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  • GD9FS1G8F2A是一款单层单元NAND闪存,支持1.7V至1.95V供电,具有128Mx8位的组织结构,采用TSOP(I)-48封装。该器件支持ONFI 1.0协议,提供100K次编程/擦除周期,数据保留时间为10年。
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      ¥16.14
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  • 64 Kbit串行I2C总线EEPROM
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  • 2 Kbit串行I2C总线EEPROM
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    • 50+

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      ¥7.14
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  • 有货
  • 128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速
    数据手册
    • 2+

      ¥12.7
    • 20+

      ¥11.33
    • 60+

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    • 2000+

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  • 有货
  • AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化,在这些应用中,低功耗和低电压运行至关重要
    数据手册
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    • 50+

      ¥1.8016
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      ¥1.5689
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    • 2500+

      ¥1.3104
    • 4000+

      ¥1.2762
  • 有货
  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。
    数据手册
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    • 20+

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      ¥5.97
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