ST功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BTT6030-2ERA 编号：C534865

封装：TDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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1+
￥19.08
10+
￥16.22
30+
￥14.43
100+
￥12.59
500+
￥11.76
1000+
￥11.4

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型号：TPS27081ADDCR 编号：C128404

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS27081A 具有可调节上升时间的 8V、3A、44mΩ 负载开关

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5+
￥2.2617
50+
￥1.794
150+
￥1.5935
500+
￥1.3435
3000+
￥1.2321
6000+
￥1.1653

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型号：MIC2026-1YM-TR 编号：C144190

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC2026和MIC2076是高端MOSFET开关，针对需要电路保护的通用配电应用进行了优化。MIC2026/76内置限流功能，并具备热关断功能，可保护器件和负载。

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1+
￥6.96
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￥5.71
30+
￥5.08
100+
￥4.46
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￥3.53
1000+
￥3.34

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型号：BSP452 编号：C58074

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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1+
￥9.58
10+
￥8.02
30+
￥7.16
100+
￥6.19
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￥5.76
1000+
￥5.56

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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1+
￥13.16
10+
￥10.84
30+
￥9.56
100+
￥8.12
500+
￥7.48
1000+
￥7.19

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型号：BTT6050-2ERA 编号：C3232306

封装：SOIC-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

1+
￥18.79
10+
￥15.81
30+
￥13.95
100+
￥12.04
500+
￥11.18
1000+
￥10.8

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型号：BTN8982TA 编号：C74175

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

高电流 PN 半桥驱动IC

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1+
￥50.54
10+
￥44.7
30+
￥36.09
100+
￥33.11

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型号：TPS22919DCKR 编号：C2149796

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22919 具有可调节输出放电功能的 5.5V、1.5A、90mΩ 负载开关

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10+
￥0.5619
100+
￥0.4661
300+
￥0.4182
3000+
￥0.3731

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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5+
￥1.8138
50+
￥1.4664
150+
￥1.3175
500+
￥1.1318
3000+
￥1.0491
6000+
￥0.9994

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型号：LPW5209AB5F 编号：C387727

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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5+
￥0.5186
50+
￥0.4139
150+
￥0.3616
500+
￥0.3224
3000+
￥0.2844
6000+
￥0.2687

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型号：TPU3013S5 编号：C46472316

封装：SOT-23-5

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这是一款低压单NMOSFET高端功率开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关配备电荷泵电路以驱动内部NMOSFET开关，其低导通电阻Rds(on)为40mΩ，满足USB电压降要求，并且设有标志输出，可向本地USB控制器指示故障情况

5+
￥1.12708 ￥1.483
50+
￥0.878104 ￥1.1554
150+
￥0.7714 ￥1.015
500+
￥0.638324 ￥0.8399
3000+
￥0.579044 ￥0.7619
6000+
￥0.5434 ￥0.715

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型号：TPS22918DBVR 编号：C131941

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22918 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、52mΩ 负载开关

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5+
￥1.1624
50+
￥0.9155
150+
￥0.8097
500+
￥0.6341
3000+
￥0.5753
6000+
￥0.54

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型号：AP2171WG-7 编号：C110466

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2161和AP2171是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入有两种极性可选。

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5+
￥1.4451
50+
￥1.1912
150+
￥1.0824
500+
￥0.9467
3000+
￥0.8178
6000+
￥0.7816

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型号：FDC6330L-TP 编号：C5310931

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：压降：Vdrop = 0.2V（Vin = 12V，IL = 2.0A；Vin = 5V，IL = 1.8A）。 RDS(ON)：56mΩ（典型值，VGS = -12V，ID = -2.0A）；90mΩ（典型值，VGS = -5.0V，ID = -1.8A）。先进的沟槽工艺技术。可通过外部R1、R2和C1调节开关转换速率。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料。应用：电池组。电池供电的便携式设备

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5+
￥2.2829
50+
￥1.7973
150+
￥1.5893
500+
￥1.2639
3000+
￥1.1483
6000+
￥1.079

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型号：TPS1H100AQPWPRQ1 编号：C478465

封装：HTSSOP-14

品牌：TI(德州仪器)

TPS1H100-Q1 具有可调节电流限制的 40V、100mΩ、汽车类单通道智能高侧开关

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1+
￥5.31
10+
￥4.31
30+
￥3.82
100+
￥3.32
500+
￥3.03
1000+
￥2.88

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型号：TPS22811LRPWR 编号：C17294173

封装：VQFN-10-HR(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

是高度集成的小封装电源分配解决方案，允许使用最少的外部组件对电源轨进行控制和监控。可使用一个外部电容器调节输出压摆率和浪涌电流。若输入超过可调过压阈值，通过切断输出保护负载免受输入过压影响。集成快速跳闸响应，在稳态时保护输出免受严重故障影响。能提供输出负载电流的精确模拟检测以及数字电源良好指示，以帮助进行系统监控和诊断。采用2mm×2mm、10引脚HotRod QFN封装，可提高热性能并减小系统尺寸。工作结温范围为 -40℃至 +125℃。

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