美信功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BSP752R 编号：C112644

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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1+
￥9.57
10+
￥8.02
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￥7.05
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￥6.06

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型号：VNS3NV04DPTR-E 编号：C146561

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：E-L9826TR 编号：C155567

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

用于电阻和电感负载的八通道低侧驱动器，具有串行/并行输入控制、输出保护和诊断

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型号：BSP752TXUMA1 编号：C112637

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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￥12.1
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型号：TPS12110AQDGXRQ1 编号：C17666597

封装：VSSOP-19

品牌：TI(德州仪器)

TPS1211-Q1 具有保护和诊断功能的汽车用 3.5V 至 40V 高侧驱动器

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￥23.12
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型号：TPS25833QWRHBTQ1 编号：C2156061

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS25833-Q1 具有电缆补偿和热折返功能的 USB Type-C、DCP 充电端口转换器

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1+
￥23.21
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型号：BTS441TG 编号：C534782

封装：TO-263-5

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能

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型号：TPS274C65ASRHAR 编号：C19267652

封装：VQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：VNQ5160K-E 编号：C1556602

封装：PowerSSO-24

品牌：ST(意法半导体)

用于驱动一侧接地的电阻性或电感性负载。有源VCC引脚电压钳位可保护设备免受低能量尖峰的影响。在STAT_DIS悬空或驱动为低电平时，设备可在导通和关断状态下检测到开路负载情况。在关断状态下可检测到输出短路到VCC的情况。当STAT_DIS驱动为高电平时，STATUS引脚处于高阻抗状态。输出电流限制可在过载情况下保护设备。在长时间过载的情况下，设备会将耗散功率限制在安全水平，直至热关断介入。具有自动重启功能的热关断可使设备在故障条件消失后立即恢复正常运行。

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￥23.955 ￥31.94

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型号：TPS2065CDBVR 编号：C353882

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2065C 高电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 1A 负载、4.5-5.5V、86mΩ USB 电源开关

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5+
￥0.6705
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￥0.5285
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型号：LP5308QVF 编号：C19193719

封装：DFN-8

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP5308是一款电源开关器件，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，过压保护（OVP）功能会切断VIN和VOUT之间的连接

5+
￥0.7321
50+
￥0.5756
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￥0.4386
2500+
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型号：TPU2013CSP4 编号：C42449044

封装：CSP-4L(1x1)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这是一款采用超低导通电阻 MOSFET 的单通道负载开关。它专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计

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￥0.901664 ￥1.1864
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￥0.702544 ￥0.9244
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￥0.61712 ￥0.812
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￥0.510644 ￥0.6719
3000+
￥0.46322 ￥0.6095
6000+
￥0.43472 ￥0.572

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型号：LM66100DCKT 编号：C2832141

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

LM66100 具有集成式 FET 的 1.5V 至 5.5V、1.5A、0.5μA IQ 理想二极管

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￥1.165
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￥0.9169
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型号：RS2583YH6 编号：C42459545

封装：SOT-23-6

品牌：RUNIC(润石)

是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。是一款经济高效、低电压、单P沟道MOSFET负载开关，RDS(ON)为70mΩ，无寄生体二极管，无反向输入输出泄漏电流。当输出电压高于输入电压时，内部输出反向电压保护器会关闭电源开关。具备多种保护功能，包括限流和热关断，以防止在连续重载或短路时因功耗增加而导致开关灾难性故障。FLAG是一个开漏输出，用于报告过流或过温事件，典型消隐时间为13ms。此外，FLAG还以典型5ms消隐时间报告输出反向电压状况。采用绿色SOT23-6封装，工作温度范围为-40℃至85℃。

5+
￥1.2999
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￥1.0227
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￥0.9039
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￥0.7557
3000+
￥0.6897

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型号：RS2580XTDE8 编号：C5372478

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：RUNIC(润石)

单通道负载开关，可配置上升时间以最大程度降低浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内工作，最大连续电流支持 6A。该开关由通断输入（ON）控制，能够直接与低压控制信号接口

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5+
￥1.3927
50+
￥1.0399
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￥0.8887
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￥0.7

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型号：AP2171FMG-7 编号：C780753

封装：DFN2018-6-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2161和AP2171是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入有两种极性可选。

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5+
￥1.4003
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￥1.1432
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￥1.033
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型号：WS3222D-8/TR 编号：C239703

封装：WDFN-8-EP(2x2)

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3222是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压可调。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压

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5+
￥1.7134
50+
￥1.3526
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￥1.198
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￥1.005

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型号：TPS2068EDBVR 编号：C35243661

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS20xxE配电开关系列产品用于诸如USB等有可能遇到高容性负载和短路的应用。此系列为需要1.5A或2A负载的应用提供固定限流阈值，并在不同封装中提供高电平或低电平使能极化选项。

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5+
￥1.7347
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￥1.3614
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￥1.2013
500+
￥1.0017

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型号：NCP380HMU05AATBG 编号：C463144

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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1+
￥1.8282 ￥2.77
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￥1.3888 ￥2.48
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￥1.0718 ￥2.33
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￥1.0074 ￥2.19
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￥0.943 ￥2.05

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型号：XL2026-2 编号：C968674

封装：SOP-8

品牌：XINLUDA(信路达)

PMIC - 配电开关，负载驱动器电源开关/驱动器 1：2 N 通道 1.25A

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￥1.97
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￥1.71
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￥1.61
100+
￥1.47
500+
￥1.45
1000+
￥1.42

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型号：AP22804AW5-7 编号：C3001659

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线 (USB) 和其他热插拔应用进行了优化。该系列设备符合 USB 标准，使能输入具有两种极性。该设备具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，可确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路风险的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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