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首页 > 热门关键词 > 威世模拟芯片
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特性:玻璃钝化芯片结。 适合自动贴装。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,无铅最高峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
  • 1+

    ¥2.39
  • 10+

    ¥1.88
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  • 有货
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    • 150+

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    • 500+

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  • 有货
  • N+P双沟道,12V/4.5A(-12V/-4.5A)
    数据手册
    • 1+

      ¥2.44
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

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  • 有货
  • 生产受到严格控制,遵循一套广泛的指令以确保可重复性。在高级陶瓷基板 (Al2O3) 上沉积一层特殊金属合金的均匀薄膜,并进行处理以获得所需的温度系数。在两侧沉积特殊设计的内部触点。使用特殊激光对电阻层进行平滑微调以达到目标值,而不损坏陶瓷。进一步进行处理以稳定微调结果。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候保护。终端进行最后的纯哑光镀镍处理。通过对 100% 的单个片式电阻器进行广泛的测试程序和光学检查来验证确定的生产结果。这包括全面筛选以消除有早期失效潜在风险的产品(适用于 R ≥ 10 Ω)。只有合格的产品才会按照 IEC 60286 3,类型 1a (1) 直接放入胶带中。
    • 1+

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      ¥1.98
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  • 有货
  • N沟道,30V,6A,0.028Ω@10V
    数据手册
    • 1+

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    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • 该LED采用了砷化镓上的镓铝砷 (GaAlAs on GaAs) 双异质结 (DH) 技术。这种深红色LED可在很宽的驱动电流范围内使用。它可以采用直流或脉冲驱动,以实现所需的光输出。采用透明5mm封装,可在非常窄的视角下提供超过2000mcd的极高光强度。
    • 1+

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      ¥1.99
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    • 1000+

      ¥1.28
  • 有货
  • 具有先进脉冲负载能力的碳膜MELF电阻器,是保护带有信号和电源输入线路的电路免受浪涌脉冲影响的理想选择。该电阻器还适用于暴露在高电磁干扰或静电放电环境中的电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5948
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      ¥2.116
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      ¥1.1896
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      ¥1.1212
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构耐硫,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证
    数据手册
    • 1+

      ¥2.71
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      ¥2.17
    • 30+

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      ¥1.45
  • 有货
  • 特性:非常低的外形-典型高度为1.0mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    • 1+

      ¥2.81
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      ¥1.35
  • 有货
  • N沟道,30V,35A,8mΩ@4.5V
    数据手册
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      ¥2.8199
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      ¥2.2827
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  • 有货
  • TSML1000是一款采用GaAlAs多量子阱(MQW)技术的红外发光二极管,发射波长为940 nm,具有高辐射功率和高速性能。它采用透明无色塑料封装(带透镜),适用于表面贴装(SMD)。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.88
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  • 有货
  • N沟道,8V,6A,0.017Ω@4.5V
    数据手册
    • 1+

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      ¥2.33
    • 30+

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  • 有货
  • 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本(IRFU、SiHFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5 W。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.02
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  • 有货
  • VEMT2523SLX01是一款采用微型侧视表面贴装封装(SMD)的硅NPN外延平面光电晶体管,带有透明环氧树脂圆顶透镜。该器件对可见光和近红外辐射敏感。
    数据手册
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      ¥1.93
  • 有货
  • 特性:沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:负载开关、适配器开关-笔记本电脑
    数据手册
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  • 有货
  • 金属玻璃釉电阻
    数据手册
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      ¥2.56
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      ¥2.26
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  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
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      ¥2.61
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  • 有货
  • SiP32431和SiP32432是具有极低泄漏电流和静态电流的斜率控制高侧开关,并具备反向阻断能力。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET,支持高达1.4A的连续电流。它们的工作输入电压范围为1.5V至5.5V。这些器件具有低输入逻辑电平,可以与来自微处理器的低控制电压接口。SiP32431采用高电平使能控制,而SiP32432采用低电平使能控制。两种器件都具有非常低的工作电流,在3.3V电源下通常为10pA。SiP32431和SiP32432提供无铅封装选项,包括6引脚SC-70-6和4引脚TDFN 4 1.2 mm x 1.6 mm DFN4封装。工作温度范围指定为-40°C至+85°C。紧凑的封装选项、工作电压范围以及低工作电流使其非常适合电池供电应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
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  • 有货
  • 生产严格控制,遵循一套广泛的指令以确保可重复性。在高级(Al2O3)陶瓷基板上沉积金属陶瓷膜层和玻璃覆盖层,其两侧有预制内部触点。使用特殊激光对电阻层进行平滑微调以达到目标值,同时不损坏陶瓷。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候防护。终端进行最后的纯锡镀镍处理。通过对100%的单个芯片电阻进行广泛测试程序来验证确定生产的结果。只有合格的产品才会按照IEC 60286 3 Type 1a和Type 2a(1)直接放入胶带中。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
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    • 30+

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    • 1000+

      ¥1.72
  • 有货
  • 高性能单刀双掷模拟开关,适用于1.65V至5.5V操作电压,具有低导通电阻和快速切换速度。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.47
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  • 有货
  • N沟道 100V 4.3A
    数据手册
    • 1+

      ¥3.59
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  • 有货
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    • 1000+

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  • 有货
  • 特性:低等效串联电阻(ESR)。100%浪涌电流测试。加速电压调节。高纹波电流能力。高体积效率。在工作温度、电压和频率范围内电容稳定。应用:去耦、平滑、滤波。无线网卡中的大容量储能
    数据手册
    • 1+

      ¥3.66
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    • 500+

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    • 1000+

      ¥1.88
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构耐硫,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证
    数据手册
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

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    • 30+

      ¥2.78
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      ¥2.41
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      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • P沟道,-20V,-35A,0.0087Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
    • 10+

      ¥3.1
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.32
    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾放,并且由于用于散热的加大焊片,具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中,功率耗散可能超过1.25W。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.88
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  • 有货
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    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥2.74
    • 100+

      ¥2.33
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.32
    • 10+

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    • 500+

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    • 1000+

      ¥2.34
  • 有货
  • 特性:模制高温封装。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.001 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。采用固态金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低TCR(<20 ppm/°C)。极低电感:0.5 nH至5 nH。出色的频率响应至50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证
    数据手册
    • 1+

      ¥4.33
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