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首页 > 热门关键词 > 东芝功率开关芯片
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MIC2026和MIC2076是高端MOSFET开关,针对需要电路保护的通用配电应用进行了优化。MIC2026/76内置限流功能,并具备热关断功能,可保护器件和负载。
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  • 1+

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    ¥5.07
  • 有货
  • 单通道精密可调限流开关,适用于需要精密限流的应用,或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A(典型值)之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下,可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时间,以最大程度减少关断期间的电流浪涌
    数据手册
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      ¥1.4895
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      ¥0.6861
  • 有货
  • AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道精密可调限流开关,针对需要精密限流的应用进行了优化,或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻设置 125mA 至 2665mA(典型值)的可编程限流阈值。在高限流设置下,限流精度可达 ±10%
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    • 5+

      ¥1.5874
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      ¥1.2413
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      ¥1.15
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  • SY6875A是一款具有输入电压范围选择和输出电压钳位功能的可编程限流开关。集成保护型N沟道FET极低的导通电阻(RDS(ON))有助于降低正常工作期间的功率损耗。可编程软启动时间可控制启动期间输出电压的转换速率
    数据手册
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      ¥3.79
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  • 是一款全保护的高端智能分立器件,典型导通电阻为1.0Ω,典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。
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    • 1+

      ¥5.39
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      ¥4.32
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      ¥2.77
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  • TPS25921A 具有自动重试故障响应功能的 4.5V 至 18V、90mΩ、0.4A 至 1.6A 电子保险丝
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      ¥5.46
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      ¥4.34
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      ¥3.79
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      ¥2.74
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  • N 通道垂直功率 FET,采用智能功率技术,通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关,具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能,专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载(继电器、螺线管)而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.15
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      ¥5.04
    • 30+

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      ¥3.02
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  • ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关,采用 SO - 8EP(E 型)外露散热片封装,集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET,集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源,在关断状态下具有低静态电流。
    数据手册
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      ¥6.36
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    • 30+

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      ¥3.24
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  • 单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
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      ¥8.28
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      ¥6.78
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      ¥4.61
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      ¥4.42
  • 有货
  • TPS4H000-Q1 具有可调节电流限制的 40V、1Ω、4 通道汽车类智能高侧开关
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      ¥4.73
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  • TPS2113A 具有自动切换和状态输出功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器
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      ¥8.22
    • 500+

      ¥7.65
  • 有货
  • VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合,可保护器件免受过载影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.69
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      ¥12.38
    • 30+

      ¥10.92
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      ¥9.44
    • 500+

      ¥8.77
    • 1000+

      ¥8.47
  • 有货
  • DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A),适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯
    数据手册
    • 1+

      ¥31.3
    • 10+

      ¥26.61
    • 30+

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    • 100+

      ¥20.99
    • 500+

      ¥19.69
  • 有货
  • VN808CM - E和VN808CM - 32 - E是采用意法半导体(STMicroelectronics)VIPower M0 - 3技术设计的单片器件,旨在驱动一侧接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合,可保护器件免受过载影响
    数据手册
    • 1+

      ¥61.85
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      ¥52.88
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      ¥47.41
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      ¥42.83
  • 有货
  • LP5308是一款电源开关器件,可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET,可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时,过压保护(OVP)功能会切断VIN和VOUT之间的连接
    • 5+

      ¥0.6203
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      ¥0.335
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      ¥0.3153
  • 有货
  • LPW5209 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线(USB)应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET,以消除开关断电时的任何反向电流。其低静态电流(30μA)和小封装(SOT23 - 5)特别适用于电池供电的便携式设备
    数据手册
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      ¥0.6503
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      ¥0.344
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      ¥0.3238
  • 有货
  • TPS22916 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8841
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      ¥0.68
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      ¥0.578
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      ¥0.5015
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      ¥0.4403
    • 6000+

      ¥0.4096
  • 有货
  • 极低的RDS(on) P沟道负载开关MOSFET;低外形、小尺寸封装;VIN范围1.8至8.0V;ON/OFF范围1.5至8.0V;电平转换MOSFET具有ESD保护;PIN对PIN完全兼容
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1096
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      ¥0.8601
    • 150+

