威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IHLP2525EZER1R0M01 编号：C845036

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。频率范围低于1.0 MHz。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。粉末铁成分提供软饱和特性。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。饱和和电感在温度变化时极其稳定。应用：笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

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1+
￥4.36
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型号：SI4425DDY-T1-GE3 编号：C553962

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：负载开关。笔记本电脑

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型号：VS-50WQ10FNTRL-M3 编号：C468108

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

VS-50wQ10FN - M3 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和小 PCB 板占位面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

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1+
￥4.51
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型号：593D107X9016D2TE3 编号：C167092

封装：CASE-D-7343-31(mm)

品牌：VISHAY(威世)

钽电解电容器是在需要考虑体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性,使其成为当今表面贴装组装技术的合适选择。

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型号：SIS862ADN-T1-GE3 编号：C3289417

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。非常低的RDS × Qg品质因数 (FOM)。针对最低的RDS × Qoss FOM进行了调整。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

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型号：TCMT1600 编号：C435956

封装：SOP-4-1.27mm

品牌：VISHAY(威世)

薄型迷你扁平封装包含一个具有交流输入和晶体管输出的光耦合器。它有单通道（4引脚）或四通道（16引脚）可选。

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型号：SUD19P06-60-GE3 编号：C141510

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：全桥转换器的高端开关。 LCD显示器的DC/DC转换器

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1+
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型号：SQJ469EP-T1_GE3 编号：C7083978

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC

1+
￥4.65
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￥4.48
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型号：SIS427EDN-T1-GE3 编号：C727478

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

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1+
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型号：WSHM2818R0150FEA 编号：C2073853

封装：2818

品牌：VISHAY(威世)

特性：改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各类电流传感、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可实现极低电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (< 5 nH)。采用低 TCR (< 20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过 AEC-Q200 认证

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型号：IRFU9310PBF 编号：C506544

封装：TO-251

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻。结合功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直插引脚版本（IRFU/SiHFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 W。

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