ST功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NJW4832KH1-B-TE3 编号：C3655699

封装：DFN-6(2x2)

品牌：Nisshinbo

是单高端开关，可提供0.2A电流。Pch MOS FET内置有源钳位电路、过流和热关断功能。可直接输入逻辑信号（3V/5V）。特别适用于各种PNP型传感器输出模块。FLT逻辑有两种版本：高电平有效（A版本）和低电平有效（B版本）。

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型号：FDC6329L 编号：C10864

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

集成式负载开关,Vdrop=0.2V@Vin=5V，IL=2.8A

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型号：SGM2523AXN6G/TR 编号：C5153396

封装：SOT-23-6

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款具有全套保护功能的紧凑型电子保险丝（eFuse）。宽工作电压范围专为许多流行的直流总线而设计。提供±10%的电流限制精度，适用于广泛的系统保护应用。可编程软启动时间可在加电过程中控制输出电压的转换速率。可保护输入免受来自输出的意外短路和瞬态影响。采用绿色SOT-23-6封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：SL3405S 编号：C2936074

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

该器件能够切换各类阻性、感性和容性负载，受 EAS 和最大电流能力限制。SL3405 为每个 IN 引脚相对于相应源极引脚提供静电放电（ESD）保护。

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型号：TPS25921ADR 编号：C189199

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS25921A 具有自动重试故障响应功能的 4.5V 至 18V、90mΩ、0.4A 至 1.6A 电子保险丝

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型号：TPS22958DGKR 编号：C2680367

封装：VSSOP-8-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

TPS22958 具有可调节上升时间和可选输出放电功能的 5.5V、6A、13mΩ 负载开关

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型号：TPS22965NDSGR 编号：C1848403

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22965 具有可调节上升时间和可选输出放电功能的 5.7V、6A、16mΩ 负载开关

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型号：SGM2521YS8G/TR 编号：C5128659

封装：SOP-8

品牌：SGMICRO(圣邦微)

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型号：TPS2H000AQPWPRQ1 编号：C2653769

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS2H000-Q1 具有可调节电流限制的 40V、1Ω、2 通道汽车类智能高侧开关

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型号：ISP752RFUMA1 编号：C454923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，单片集成嵌入式保护功能。

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型号：TPS2066DR 编号：C130050

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2066 高电平有效的 2 通道、1A 负载、1.5A ILIMIT、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关

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型号：JW7221MSOP#TRPBF 编号：C5356503

封装：MSOP-10

品牌：Joulwatt(杰华特)

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型号：BTS5030-1EJA 编号：C2990798

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5030 - 1EJA是一款导通电阻为30 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 8 - 43 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

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型号：MP62551DJ-LF-Z 编号：C3236190

封装：TSOT-23-6

品牌：MPS(芯源)

MP62550/MP62551电源分配开关专为精确限流而设计，可提供高达1.5A的连续输出电流。通过一个外部电阻，它能实现60mA至1.7A（典型值）的可编程限流，精度为±10%。该开关包含一个88mΩ的N沟道功率MOSFET，工作输入电压范围为2.5V至5.5V

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型号：NCV84160DR2G 编号：C604062

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV84160是一款具备全面保护功能的单通道高端驱动器，可用于切换多种负载，如灯泡、螺线管和其他执行器。该器件集成了先进的保护功能，如主动浪涌电流管理、带自动重启功能的过温关断以及过压主动钳位。一个专用的电流检测引脚可对输出进行精确的模拟电流监测，同时还能指示到VD短路、接地短路以及导通和关断状态下的开路负载故障

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型号：MP5029GD-C-Z 编号：C17696825

封装：-

品牌：MPS(芯源)

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型号：TPS2021DR 编号：C1323228

封装：HSOP-8(3.9x4.9x1.27)

品牌：TI(德州仪器)

TPS2021 低电平有效的 0.6A 负载、2.7-5.5V、33mΩ USB 电源开关

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型号：TPS259481AYWPR 编号：C35020830

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

电子保险丝是采用小型封装的高度集成电路保护和电源管理解决方案。此类器件提供采用少量外部元件的多种保护模式，能够非常有效地抵御过载、短路、电压浪涌和过多浪涌电流。集成式背对背 FET 可帮助阻止从输出端到输入端的反向电流流动，从而使该器件非常适合电源多路复用器和 ORing 应用以及需要负载侧能量保持存储解决方案的系统（如果输入电源发生故障）。此类器件采用基于线性 ORing 的方案，可确保实现几乎为零的直流反向电流，并以最小的正向压降和功率耗散来仿真理想的二极管行为。该器件还提供了一个外部引脚控制选项，用于禁用反向电流阻断并允许稳态双向电力输送。可以使用单个外部电容器来调节输出压摆率和浪涌电流

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型号：ADP198ACPZ-R7 编号：C659031

封装：LFCSP-8(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

采用反向电流阻挡的1 A逻辑控制型高端负载开关

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型号：TPS27SA08CQPWPRQ1 编号：C2870129

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS27SA08-Q1 具有电流监测功能的汽车类 36V、8mΩ、10A 单通道智能高侧开关

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型号：LTC4358CFE#PBF 编号：C688227

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4358是一款5A理想二极管，在二极管“或”和大电流二极管应用中，它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作，以提高整个系统的可靠性

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￥24.9166 ￥30.02
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￥23.6135 ￥28.45

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型号：MP5048AGU-Z 编号：C22431725

封装：QFN-30(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP5048A 是一款单片集成式控制器兼开关。它包含一个功率 MOSFET 和相关电路，使其能够作为独立设备运行，也可由热插拔控制器进行控制。MP5048A 每个器件能够驱动高达 4A 的连续电流

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￥31.4592
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型号：TPS25830QWRHBTQ1 编号：C1849496

封装：VFQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TPS25830-Q1 具有 BATT 短路保护和电缆补偿功能的 USB Type-C® 和 SDP/CDP 充电端口转换器

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型号：MIC2027-2YM 编号：C220189

封装：SOIC-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：LTC4357HMS8#PBF 编号：C688220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥29.84
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型号：LTC4359HMS8#PBF 编号：C580868

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正向高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。它控制 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。提供关断模式，可将负载开关的静态电流降至 9μA，理想二极管应用的静态电流降至 14μA。在大电流二极管应用中使用时，可降低功耗、散热、电压损失和 PCB 面积。凭借其宽工作电压范围、承受反向输入电压的能力和高温额定值，可满足汽车和电信应用的苛刻要求。还可轻松实现冗余电源系统中电源的并联。

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