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TPS2561A 高电平有效的双通道、0.25-2.8A 可调节ILIMIT（可实现 2.3±0.2A 设置）、2.5-6.5V、44mΩ USB 电源开关

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型号：BTS7012-2EPA 编号：C534834

封装：TSDSO-14

BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：VN5E160MSTR-E 编号：C2970580

封装：SOIC-8

支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：VND5E160MJTR-E 编号：C495255

封装：PowerSSO-12

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：VN750PSTR-E 编号：C155579

封装：SOIC-8

VN750PS-E是一款采用VIPower M0-3技术设计的单片式器件，旨在驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：ITS4142N 编号：C152406

封装：SOT-223

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型号：BTS70061EPZXUMA1 编号：C3232304

封装：SOIC-14-EP

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型号：VND7020AJTR 编号：C454195

封装：PowerSSO-16

具有MultiSense模拟反馈的双通道高边驱动器，可用于汽车应用

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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型号：TPS1HA08CQPWPRQ1 编号：C2149949

封装：HTSSOP-16-EP

TPS1HA08-Q1 具有可选择电流限制的 40V、8mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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型号：VND5N07-E 编号：C1519162

封装：TO-252(DPAK)

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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型号：VND5050AJTR-E 编号：C2680431

封装：PowerSSO-12

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器

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型号：TPM1525-SO1R-S 编号：C37989271

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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型号：TLE75080ESHXUMA1 编号：C1882557

封装：TSDSO-24

全新集成式 SPIDER+ 系列包含 9 款可进行价值扩展的产品。简化后的产品组合包括 2 款低侧（8 + 4 通道）、2 款高侧（8 通道）和 5 款灵活器件（8 通道），最多具备 6 个可配置通道

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型号：STMPS2252TTR 编号：C2965318

封装：MSOP-8-EP

STMPS2242/2252/2262/2272电源分配开关适用于可能遇到大电容负载和短路情况的应用。这些器件集成了100 mΩ的MOSFET高端电源开关，适用于需要在单个封装中集成多个电源开关的电源分配系统。每个开关由独立的逻辑使能输入控制

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型号：VNP20N07-E 编号：C501116

封装：TO-220

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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型号：VND5050AK-E 编号：C1556623

封装：PowerSSO-24

VND5050AJ - E、VND5050AK - E 是采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower M0 - 5 技术制造的单片器件。它用于驱动一侧接地的阻性或感性负载。有源 VCC 引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响（见 ISO7637 瞬态兼容性表）

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型号：TPS2010AD 编号：C1556686

封装：SOIC-8

TPS2010A 5.5V、0.3A、35mΩ 负载开关

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型号：L6375S 编号：C1556610

封装：SOIC-8

L6375S是一款采用多功率BCD技术的单片智能功率开关，用于驱动电感、电容或电阻性负载，具备可控的输出电压转换速率和短路保护功能。内部钳位二极管可实现电感负载的快速消磁。用于CPU反馈的诊断功能以及广泛的电气保护措施，使该器件性能可靠，适用于工业自动化应用

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型号：LTC4357CMS8#PBF 编号：C107961

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：TDE1707BFP 编号：C1556580

封装：SO-8

TDE1707BFP是一款0.5A集成电源开关，具备高达48V的电源供电能力。有两种输出配置可供选择：负载接地。

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型号：BTS50162EKAXUMA1 编号：C2680404

封装：DSO-14-EP

BTS5016 - 2EKA是一款导通电阻为16 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - DSO14 - 40 - EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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型号：PTPS482H85BQCHURQ1 编号：C47018321

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型号：VN9D30Q100FTR 编号：C3225491

封装：QFN-32(6x6)

适用于汽车应用的具有 24 位 SPI 接口的 6 通道高侧驱动器

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型号：LTC4357HDCB#TRPBF 编号：C688219

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：MAX14699EWC+T 编号：C2156270

封装：WLP-12

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

High-Accuracy, Surge-Protected Overvoltage Protectors

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型号：SM74611KTTR 编号：C181638

封装：D2PAK(TO-263)