VISHAY威世电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SIP32411DR-T1-GE3 编号：C727484

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32411是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。该器件可确保在1.2 V输入时具有较低的导通电阻。它的典型软启动压摆率为150 μs，能限制容性负载或对噪声敏感的负载设计中的浪涌电流

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型号：SIP32432DR3-T1GE3 编号：C2149830

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431和SiP32432是具有反向阻断能力的超低泄漏和静态电流、压摆率可控的高端开关。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4 A的连续电流。SiP32431和SiP32432的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

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型号：SIC476ED-T1-GE3 编号：C1852150

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SI1869DH-T1-E3 编号：C128638

封装：SC-70-6(SOT-363)

品牌：VISHAY(威世)

Si1869DH 在单个 SC70 - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专门用作负载开关。n 沟道与一个外部电阻配合，可用作电平转换器来驱动 p 沟道负载开关

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型号：SIP32434BDN-T1E4 编号：C17236769

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

SIP32434A和SIP32434B是单通道电子保险丝，集成了多种控制和保护功能，可提高可控性和可靠性，简化设计并减少外部元件数量。SIP32434A和SIP32434B可保护电源以及与开关相连的下游电路，使其免受过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流的影响。

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型号：SIC631CD-T1-GE3 编号：C2653465

封装：MLP55-31L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC631 是用于同步降压应用的集成电源级解决方案,提供高电流、高效率和高功率密度性能。采用 Vishay 的第四代 MOSFET 技术和低侧 MOSFET,支持高达 50A 的连续电流。支持高达 2MHz 的高频操作,优化了开关和传导损耗。内置先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC,具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制、集成的 Bootstrap 肖特基二极管和零电流检测功能,以提高轻载效率。支持多种 PWM 控制器,包括 PS4 模式和 5V PWM 逻辑。

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型号：SIC467ED-T1-GE3 编号：C2071963

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC46x 系列是宽输入电压、高效率同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 60 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，适用于多种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIC477ED-T1-GE3 编号：C1852146

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIP32432DNP3-T1GE4 编号：C2680359

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431和SiP32432是具有反向阻断能力的超低泄漏和静态电流、压摆率可控的高端开关。这些开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1.4 A的连续电流。SiP32431和SiP32432的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

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型号：SIPQ32433ADN-T1E3 编号：C27622480

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

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型号：SIP32434ADN-T1E4 编号：C5441425

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

SIP32434A和SIP32434B是单通道电子保险丝，可保护电源和下游电路免受浪涌电流过大、过载、短路和过压故障的影响。它们通过简化设计和最少的外部元件，提高了可控性和可靠性。可通过外部电阻网络设置VIN过压保护和欠压锁定阈值

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型号：SIC660ACD-T1-GE3 编号：C29756148

封装：PowerPAKMLP55-31L

品牌：VISHAY(威世)

SiC660是一款高频集成功率级器件，针对同步降压应用进行了优化，可提供大电流、高效率和高功率密度性能，且关断电流极低。SiC660采用5mm x 5mm MLP封装，使电压调节器设计能够每相提供高达60A的连续电流。内部功率MOSFET采用了最新的TrenchFET技术，具备行业标杆性能，可显著降低开关损耗和传导损耗

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型号：SIC431BED-T1-GE3 编号：C2071357

封装：MLP44-24L(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

SiC431是一款同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该稳压器可在3 V至24 V的输入轨下产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIC931BED-Y1-GE3 编号：C1161719

封装：MLP60-A6C(6.5x10.6)

品牌：VISHAY(威世)

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型号：SIP32402ADNP-T1GE4 编号：C143660

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32401A和SiP32402A是压摆率可控的负载开关，适用于1.1V至5.5V的工作电压。这些器件可确保在1.2V输入时具有较低的导通电阻。它们具有典型值为2.5ms的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上产生的电压降降至最低

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型号：SIP32475DN-T1-GE4 编号：C17626670

封装：UDFN-4(1x1)

品牌：VISHAY(威世)

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型号：SI1040X-T1-GE3 编号：C727507

封装：SC-89-6

品牌：VISHAY(威世)

Si1040X在单个SC-89-6封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。低导通电阻的P沟道TrenchFET专为用作负载开关而设计。N沟道搭配一个外部电阻，可作为电平转换器来驱动P沟道负载开关

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型号：SIC472ED-T1-GE3 编号：C5291560

封装：PowerPAK-MLP55-27L

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域。SiC47x 的架构可实现超快瞬态响应，同时在极轻负载下所需输出电容最小且纹波调节精度高。无论使用何种类型的输出电容（包括低 ESR 陶瓷电容），该器件都能确保环路稳定。此外，该器件还采用了节能方案，显著提高了轻载效率。该稳压器集成了一套完整的保护功能，包括过流保护（OCP）、输出过压保护（OVP）、短路保护（SCP）、输出欠压保护（UVP）和过温保护（OTP）。它还具备输入轨欠压锁定（UVLO）和用户可编程软启动功能。SiC47x 系列有 3 A、5 A、8 A、12 A 四种规格，采用 5 mm×5 mm 无铅（Pb）增强型功率 MLP55 - 27L 封装，引脚兼容。

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型号：SIC479ED-T1-GE3 编号：C1852152

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效率的同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

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型号：SIP32401ADNP-T1GE4 编号：C727397

