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ADP199是一款高端负载开关，设计工作电压范围为0.9 V至3.6 V。负载开关可实现电源域隔离，有助于使子系统相互隔离并独立供电，从而降低功耗。ADP199内置低导通电阻的N沟道MOSFET，可将功率损耗降至最低，支持超过500 mA的连续负载电流

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型号：MIC94040YFL-TR 编号：C144244

封装：MLF-4(1.2x1.2)

MIC94040/1/2/3 是一系列高端负载开关，设计用于在 1.7V 至 5.5V 的输入电压下工作。该负载开关的导通元件是一个内部导通电阻（RDSON）为 28mΩ 的 P 沟道 MOSFET，使该器件能够支持高达 3A 的连续电流。此外，该负载开关支持 1.5V 逻辑电平控制和关断功能，采用 1.2mm x 1.2mm 的 4 引脚 MLF 超小型封装

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型号：ITS4100S-SJ-N 编号：C538470

封装：DSO-8

ITS4100S-SJ-N是一款采用PG-DSO-8封装的单通道受保护智能高端NMOS功率开关，具备电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。

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型号：BTS5210L 编号：C534816

封装：DSO-12

采用电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET，具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈，基于智能SIPMOs技术进行单片集成。 ·具备嵌入式保护功能。

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型号：TPS2561ADRCR 编号：C473357

封装：VSON-10-EP(3x3)

TPS2561A 高电平有效的双通道、0.25-2.8A 可调节ILIMIT（可实现 2.3±0.2A 设置）、2.5-6.5V、44mΩ USB 电源开关

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型号：BTS7012-2EPA 编号：C534834

封装：TSDSO-14

BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：MIC2009YM6-TR 编号：C625659

封装：SOT-23-6

MIC20XX系列开关是限流型高端功率开关，专为数字电视（DTV）、打印机、机顶盒（STB）、个人电脑（PC）、个人数字助理（PDA）及其他外围设备中的通用配电和控制而设计。MIC20XX系列的主要功能是限流和功率切换。它们具备热保护功能，当内部温度达到不安全水平时会自动关闭，从而在大电流或故障情况下保护器件和负载

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型号：ITS4142N 编号：C152406

封装：SOT-223

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型号：BTS70061EPZXUMA1 编号：C3232304

封装：SOIC-14-EP

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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型号：TPS1HA08CQPWPRQ1 编号：C2149949

封装：HTSSOP-16-EP

TPS1HA08-Q1 具有可选择电流限制的 40V、8mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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型号：TPM1525-SO1R-S 编号：C37989271

封装：SOP-8

品牌：3PEAK(思瑞浦)

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型号：TLE75080ESHXUMA1 编号：C1882557

封装：TSDSO-24

全新集成式 SPIDER+ 系列包含 9 款可进行价值扩展的产品。简化后的产品组合包括 2 款低侧（8 + 4 通道）、2 款高侧（8 通道）和 5 款灵活器件（8 通道），最多具备 6 个可配置通道

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型号：MIC5800YN 编号：C646767

封装：PDIP-14

MIC5800和MIC5801锁存驱动器是高压、大电流集成电路，由四个或八个CMOS数据锁存器、每个锁存器对应的一个双极达林顿晶体管驱动器，以及用于通用清除（CLEAR）、选通（STROBE）和输出使能（OUTPUT ENABLE）功能的CMOS控制电路组成。双极/ MOS组合提供了一个具有最大接口灵活性的极低功耗锁存器。MIC5800包含四个锁存驱动器；MIC5801包含八个锁存驱动器

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型号：TPS2010AD 编号：C1556686

封装：SOIC-8

TPS2010A 5.5V、0.3A、35mΩ 负载开关

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型号：LTC4357CMS8#PBF 编号：C107961

封装：MSOP-8

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：BTS50162EKAXUMA1 编号：C2680404

封装：DSO-14-EP

BTS5016 - 2EKA是一款导通电阻为16 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - DSO14 - 40 - EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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型号：PTPS482H85BQCHURQ1 编号：C47018321

封装：-

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型号：LTC4357HDCB#TRPBF 编号：C688219

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：MAX14699EWC+T 编号：C2156270

封装：WLP-12

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

High-Accuracy, Surge-Protected Overvoltage Protectors

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型号：SM74611KTTR 编号：C181638

封装：D2PAK(TO-263)

SM74611 0.5V 至 30V 智能旁路二极管

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型号：LTC4357IDCB#TRMPBF 编号：C580863

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：MIC2044-1YTS 编号：C637630

封装：TSSOP-16

MIC2044和MIC2045是高端MOSFET开关，针对需要电路保护的通用配电应用进行了优化。这些器件可在高达5.5V和低至0.8V的电压下进行切换，同时提供可编程电流限制和热关断功能，以保护器件和负载。设有故障状态输出，用于指示过流和热关断故障情况

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型号：MIC2547-2YTS 编号：C637641

封装：TSSOP-16

MIC2546和MIC2547是集成式高端双路电源开关，针对低损耗直流电源开关及其他电源管理应用（包括高级配置与电源接口（ACPI））进行了优化。MIC2546/47是一种高性价比、高度集成的解决方案，只需少量外部组件即可满足USB和ACPI要求。负载电流管理功能包括一个精密电阻可编程输出电流限制器和一个软启动电路，该电路可在开关启用时将浪涌电流降至最低

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型号：MAX4995BAUT+T 编号：C2155763

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装

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型号：MAX16141AAF/V+T 编号：C2653673

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

3.5V至36V理想二极管控制器，带有电压和电流断路器、防止汽车电源受反向电流条件损害，以及下游负载受高电压/电流瞬态损害

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型号：LTC4416IMS#PBF 编号：C580906

封装：MSOP-10

用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器

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￥37.96

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型号：TPS48120QRGERQ1 编号：C43695313

封装：VQFN-23(4x4)

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￥53.83
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￥49.98

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型号：LT4320HDD-1#PBF 编号：C672453

封装：DFN-8-EP(3x3)