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封装：PDIP-18

采用 BiCMOS 技术制造的 MIC5841/5842 集成电路，可广泛应用于各种外设功率驱动场景。这两款器件均配备一个 8 位 CMOS 移位寄存器、CMOS 控制电路、8 个 CMOS 数据锁存器和 8 个双极型电流吸收达林顿输出驱动器。这两款器件仅在最大电压额定值上有所不同

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型号：RT9701GB 编号：C112148

封装：SOT-23-5

品牌：RICHTEK(立锜)

RT9701 是一款集成式 100mΩ 功率开关，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（23μA）和小封装（SOT - 23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：SIP32402ADNP-T1GE4 编号：C143660

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32401A和SiP32402A是压摆率可控的负载开关，适用于1.1V至5.5V的工作电压。这些器件可确保在1.2V输入时具有较低的导通电阻。它们具有典型值为2.5ms的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上产生的电压降降至最低

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型号：XC8111AA01MR-G 编号：C3235548

封装：SOT-25

品牌：TOREX(特瑞仕)

搭载理想二极管功能的负载开关(IEC 62368-1认证)

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型号：TPS2514AQDBVRQ1 编号：C2155940

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS2514A-Q1 TPS2514A-Q1 USB 专用充电端口控制器

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型号：TPS22997RYZR 编号：C17286840

封装：WQFN-10-HR(1.5x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22997 具有电源正常指示功能的 5.5V、10A、4mΩ 导通电阻负载开关

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型号：BSP75GQTA 编号：C174046

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

BSP75GQ是一款自保护型低端MOSFET。它具备单片过热、过流、过压（有源钳位）和静电放电保护的逻辑电平功能。该器件可作为通用开关使用

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型号：TPS2557QDRBRQ1 编号：C2150199

封装：SON-8-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2557-Q1 高电平有效的汽车类 0.5-5A 可调节 ILIMIT、2.5-6.5V、22mΩ USB 电源开关

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型号：TPS2062DGNR 编号：C2680326

封装：MSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS2062 低电平有效的 2 通道、1A 负载、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关

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型号：TPS1HB16AQPWPRQ1 编号：C880346

封装：HTSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

TPS1HB16-Q1 具有可调节电流限制的 40V、16mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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型号：FPF2004 编号：C463263

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2000 至 FPF2007 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件包含一个 0.7 Ω 限流 P 沟道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5 V 的输入电压范围内工作。开关控制通过一个逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低压控制信号接口。每个器件都包含热关断保护功能，当持续过流情况导致过热时，会关闭开关以防止器件损坏。当开关电流达到限流值时，器件将以恒流模式工作，以防止过大电流造成损坏。对于 FPF2000 - FPF2002 和 FPF2004 - FPF2006，如果恒流情况在 10ms 后仍然存在，这些器件将关闭开关并将故障信号引脚（FLAGB）拉低。FPF2000、FPF2001、FPF2004 和 FPF2005 具有自动重启功能，如果 ON 引脚仍然有效，将在 80 ms 后再次打开开关。FPF2002 和 FPF2006 没有此自动重启功能，因此开关将保持关闭状态，直到 ON 引脚进行一次开关操作。对于 FPF2003 和 FPF2007，限流情况将立即将故障信号引脚拉低，并且器件将保持在恒流模式，直到开关电流降至限流值以下。对于 FPF2000 至 FPF2003，最小限流值为 50 mA，而 FPF2004 至 FPF2007 的最小限流值为 100 mA。这些器件采用节省空间的 5 引脚 SC - 70 封装。FPF2000 - FPF2007 是限流开关，可保护可能因大电流应用而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.7 Ω 的 P 沟道 MOSFET 和一个控制器，该控制器能够在 1.8 - 5.5 V 的宽输入工作范围内工作。控制器通过限流、欠压锁定和热关断功能防止系统故障。限流值预设为 50 mA 或 100 mA。

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型号：NCV8461DR2G 编号：C154603

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8461 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。诊断输出会报告关断状态开路负载情况和高温关断。

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型号：MP5094GJ-Z 编号：C3236222

封装：TSOT-23-8

品牌：MPS(芯源)

MP5094是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。MP5094还能保护输入端免受来自输出端的意外短路和瞬态影响。MP5094是一款导通电阻（RDS(ON)）小、静态电流低的双通道限流开关

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型号：TPS2421-1DDA 编号：C1553994

封装：SO-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2421-1 3V 至 20V、33mΩ、1.8A 至 5.5A 电子保险丝

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型号：LM74801QDRRRQ1 编号：C2873366

封装：WSON-12-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

LM7480-Q1 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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型号：LM74700QDDFRQ1 编号：C3236229