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32401A和SiP32402A是压摆率可控的负载开关，适用于1.1 V至5.5 V的工作电压。这些器件可确保在1.2 V输入时具有较低的导通电阻。它们具有典型值为2.5 ms的可控软启动压摆率，可限制容性重负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上的电压降降至最低

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型号：SIP32433BDN-T1E4 编号：C17257104

封装：DFN-10(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

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型号：SIC437CED-T1-GE3 编号：C1848535

封装：MLP44-24L(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

是同步降压稳压器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供12 A和8 A的连续电流。该稳压器可从3 V至28 V的输入轨产生低至0.6 V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构可在最小输出电容的情况下实现超快瞬态响应，并在非常轻的负载下实现严格的纹波调节

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型号：SIP32430DN-T1-GE4 编号：C2149896

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

负载开关集成了多种控制功能，简化了设计并提高了连接到开关的电路的可靠性。设计用于在6 V至28 V范围内工作。内部产生的栅极驱动电压确保在整个输入电压工作范围内具有低开关电阻。具有压摆率控制电路，可将开关开启时间编程为外部电容设置的值

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型号：SIC431DED-T1-GE3 编号：C7011016

封装：MLP-24L-EP(4x4)

品牌：VISHAY(威世)

是一款同步降压调节器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该调节器可从3V至24V的输入轨产生低至0.6V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构支持超快瞬态响应，具有最小的输出电容和在非常轻负载下的严格纹波调节

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￥17.5
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型号：SIC451ED-T1-GE3 编号：C1852144

封装：PowerPAK-MLP-34-57

品牌：VISHAY(威世)

SiC45x 是一款符合 PMBus 1.3 标准的非隔离式 DC/DC 降压稳压器，集成了 MOSFET。它能够提供高达 40 A（SiC450）的连续输出电流。其输出电压可通过数字方式进行调节，输入电压范围为 4.5 V 至 20 V 时，输出电压范围为 0.3 V 至 12 V，开关频率最高可达 1.5 MHz

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型号：SIP32458DB-T2-GE1 编号：C727470

封装：WLCSP-6(1x1.5)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32458和SiP32459是压摆率可控的集成高端负载开关，工作输入电压范围为1.5 V至5.5 V。SiP32458和SiP32459采用P沟道MOSFET开关元件，并集成了栅极泵，可在较宽的输入电压范围内实现20 mΩ的导通电阻。

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型号：SIP32414DNP-T1-GE4 编号：C727486

封装：TDFN-8-EP(2x2)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32413、SiP32414 和 SiP32416 是为1.1 V至5.5 V工作电压设计的 slew rate controlled 负载开关。这些器件在1.2 V输入时保证低导通电阻。SiP32413 和 SiP32414 具有典型的150 μs受控软启动 slew rate，这限制了电容性负载或对噪声敏感的负载的设计中的浪涌电流。SiP32416 的 slew rate 更长，典型值为2.5 ms，以使浪涌电流峰值更低。这些器件具有低压控制逻辑接口（开/关接口），可以直接与低压数字控制电路连接而无需额外的电平转换电路。SiP32414 和 SiP32416 还集成了输出放电开关，可实现快速关断负载放电。当开关关闭时，它们提供反向阻断功能，防止大电流流入电源。所有 SiP32413、SiP32414 和 SiP32416 均采用 TDFN8 2.0 mm x 2.0 mm 封装。每个器件中的每个开关可以支持超过2 A的连续电流。

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型号：SIP32101DB-T1-GE1 编号：C727756

封装：WCSP-12(1.3x1.7)

品牌：VISHAY(威世)

双向开关具有反向阻断功能，可将电池与系统隔离。内部开关具有超低的6.5 mΩ（典型值，3.3 V时）导通电阻，输入电压范围为+2.3 V至+5.5 V，使其成为大容量电池应用的理想电池断开开关。具有压摆率控制，适用于大负载电容以及高电流负载开关应用。这些器件效率高，关断时仅消耗10 pA（典型值）电流，工作时消耗15 pA电流。SiP32101和SiP32103具有低电平有效使能，SiP32102具有高电平有效使能，可直接与低电压控制信号接口。采用超紧凑的12焊球、1.3 mm×1.7 mm、0.4 mm间距的WCSP封装，顶部有层压。器件工作温度范围为-40℃至+85℃。

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型号：SIP32416DNP-T1-GE4 编号：C727487

封装：TDFN-8-EP(2x2)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32413、SiP32414和SiP32416是压摆率可控的负载开关，设计用于1.1 V至5.5 V的工作电压。这些器件可确保在1.2 V输入时具有较低的导通电阻。SiP32413和SiP32414具有典型值为150 μs的可控软启动压摆率，可限制容性负载或对噪声敏感负载设计中的浪涌电流

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型号：SIC431CED-T1-GE3 编号：C7363709

封装：PowerPAK-MLP44-24L

品牌：VISHAY(威世)

是一款同步降压调节器，集成了高端和低端功率MOSFET。其功率级能够在高达1 MHz的开关频率下提供24 A的连续电流。该调节器可从3V至24V的输入轨产生低至0.6V的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算、消费电子、电信和工业领域。架构支持超快瞬态响应，具有最小的输出电容和在非常轻负载下的严格纹波调节

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