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TPS2H160-Q1 具有可调节电流限制的 40V、160mΩ、2 通道汽车类智能高侧开关

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型号：TPS25940ARVCR 编号：C2653873

封装：WQFN-20-EP(3x4)

TPS25940 具有反向电流阻断功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A 电子保险丝

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型号：NX5P3090UKZ 编号：C3215603

封装：WLCSP-12(1.65x1.35)

品牌：NXP(恩智浦)

NX5P3090是一款用于USB PD应用的精密可调限流电源开关。该器件包含欠压锁定、过温保护和反向电流保护电路，在发生故障时可自动隔离开关端子。VBUS引脚29V的耐压能力确保该器件能够在USB PD端口上工作；电流限制输入（ILIM）引脚用于定义过流限制阈值；开漏故障输出（FAULT）用于指示故障发生情况

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型号：TPS27S100BPWPR 编号：C2680365

封装：HTSSOP-14-EP

TPS27S100 具有可调节电流限制的 40V、80mΩ、4A、单通道工业高侧开关

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型号：BSP762TXUMA1 编号：C2653781

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：MP5016HGQH-Z 编号：C3037612

封装：QFN-10(1.5x2)

品牌：MPS(芯源)

MP5016H是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。MP5016H还能保护输入端，防止来自输出端的意外短路和瞬态影响。启动期间，通过限制输出端的压摆率来限制浪涌电流。压摆率由DV/DT引脚设置和MODE引脚设置控制。输出端的最大负载采用限流设计。限流值由连接在ILIMIT和GND之间的外部电阻控制。当ILIMIT引脚悬空时，存在一个固定的2.5A限流值。输出电压由输出过压保护（OVP）功能限制。钳位电压可通过MODE连接进行设置。MP5016H提供一个GATE驱动信号，连接到外部N沟道MOSFET的栅极，当IC处于禁用、电源关闭或热关断状态时，可阻止电流从输出端流向输入端。MP5016H采用QFN - 10（1.5mmx2mm）封装。

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型号：TPS2592AADRCR 编号：C458564

封装：VSON-10-EP(3x3)

TPS2592AA 4.5V 至 13.8V、28mΩ、2A 至 3.7A 电子保险丝

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型号：VND5T100AJTR-E 编号：C2688487

封装：LSOP-12-150mil

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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型号：TPS16412DRCR 编号：C7471768

封装：VSON-10(3x3)

TPS1641 具有输出功率限制功能的 2.7V 至 40V、152mΩ、1.8A 电子保险丝

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型号：TPS1HB08AQPWPRQ1 编号：C3019223

封装：HTSSOP-16

TPS1HB08-Q1 具有可调节电流限制的 40V、8mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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型号：LM74700QDDFRQ1 编号：C3236229

封装：TSOT-23-8

LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

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型号：VNP10N07-E 编号：C263001

封装：TO-220

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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型号：TPS281C100ADNTR 编号：C22428312

封装：WSON-12-EP(4x4)

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型号：BTS723GW 编号：C67625

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌智能高边开关

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型号：LTC4352IMS#PBF 编号：C688184

封装：MSOP-12-0.65mm

具监视功能的低电压理想二极管控制器

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型号：L9825TR 编号：C2680330

封装：SOIC-20-EP-11mm

用于电阻和电感负载的八通道低侧驱动器，具有串行/并行输入控制、输出保护和诊断

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型号：LTC4359HMS8#PBF 编号：C580868

封装：MSOP-8

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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型号：LM74930QRGERQ1 编号：C22428070

封装：VQFN-24-EP(4x4)

理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟理想二极管整流器和电源路径的通断控制，并具有过流和过压保护功能。4V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。该器件可以承受低至 -65V的负电源电压，并保护负载。集成的高端栅极控制（HGATE）驱动电源路径中的第一个MOSFET

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型号：TPS274C65ASHRHAR 编号：C36619787

封装：VQFN-40(6x6)

是一款具有串行接口(SPI)控制功能的四通道智能高侧开关，旨在满足工业控制系统的要求。72mΩ的低RpsON可更大限度减少器件功耗，即使提供大的输出负载电流时也是如此。该器件集成了保护和诊断功能，可确保即使在发生短路或负载故障等不利事件时也能提供系统保护。该器件通过可靠的电流限值提供负载保护，电流限值在250mA至2.45A范围内可调，可在任何输出负载电流下提供保护

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型号：TDE1747FP 编号：C1556717

封装：SO-14

接口电路 - 继电器和灯驱动器

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型号：LTC4415EDHC#TRPBF 编号：C688490

封装：DFN-16-EP(3x5)

具可调电流限值的双通道 4A 理想二极管

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型号：LTC4357MPMS8#PBF 编号：C580865

封装：MSOP-8

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：TPS25840QWRHBTQ1 编号：C1849493

封装：VFQFN-32-EP(5x5)