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封装：TSSOP-20

八进制总线收发器。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入和输出引脚施加0V至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池等）而导致的器件损坏。

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型号：MC74VHCT14ADR2G 编号：C904207

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT14A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。其引脚配置和功能与MC74VHCT04A相同，但输入具有迟滞特性，凭借施密特触发器功能，VHCT14A可用作能接收缓慢输入信号的线路接收器

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型号：74VHCT14PW,118 编号：C549166

封装：TSSOP-14

品牌：Nexperia(安世)

是高速硅栅CMOS器件，与低功耗肖特基TTL（LSTTL）引脚兼容，符合JEDEC标准7A。提供六个带施密特触发器功能的反相缓冲器，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。

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型号：MC74VHCT125ADTRG 编号：C233552

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT125A 是高速 CMOS 四路总线缓冲器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。MC74VHCT125A 需要将 3 态控制输入 (OEbar) 设置为高电平才能将输出置于高阻抗状态。VHCT 输入与 TTL 电平兼容。此器件具有全 5V CMOS 电平输出摆幅，可用作电平转换器，将 3.3V 联接至 5.0V。VHCT125A 输入结构在应用 0 V 至 5.5 V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。输入耐压达 7V，支持 5V 系统到 3V 系统的接口。

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型号：74VHCT541AMTCX 编号：C903433

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHCT541A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS器件。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。VHCT541A是一款八进制缓冲器/线路驱动器，旨在用作存储器和地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的发送器/接收器

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型号：74VHCT540AFT(BE) 编号：C2975841

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。当G1或G2为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT245AMTCX 编号：C903431

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHCT245A 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线收发器。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。VHCT245A 用于数据总线之间的双向异步通信

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型号：74VHCT541AFT(BJ) 编号：C6423716

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。当G1或G2为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT244AMTCX 编号：C6154

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHCT244A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。VHCT244A是一款同相三态缓冲器，具备两个低电平有效的输出使能端

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型号：MC74VHCT245ADTG 编号：C897461

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT245A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

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型号：74VHCT04AFT(BJ) 编号：C7421302

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS反相器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V可应用于输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT541BQ,115 编号：C549179

封装：DHVQFN-20-EP(2.5x4.5)

品牌：Nexperia(安世)

是高速硅栅CMOS器件。是具有三态总线兼容输出的八进制同相缓冲器/线路驱动器。三态输出由输出使能输入OE0和OE1控制。OEIn为高电平时，输出呈现高阻抗关断状态。

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型号：74VHCT125AFT(BE) 编号：C7421303

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：74VHCT126AFT(BE) 编号：C7421305

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：74VHCT00AFT(BE) 编号：C5331516

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

Quad 2- Input NAND Gate 是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT573AFT(BJ) 编号：C5331520

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT244AFT(BJ) 编号：C7421308

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT04AMTCX 编号：C8192

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHCT04A是采用硅栅CMOS技术制造的高级高速CMOS反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。内部电路由包括缓冲输出的三级组成，提供高抗噪性和稳定输出。保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0V至7V的电压，在VCC = 0V时，输出引脚也可承受相应电压。这些电路可防止因电源和输入/输出电压不匹配而损坏器件。该器件可用于3V至5V系统以及电池备用等双电源系统的接口。

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型号：MC74VHCT08ADTR2G 编号：C233479

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT08A 是一款采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入与门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性

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型号：74VHCT240AFT(BE) 编号：C7421306

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：MC74VHCT125ADR2G 编号：C904199

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT125A是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四路总线缓冲器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

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型号：TC74VHCT245AFK(E,K) 编号：C5350394

封装：VSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。用于数据总线之间的双向异步通信，数据传输方向由DIR输入电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容，可作为3.3V至5V系统的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚，这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）导致的器件损坏。

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型号：TC74VHCT125AFK(E,K) 编号：C5381655

封装：VSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高速CMOS四总线缓冲器，采用硅栅MOS技术制造。能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗。TC74VHCT125A需要将三态控制输入G(overline)设置为高电平，以使输出进入高阻抗状态；而TC74VHCT126A需要将控制输入G设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V的电压可施加到输入和输出引脚。其结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT125AFT(BJ) 编号：C7421304

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：74VHCT573AFT(BE) 编号：C5331519

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT9541AFT 编号：C5346744

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制通用施密特缓冲器，具有三态输出。采用硅栅CMOS技术制造，结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输入电压与TTL输出电压兼容，可作为3.3V至5V系统的电平转换器。输出可通过在使能（G(overline)）输入上施加逻辑高电平置于高阻抗状态。CONT输入决定数据的逻辑反转，逻辑低电平使器件配置为反相器，逻辑高电平使其配置为缓冲器。所有输入在正向和负向阈值之间具有滞后，能够对缓慢变化的输入信号进行整形，并提供改进的抗噪能力。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V可施加到输入和输出引脚，防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份等）导致的器件损坏。

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