内存空间，这种更高的内存空间效率允许在保持相同总体设备密度的同时添加额外的代码例程和数据存储段。包含额外的 3 * 1024 字节安全寄存器，带有一次性可编程 (OTP) 锁。

数据手册

5+
￥2.081
50+
￥1.6528
200+
￥1.4358
500+
￥1.2069
2500+
￥1.1049

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型号：24AA32AT-I/OT-TUDI 编号：C41411015

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24LC32/24AA32提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为4096字节。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。

1+
￥2.33
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￥2.03
30+
￥1.91
100+
￥1.75
500+
￥1.68
1000+
￥1.64

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型号：AT24C512CP064 编号：C51026310

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥2.3998 ￥3.38
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￥1.8744 ￥2.64
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￥1.6543 ￥2.33
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￥1.3703 ￥1.93
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￥1.2496 ￥1.76
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￥1.1715 ￥1.65

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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

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￥2.53
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￥2.23
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￥2.07
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￥1.92
500+
￥1.83
1000+
￥1.79

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型号：GT20L16P1Y 编号：C126753

封装：SOT-23-6

品牌：GENITOP(高通)

GT20L16P1Y是一款16x16汉字点阵和16点外文点阵字库芯片，支持GB2312字符集，同时支持拉丁文、希腊、西里尔文、阿拉伯文、希伯来文、泰文。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

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￥2.65
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￥2.08
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￥1.83
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￥1.52
500+
￥1.39
1000+
￥1.31

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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

数据手册

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￥2.8896 ￥3.01
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￥2.0124 ￥2.34
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￥1.5656 ￥2.06
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￥1.292 ￥1.7
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￥1.178 ￥1.55
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￥1.102 ￥1.45

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型号：AT24C128C-XHM-T 编号：C616767

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压运行：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部结构为 16,384 x 8 (128K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。 I²C 兼容（两线）串行接口: 100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

1+
￥3.21
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￥2.54
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￥2.25
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￥1.89
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

数据手册

1+
￥3.36
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￥2.62
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￥2.3
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￥1.91
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￥1.73
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￥1.62

有货

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型号：24AA256T-I/SN-TUDI 编号：C41410998

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥3.53
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￥3.13
30+
￥2.93
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￥2.74
500+
￥2.62
1000+
￥2.56

有货

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型号：M95128-WMN6P 编号：C283457

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95128-WMN6P是一款128Kbit SPI接口的EEPROM，具有高时钟速度，适用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥3.87
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￥3.12
30+
￥2.74
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￥2.36
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

有货

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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.75
30+
￥3.29
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￥2.84
500+
￥2.5
1000+
￥2.36

有货

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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.76
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￥3.81
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￥3.33
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￥2.86
500+
￥2.58
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￥2.43

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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

1+
￥5.27
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￥4.19
30+
￥3.65
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￥3.12
500+
￥2.8
1000+
￥2.63

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型号：ZD25C1MA-SSGMB 编号：C53552663

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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￥5.87
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￥4.75
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￥4.19
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￥3.63
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￥3.3
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￥3.13

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

数据手册

1+
￥6.6394
10+
￥6.1609
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￥5.9558
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￥5.6823
500+
￥5.5684
1000+
￥5.5

有货

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型号：93LC56B-I/P 编号：C613877

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）取决于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用8位通信，有相应设备可用；对于专用16位通信，也有对应设备。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储器应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

数据手册

1+
￥6.76
10+
￥5.55
60+
￥4.94
120+
￥4.33
480+
￥3.97

有货

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型号：24LC16BT-E/OT 编号：C616242

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

数据手册

1+
￥7.32
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￥6.07
30+
￥5.38
100+
￥4.6
500+
￥4.26
1000+
￥4.1

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型号：MX25L1606EM2I-12G 编号：C415878

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

数据手册

1+
￥8.48
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￥7.13
30+
￥6.39
100+
￥5.55
500+
￥5.05
1000+
￥4.88

有货

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥7.67
30+
￥6.9
100+
￥6.03
500+
￥5.42
1000+
￥5.25

有货

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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

数据手册

1+
￥9.14
10+
￥7.68
30+
￥6.87
100+
￥5.96
500+
￥5.31
1000+
￥5.13

有货

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型号：XT25F128FWOIGT-W 编号：C3202839

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F128F-W（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。

数据手册

1+
￥9.94
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￥8.32
30+
￥7.43
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￥6.43
500+
￥5.76
1000+
￥5.55

有货

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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

1+
￥11.67
10+
￥10.05
30+
￥9.16
100+
￥8.15
500+
￥7.71
1000+
￥7.5

有货

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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

数据手册

1+
￥12.69
10+
￥11.04
30+
￥10.13
100+
￥8.05
500+
￥7.6
1000+
￥7.39

有货

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型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

1+
￥22.31
10+
￥19.1
30+
￥17.18
100+
￥15.25
500+
￥14.36

有货

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型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

数据手册

1+
￥30.93
10+
￥26.46
30+
￥22.98
100+
￥20.3
500+
￥19.06
1500+
￥18.5

有货

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

1+
￥50.25
10+
￥44.22
30+
￥40.55
100+
￥37.46

有货

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥50.26
10+
￥45.07
30+
￥39.9
100+
￥37.24

有货

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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

数据手册