兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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型号：TP24C02S5 编号：C18197836

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

TP24C02S是一款2 Kbit、与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个256×8位的存储阵列，每页组织为8字节。TP24C02S为不同应用提供以下器件

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￥0.3354
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￥0.2274
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￥0.2004
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￥0.1788
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￥0.168

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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

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￥0.39178 ￥0.4124
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￥0.3097 ￥0.326
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￥0.26866 ￥0.2828
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
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￥0.200925 ￥0.2115

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型号：ZD24C16A-STGMT 编号：C20622850

封装：SOT-23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A 提供16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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￥0.4056
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￥0.3191
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￥0.2759
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￥0.2435
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￥0.2175
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￥0.2045

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型号：ZD25WD20CTIGT 编号：C5555028

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil,Tape&Reel

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￥0.4222
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￥0.3702
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￥0.3442
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￥0.3247
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￥0.3092
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￥0.3014

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型号：SL24C64D 编号：C5155396

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C64是电可擦除PROM，采用8192x8-bit的组织结构以及两线串行接口。工作电压范围1.8V~5.5V，具有页写能力和硬件数据写保护。存储容量为64K位，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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￥0.5891
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￥0.4609
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￥0.3967
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￥0.3487
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￥0.2998
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￥0.2806

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型号：24C128BN(XBLW) 编号：C19708136

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C128系列是131,072位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为16,384个8位字。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP和8引脚DFN封装。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。扩展的VCC范围（1.8V至5.5V）使应用范围广泛。

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￥0.64771 ￥0.6818
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￥0.50426 ￥0.5308
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￥0.43244 ￥0.4552
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￥0.37867 ￥0.3986
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￥0.33554 ￥0.3532
4000+
￥0.31407 ￥0.3306

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型号：M24C32-RMN6TP 编号：C79920

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8009
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￥0.676
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￥0.6136
500+
￥0.5668

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8101
50+
￥0.6374
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￥0.5511
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￥0.4864
2500+
￥0.4454
5000+
￥0.4195

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型号：M24C16-FMC6TG 编号：C2970824

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.1458
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￥0.9044
150+
￥0.8009
500+
￥0.6191
2500+
￥0.5616

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型号：M24128-BRDW6TP 编号：C283430

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.5117
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￥1.174
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￥1.0293
500+
￥0.8487
2500+
￥0.7683

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥1.75
10+
￥1.52
30+
￥1.42
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￥1.29
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