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TPS22916 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关

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型号：VND7050AJTR 编号：C443997

封装：PowerSSO-16

具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器

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￥4.91
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型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：ADP196ACBZ-R7 编号：C459925

封装：WLCSP-6(1x1.4)

品牌：ADI(亚德诺)

5V、3A逻辑控制的高端电源开关

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型号：VNLD5160TR-E 编号：C377942

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：TPS2111APWR 编号：C471060

封装：TSSOP-8

TPS2111A 具有手动和自动切换功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器

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型号：BTS3046SDL 编号：C534754

封装：TO-252-3

BTS3046SDL是一款采用PG-TO252-3-11封装的单通道低端MOSFET功率开关，具备内置保护功能。该器件将N沟道垂直功率场效应晶体管与内置保护功能进行了单片集成。

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型号：TPS274160ARLHR 编号：C2873565

封装：WQFN-28(4x5)

TPS274160 具有可调节电流限制的 36V、160mΩ、1.35A、4 通道工业高侧开关

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型号：BTT6050-1EKA 编号：C534867

封装：DSO-14-EP

BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

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型号：BTS3408G 编号：C534770

封装：DSO-8

BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关，用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术（SPT），允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能，并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。

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型号：VN7004CHTR 编号：C2150194

封装：OctaPAK-7

具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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￥10.9
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型号：TPS16412DRCR 编号：C7471768

封装：VSON-10(3x3)

TPS1641 具有输出功率限制功能的 2.7V 至 40V、152mΩ、1.8A 电子保险丝

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￥11.47
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型号：BTS7040-2EPA 编号：C534839

封装：TSDSO-14

BTS7040-2EPA 是一种智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用SMART7技术集成。它适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适用于3.5 A负载和高浪涌电流负载，如P27W+R5W灯或等效电子负载（例如LED模块）。该开关具有高侧配置，并嵌入了保护和诊断功能，包括绝对温度限制和动态温度限制、带有智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下检测开路负载、以及对地和电池短路检测。该设备符合汽车应用标准，满足AEC-Q100 1级标准。

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型号：BSP76 E6433 编号：C501506

封装：SOT-223

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型号：VNQ5160KTR-E 编号：C2680353

封装：PowerSSO-24

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BTT6010-1ERA 编号：C534858

封装：TDSO-14

BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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型号：BTS441RG 编号：C5185777

封装：TO-263-4

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。绿色产品（符合RoHS标准）

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型号：LTC4357HMS8#PBF 编号：C688220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥32.75
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型号：LP5308B6F 编号：C5139783

封装：SOT-23-6

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LP5308是一款电源开关器件，可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET，可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时，过压保护（OVP）功能会切断VIN和VOUT之间的连接

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￥0.6203
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￥0.3153

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型号：TPRT9742CGJ5 编号：C23380926

封装：SOT-23-5

具备软启动功能，可限制插入时的浪涌电流；具备热关断功能，可防止高电流负载导致开关故障；具备欠压锁定 (UVLO) 功能，确保只有在存在有效输入电压时设备才会开启。根据 USB 电源要求，双端口的最大电流通常限制为 3.0A。低静态电流为 35uA，适用于便携式电池供电设备。

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￥0.648945 ￥0.6831
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型号：LPW5209B5F-21 编号：C517266

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关断电时的任何反向电流。其低静态电流（30μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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￥0.6503
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￥0.3238

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型号：SI1865DDL 编号：C5342384

封装：SOT-363

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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￥0.4981
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￥0.4665

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型号：TPGLF72101CSP4 编号：C42449029

封装：CSP-4L(1x1)

是单通道负载开关，带有超低导通电阻MOSFET。专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计。该器件由外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备的自主性。

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￥0.6915
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￥0.5729
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型号：TPS2553DDBVR 编号：C521201

封装：SOT-23-6

TPS2553D 精密可调限流配电开关

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￥0.5726
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￥0.5183

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型号：TPSGM2588CYN5G 编号：C23378019

封装：SOT-23-5

该产品可用于本地USB控制器。附加功能包括软启动，以限制插入时的浪涌电流；热关断功能，防止高电流负载导致开关故障；欠压锁定（UVLO），确保只有在存在有效输入电压时设备才会开启。根据USB电源要求，双端口的最大电流通常限制在3.0A。低静态电流为35uA，使该设备非常适合便携式电池供电设备。

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￥1.0611
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￥0.8394
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￥0.7443
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￥0.6257
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￥0.5729
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￥0.5412

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型号：TPS27081ADDCR-TP 编号：C5380661

封装：SOT-23-6

极低的RDS(on) P沟道负载开关MOSFET；低外形、小尺寸封装；VIN范围1.8至8.0V；ON/OFF范围1.5至8.0V；电平转换MOSFET具有ESD保护；PIN对PIN完全兼容

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￥1.1096
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￥0.8601
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￥0.7532
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￥0.6198
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￥0.5604
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￥0.5248

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型号：TPMAX40203AUK+T 编号：C47117621

封装：SOT-23-5