封装：TSOT-23-8

品牌：TI(德州仪器)

LM74700-Q1 3.2V 至 65V、80uA IQ 汽车理想二极管控制器

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型号：TPS2412PWR 编号：C544906

封装：TSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2412 0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、292uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器

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型号：VN750PSTR-E 编号：C155579

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

VN750PS-E是一款采用VIPower M0-3技术设计的单片式器件，旨在驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：TPS2082DR 编号：C1879945

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2082 使能端低电平有效的 2 通道、5.5V、0.7A、80mΩ 负载开关

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型号：TPS274160BRLHR 编号：C2797257

封装：QFN-28-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS274160 具有可调节电流限制的 36V、160mΩ、1.35A、4 通道工业高侧开关

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型号：TPS27S100ARRKR 编号：C1849485

封装：WQFN-16-EP(3.5x4)

品牌：TI(德州仪器)

TPS27S100 具有可调节电流限制的 40V、80mΩ、4A、单通道工业高侧开关

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型号：VN5025AJTR-E 编号：C2150134

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

VN5025AJ - E 是一款采用 VIPower 技术 VCC 制造的单片器件。它用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。有源电压钳位可保护器件免受低能量尖峰的影响（见 ISO7637 瞬态兼容性表）

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型号：DRV2700RGPT 编号：C2150456

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV2700 采用 QFN 封装且具有集成式 105V 升压转换器的工业压电式驱动器

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型号：TPS272C45DRHFR 编号：C3219943

封装：VQFN-24(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS272C45 具有可调节电流限制的 36V、45mΩ、3A、2 通道工业高侧开关

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型号：MAX17615ATB+ 编号：C17246584

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：强大的保护功能，减少系统停机时间。宽输入电源范围：4.25V 至 60V。热插拔耐受，在高达 35V 输入电源下无需 TVS。应用：传感器系统

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￥28.89
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￥26.832 ￥27.95

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型号：L93PI 编号：C262916

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L93PI是一款采用先进的Multipower - BCD技术实现的单片集成四路低边驱动器。它旨在驱动汽车或工业应用中的线路、灯具或继电器。L93PI是一款用于汽车和工业应用中线路、灯具或感性负载的四路低边驱动器

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1+
￥33.9654 ￥80.87
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￥25.5392 ￥79.81
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￥17.1556 ￥77.98
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￥16.8036 ￥76.38

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型号：LTC4355CS#PBF 编号：C688206

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性

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1+
￥48.75
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￥47.56
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￥46.77
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￥45.0506 ￥45.97

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型号：ISO8200BQ 编号：C1235455

封装：TFQFPN-32(9x11)

品牌：ST(意法半导体)

电流隔离八通道高侧智能功率固态继电器

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￥56.66
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￥48.25
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￥43.13

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型号：LTC4372IDD#PBF 编号：C7455810

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

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￥54.9486 ￥56.07

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型号：MAX6499ATA+T 编号：C7543712

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6495-MAX6499 是一系列小型、低电流的过压保护电路，适用于汽车和工业应用中常见的高电压瞬态系统。这些设备监测输入电压，并在输入过压情况下控制外部 nMOSFET 开关以隔离输出负载。这些设备的工作电源电压范围很宽，从 5.5V 到 72V。当被监测的输入电压低于用户可调的过压阈值时，nMOSFET 的栅极被驱动到高电平。一个集成的电荷泵电路提供 10V 的栅源电压以完全增强 nMOSFET。当输入电压超过用户调整的过压阈值时，MOSFET 的栅极迅速被拉低，从而断开负载与输入之间的连接。在某些应用中，断开输出与负载的连接是不希望的。在这种情况下，保护电路可以配置为电压限制器，其中 GATE 输出呈锯齿状以限制负载上的电压（MAX6495/MAX6496/MAX6499）。MAX6496 支持更低的输入电压，并通过用外部串联 pMOSFET 替换外部反向电池二极管来减少功率损耗。MAX6496 生成适当的偏置电压以确保 pMOSFET 在正常操作期间导通。在负载突降条件下，栅源电压被箝位，在反向电池条件下，pMOSFET 关断。MAX6497/MAX6498 具有一个开漏、未指定用途的比较器，如果输出低于编程阈值，该比较器会通知系统。MAX6497 会使 MOSFET 开关保持关断状态，直到输入电源或 SHDN 引脚重新上电。MAX6498 会在 VOVSET 低于 130mV 时自动重试。这些设备采用小型、热增强型 6 引脚和 8 引脚 TDFN 封装，工作温度范围从 -40°C 到 +125°C。

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