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封装：MSOP-8

ADR42x系列为高精度、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲线校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。

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型号：ADR3650ARMZ 编号：C20047637

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR3625/ADR3630/ADR3650是低功耗、高精度的电压基准源，B级产品在8引脚MSOP封装中，最大温度系数为3 ppm/°C。ADR3625/ADR3630/ADR3650能够提供高达70 mA的电流，是标准低压差（LDO）稳压器的理想替代品。为实现高精度，在生产过程中使用专有DigiTrim技术对输出电压和温度系数进行微调

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型号：REF6225IDGKT 编号：C2157026

封装：VSSOP-8-0.65mm

品牌：TI(德州仪器)

REF6225 具有集成缓冲器和使能引脚的 2.5V、3ppm/°C 高精度电压基准

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型号：LT1790AIS6-4.096#TRMPBF 编号：C579900

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

SOT - 23 微功耗低压差系列基准源将高精度、低漂移与低功耗、小封装尺寸相结合。这些微功耗基准源采用曲率补偿技术以获得低温度系数，并使用微调的精密薄膜电阻器来实现高输出精度。此外，每个基准源在封装后都进行了微调，以大幅降低温度系数并提高输出精度

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型号：LT6656BIDC-1.25#TRMPBF 编号：C673410

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

LT6656是一款微型精密电压基准源，其电源电流小于1µA，且在电源电压与输出电压相差10mV以内时仍可正常工作。LT6656的初始精度为0.05%，温度漂移为10ppm/°C。低功耗与高精度的特性组合使其非常适合用于便携式和电池供电的仪器设备

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型号：ADR3512WCRMZ-R7 编号：C659505

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：LT1027ECS8-5#TRPBF 编号：C661548

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1027是一款精密基准源，具有超低漂移、卓越的精度、出色的线性和负载调整率，以及高频下的低输出阻抗。该器件适用于12位至16位的模数（A-to-D）和数模（D-to-A）系统，这些系统要求在不使用高功耗加热衬底基准源的情况下满足严苛的精度要求。其快速稳定的输出能够从负载瞬变（如数模转换器基准输入所产生的瞬变）中迅速恢复

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型号：ADR440BRZ-REEL7 编号：C579303

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、2.048V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：LT6658AIDE-1.2#PBF 编号：C1012931

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款结合了精密电压基准和线性稳压器性能的精密双输出基准。两个输出端非常适合驱动高分辨率ADC和DAC的参考输入，即使在重载情况下也能同时为微控制器和其他电路供电。两个输出端具有相同的精度规格，并在温度和负载变化时相互跟踪。每个输出端都可以通过外部电阻配置，以提供高达6V的输出电压

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型号：LTC6655CHMS8-2.048#PBF 编号：C689439

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：LTC6655BHMS8-1.25#TRPBF 编号：C689421

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：ADR420BRZ-REEL7 编号：C659529

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超精密、低噪声、2.048 V XFET®基准电压源

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型号：ADR444ARZ-REEL7 编号：C659575

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超低噪声、4.096V LDO XFET®基准电压源，具有吸电流和源电流能力

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型号：ADR291ERZ 编号：C579282

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

低噪声、微功耗、精密基准电压源(2.5 V)

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型号：ADR425BRZ-REEL7 编号：C579297

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

超精密、低噪声、5.00 V XFET® 基准电压源

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型号：LT1634BIS8-5#PBF 编号：C664463

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1634是一款微功耗、精密并联电压基准源。该带隙基准源采用微调的精密薄膜电阻，可实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术可确保最大温度漂移为10ppm/°C

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型号：LT1460ACS8-5#PBF 编号：C663761

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一种微功率带隙基准源，将高精度、低漂移与低功耗和小封装尺寸相结合。该系列基准源采用曲率补偿以获得低温度系数，并使用微调精密薄膜电阻器来实现高输出精度。基准源可提供高达20mA的电流，具有出色的线性调节特性，非常适合精密调节器应用。相较于必须使整个负载电流处于空载状态才能工作的并联基准源，该系列基准源在电源电流和功耗方面具有优势。此外，无需输出补偿电容，但在容性负载下仍能保持稳定。在电池反接的情况下，这些基准源不会导通电流，因此可防止损坏。有8引脚的MSOP、SO、PDIP以及3引脚的TO-92和SOT23封装可供选择。

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型号：REF5040MDREP 编号：C2157009

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

REF5040-EP 低噪声、超低漂移、高精度电压基准（增强型产品）

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型号：LT1634AIS8-4.096#PBF 编号：C664441

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT1634是一款微功耗、精密并联电压基准源。该带隙基准源采用微调的精密薄膜电阻，可实现0.05%的初始电压精度。改进的曲率校正技术可确保最大温度漂移为10ppm/°C

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型号：AD780BRZ-REEL 编号：C403863

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

2.5 V/3.0 V超高精度带隙基准电压源

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型号：LTC6655CHLS8-2.5#PBF 编号：C689434

封装：LCC-8(5x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC6655是一个完整的精密带隙电压基准系列，具备出色的噪声和漂移性能。这种低噪声和低漂移特性非常适合仪器仪表和测试设备所需的高分辨率测量。此外，LTC6655在 -40°C 至 125°C 的温度范围内进行了全面的规格定义，确保其适用于严苛的汽车和工业应用

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型号：MAX6350CSA+ 编号：C1575295

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX6325/MAX6341/MAX6350是低噪声、高精度电压基准源，典型温度系数极低，仅为0.5ppm/°C，初始精度极佳，可达±0.02%。这些器件采用埋入式齐纳技术，可实现最低噪声性能。负载调整率指标保证在最高15mA的源电流和灌电流条件下有效

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型号：ADR293ERZ 编号：C659498

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR293是一款低噪声、微功耗精密电压基准源，采用了XFET°（额外注入结型场效应晶体管）基准电路。与传统的带隙和埋入式齐纳基准源相比，XFET架构在性能上有显著提升。这些提升包括：在相同电流下，电压噪声输出仅为带隙基准源的四分之一；极低且超线性的温度漂移；低热滞；以及出色的长期稳定性

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型号：AD580SH/883B 编号：C1530606

封装：TO-52

品牌：ADI(亚德诺)

AD580是一款三端、低成本、具有温度补偿功能的带隙电压基准源，在输入电压为4.5 V至30 V的范围内，可提供2.5 V的固定输出电压。先进的电路设计与激光晶圆微调薄膜电阻独特结合，使AD580的初始容差为±0.4%，温度稳定性优于10 ppm/°C，长期稳定性优于250 μV。此外，最大1.5 mA的低静态电流消耗使其相对于传统的齐纳技术具有明显优势

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