      ¥0.7532
    • 500+

      ¥0.6198
    • 3000+

      ¥0.5604
    • 6000+

      ¥0.5248
  • 有货
  • TMI6240是一款具有低导通电阻的单通道线路电源开关。输入电压范围为2.7V至18V。
    • 3+

      ¥1.6929
    • 30+

      ¥1.3089
    • 90+

      ¥1.1169
    • 300+

      ¥0.9729
    • 1500+

      ¥0.8577
    • 3000+

      ¥0.8
  • 有货
  • AW329xx 系列过压保护(OVP)负载开关具备浪涌保护功能,内部钳位电路可保护器件免受高达 120V 的浪涌电压影响。AW329xx 采用超低导通电阻(Rdson)的 n 沟道 FET 负载开关,典型值仅为 27mΩ。当输入电压超过过压保护阈值时,开关会迅速关断,以防止受保护的下游设备受损
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7548
    • 50+

      ¥1.3804
    • 150+

      ¥1.22
    • 500+

      ¥1.0198
    • 3000+

      ¥0.8788
    • 6000+

      ¥0.8254
  • 有货
  • 应用:电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话
    数据手册
    • 5+

      ¥2.4142
    • 50+

      ¥1.9103
    • 150+

      ¥1.6944
    • 500+

      ¥1.3568
    • 3000+

      ¥1.2368
    • 6000+

      ¥1.1648
  • 有货
  • 是一款具有反向电流保护功能的单负载开关。该设备可在1V至5.5V单电源下工作,能够驱动高达2A的连续电流。该设备包含一个由ON引脚控制的30mΩ低Rₒₙ N沟道MOSFET。如果首次开启电源,会使用一个智能下拉电阻使ON引脚浮空,直到系统稳定。一旦ON引脚达到高电压(>V₁ₕ),下拉电阻断开,此时待机电流非常低,可降低功耗。小封装和低Rₒₙ使该设备非常适合空间受限、电池供电的应用。该设备支持宽输入电压范围,适用于不同的电压轨。上升时间用于避免浪涌电流。在禁用状态下,该设备提供快速输出放电功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.49
    • 50+

      ¥1.86
    • 150+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.25
  • 有货
  • 当在NCP361的输入端检测到VBUS工作条件异常时,它会断开其输出端的系统连接。该系统具备正向过压保护功能,可承受高达 +20 V 的电压。由于集成了 PMOS FET,无需外部器件,从而降低了系统成本和应用板的 PCB 面积
    数据手册
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.83
    • 30+

      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.86
    • 1000+

      ¥1.75
  • 有货
  • 是一款集成的100mΩ(典型值)电源开关,适用于自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用。内部具有电流限制功能,并配备热关断保护,可防止设备和负载因过流而损坏。当管芯温度超过+150℃时,热关断功能会关闭输出MOSFET,并使nFAULT输出有效;直到管芯温度降至+130℃,输出MOSFET才会恢复工作。采用软启动电路,可在使用高容性负载的应用中最大限度地减少浪涌电流。在过流和热关断情况下,开漏nFAULT标志会在13ms消隐时间后拉低,以防止误报。采用绿色SOT-23-5封装,工作温度范围为-40℃至+85℃。
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥1.92
  • 有货
  • 该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET(Q1),用来驱动一个大P沟道功率MOSFET(Q2)。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.9
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.31
    • 100+

      ¥3.11
    • 500+

      ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.42
  • 有货
  • NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案,通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.2542 ¥8.34
    • 10+

      ¥4.0651 ¥7.67
    • 30+

      ¥3.1218 ¥7.26
    • 100+

      ¥2.9369 ¥6.83
    • 500+

      ¥2.8552 ¥6.64
    • 1000+

      ¥2.8208 ¥6.56
  • 有货
  • 采用反向电流阻挡的1 A逻辑控制型高端负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥5.4432 ¥6.48
    • 10+

      ¥4.41 ¥5.25
    • 30+

      ¥3.8976 ¥4.64
    • 100+

      ¥3.3936 ¥4.04
    • 500+

      ¥3.0828 ¥3.67
    • 1000+

      ¥2.9316 ¥3.49
  • 有货
  • 5V、3A逻辑控制的高端电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥7.03
    • 10+

      ¥5.8
    • 30+

      ¥5.18
    • 100+

      ¥4.57
    • 500+

      ¥3.85
    • 1000+

      ¥3.67
  • 有货
  • OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥7.2
    • 10+

      ¥5.92
    • 30+

      ¥5.22
    • 100+

      ¥4.43
    • 500+

      ¥4.07
    • 1000+

      ¥3.92
  • 有货
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