兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：VFBGA-54(8x9)

低功耗同步内存，包含536,870,912个存储单元，采用高性能工艺技术制造。设计功耗低于普通SDRAM，具备低功耗特性，适用于电池供电的应用。有两种组织形式：4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。以完全同步模式运行，输出数据与系统时钟的正边沿同步，能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。支持部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）等特殊低功耗功能。

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1+
￥40.2
10+
￥39.69
30+
￥39.35
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￥38.61 ￥39

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型号：W25Q64JWUUIQ 编号：C6604692

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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￥10.13
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￥8.91
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￥8.25
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￥7

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥10.16
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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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￥18.49
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￥16.43
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￥15.15
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￥12.26
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型号：XT26G01CWSIGA 编号：C2833378

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01C是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有高级写保护机制，适用于高可靠性应用。它支持单级单元(SLC)技术，页编程时间为450μs，块擦除时间为4ms，读取速度高达104MHz。

数据手册

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￥33.54
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￥29.53
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￥27.15
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￥23.56
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￥22.45
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型号：MKDN256GCL-ZA 编号：C2913169

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，采用LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商业级应用。Nano SD NAND 包含NAND闪存和高性能控制器，支持SD3.0接口，工作电压为3.3V。

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￥137.4365 ￥144.67
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￥131.594 ￥138.52
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￥116.3085 ￥122.43
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￥107.4735 ￥113.13

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型号：MT41K512M16VRP-107 IT:P 编号：C2831669

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：使用两个x8、4Gb美光裸片制作一个x16封装。单排双芯。一个外部ZQ焊球和一个内部ZQ通过嵌入式串联电阻连接到VSSQ。 VDD = VDDQ = 1.35V（1.283-1.45V）

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￥159.13
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￥153.04
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￥142.5
100+
￥133.31

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型号：K4A8G165WB-BCRC 编号：C2803252

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥227.16
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￥220.28

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

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1+
￥251.64
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￥240.67

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型号：K4UBE3D4AB-MGCL 编号：C5827966

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥569.73
30+
￥542.96

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型号：24C02N(XBLW) 编号：C18723548

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

10+
￥0.320435 ￥0.3373
100+
￥0.249755 ￥0.2629
300+
￥0.214415 ￥0.2257
1000+
￥0.18791 ￥0.1978
4000+
￥0.166725 ￥0.1755
10000+
￥0.156085 ￥0.1643

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型号：24C64BN(XBLW) 编号：C18723547

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

5+
￥0.401185 ￥0.4223
50+
￥0.329555 ￥0.3469
150+
￥0.29374 ￥0.3092
500+
￥0.266855 ￥0.2809
2500+
￥0.245385 ￥0.2583
4000+
￥0.234555 ￥0.2469

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型号：BL24C16F-RRRC 编号：C2840295

封装：TSOT-23-5

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+125°C，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

5+
￥0.5431
50+
￥0.4437
150+
￥0.394
500+
￥0.3568
3000+
￥0.3114
6000+
￥0.2965

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型号：BL24C128A-PARC 编号：C90484

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C128A提供131,072位（16,384字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。BL24C128A具有两线串行接口，可在1.7V至5.5V的单电源电压下工作，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

5+
￥0.7399
50+
￥0.5959
150+
￥0.5239
500+
￥0.4699
2500+
￥0.4267
5000+
￥0.405

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型号：AT24C02D-XHM-T 编号：C125973

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.504
50+
￥1.1865
150+
￥1.0504
500+
￥0.8806
2500+
￥0.805
5000+
￥0.7596

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型号：M24C02-RDW6TP 编号：C152731

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6519
50+
￥1.3561
150+
￥1.2294
500+
￥1.0712
2500+
￥1.0008
4000+
￥0.9585

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型号：24LC16BT-I/SN 编号：C5456

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥1.7522
50+
￥1.3792
150+
￥1.2193
500+
￥0.9342

有货

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型号：AT24C02D-STUM-T 编号：C79996

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01D/02D 提供 1024/2048 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 128/256 个字，每个字 8 位。该器件的可级联特性允许最多 8 个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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5+
￥1.9119
50+
￥1.4986
150+
￥1.3215
500+
￥1.1005
2500+
￥1.0021

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

数据手册

5+
￥2.234
50+
￥1.7578
150+
￥1.5536
500+
￥1.2031
3000+
￥1.0897
6000+
￥1.0216

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型号：AT24C02D-MAHM-T 编号：C461609

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容（两线）串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 3.6V

数据手册

5+
￥2.3392
50+
￥1.8586
150+
￥1.6526
500+
￥1.3476
2500+
￥1.2332
5000+
￥1.1645

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型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.21
30+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.07
1000+
￥1.95

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型号：AT25640B-SSHL-T 编号：C111547

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25320B/640B提供32,768/65,536位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096/8,192个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25320B/640B采用节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8引脚UDFN、8引脚XDFN和8球VFBGA封装

数据手册

1+
￥4.07
10+
￥3.32
30+
￥2.95
100+
￥2.58
500+
￥2.36
1000+
￥2.25

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型号：25LC256T-I/SN 编号：C188247

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥6.04
10+
￥4.83
30+
￥4.22
100+
￥3.62
500+
￥3.26
1000+
￥3.08

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型号：GT30L32S4W 编号：C97325

封装：SOP-8-208mil

品牌：GENITOP(高通)

GT30L32S4W是一款包含12x12点阵、16x16点阵、24x24点阵和32x32点阵的汉字库芯片，支持GB2312汉字（含国家标委会授权）和ASCII字符。排列格式为横排和横式。用户可通过调用库文件中提供的函数接口，直接读取内码的点阵信息

数据手册

1+
￥6.16
10+
￥5
30+
￥4.41
90+
￥3.84
540+
￥3.49
990+
￥3.31

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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