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TPS1H100-Q1 具有可调节电流限制的 40V、100mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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型号：ADP191ACBZ-R7 编号：C659019

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

ADP190/ADP191是高端负载开关，设计用于1.1 V至3.6 V的工作电压。这些负载开关可为电源域提供隔离，以延长电池续航时间

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型号：VN5E160STR-E 编号：C2149863

封装：SO-8

单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BSP762TXUMA1 编号：C2653781

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 与电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：MP5087AGG-Z 编号：C17288055

封装：QFN-12(2x2)

品牌：MPS(芯源)

MP5087A是一款负载开关，旨在为0.5V至5.5V电压范围内的负载提供7A的保护。MP5087A采用小型封装，具有低导通电阻（RDSON），可为笔记本电脑、平板电脑和其他便携式应用提供高效且节省空间的解决方案。凭借软启动功能，MP5087A可避免电路启动时的浪涌电流

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型号：BSP752TXUMA1 编号：C112637

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：MP5016HGQH-Z 编号：C3037612

封装：QFN-10(1.5x2)

品牌：MPS(芯源)

MP5016H是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。MP5016H还能保护输入端，防止来自输出端的意外短路和瞬态影响。启动期间，通过限制输出端的压摆率来限制浪涌电流。压摆率由DV/DT引脚设置和MODE引脚设置控制。输出端的最大负载采用限流设计。限流值由连接在ILIMIT和GND之间的外部电阻控制。当ILIMIT引脚悬空时，存在一个固定的2.5A限流值。输出电压由输出过压保护（OVP）功能限制。钳位电压可通过MODE连接进行设置。MP5016H提供一个GATE驱动信号，连接到外部N沟道MOSFET的栅极，当IC处于禁用、电源关闭或热关断状态时，可阻止电流从输出端流向输入端。MP5016H采用QFN - 10（1.5mmx2mm）封装。

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型号：TPD2007F(EL,F) 编号：C114443

封装：SOP-24

品牌：TOSHIBA(东芝)

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型号：DRV120APWR 编号：C701771

封装：TSSOP-14

DRV120 具有电流调节功能的 DRV120 单通道继电器、电磁阀、低侧驱动器

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型号：VNQ5050KTR-E 编号：C503098

封装：SOP-24-EP-300mil

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：TPS281C100ADNTR 编号：C22428312

封装：WSON-12-EP(4x4)

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型号：VNQ5050AKTR-E 编号：C492342

封装：SSOP-24

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：MP4316GRE-Z 编号：C3726292

封装：QFN-20(4x4)

品牌：MPS(芯源)

MP4316 是一款频率可配置的同步降压开关转换器，集成了内部高端和低端功率 MOSFET（分别为 HS-FET 和 LS-FET）。它采用电流控制模式实现快速环路响应，可提供高达 6A 的高效连续输出电流（IOUT）。3.3V 至 45V 的宽输入电压（VIN）范围适用于汽车输入环境中的各种降压应用。该器件 1.7μA 的关断电流（ISD）使其非常适合电池供电应用。MP4316 在整个负载范围内均具有较高的功率转换效率。先进异步调制（AAM）模式通过降低开关频率（fSW）来减少开关和栅极驱动损耗，从而在轻载条件下实现高效率。漏极开路电源正常（PG）信号指示输出电压是否在其标称电压的 95%至 105%之间。高占空比和低压差（LDO）模式使该器件能够承受汽车冷启动条件。全面的保护功能包括频率折返（防止启动期间电感电流（IL）失控）、带打嗝模式的过流保护（OCP）以及热关断功能，确保可靠的容错运行。MP4316 采用 QFN - 20（4mmx4mm）封装。

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￥29.5749
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型号：LTC4359HMS8#PBF 编号：C580868

封装：MSOP-8

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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型号：VNQ5160K-E 编号：C1556602

封装：PowerSSO-24

用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护设备免受低能量尖峰的影响。在STAT_DIS悬空或驱动为低电平时，设备可在导通和关断状态下检测到开路负载情况。在关断状态下可检测到输出短路到VCC的情况。当STAT_DIS驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载情况下保护设备。在长时间过载的情况下，设备会将耗散功率限制在安全水平，直至热关断介入。具有自动重启功能的热关断可使设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。

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型号：LTC4359IDCB#TRMPBF 编号：C580869

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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型号：LTC4359HS8#PBF 编号：C1523986

封装：SO-8

LTC4359是一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路，快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低

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型号：LTC4357MPMS8#PBF 编号：C580865

封装：MSOP-8

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：TPS25840QWRHBTQ1 编号：C1849493

封装：VFQFN-32-EP(5x5)

TPS25840-Q1 具有 STB 保护和电缆补偿功能的 USB-A SDP/CDP 充电端口转换器

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型号：TPS2065CDBVR 编号：C353882

封装：SOT-23-5

TPS2065C 高电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 1A 负载、4.5-5.5V、86mΩ USB 电源开关

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型号：TPS2069CDBVR 编号：C181752

封装：SOT-23-5