安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NIS6420MT1TWG 编号：C2902038

封装：WQFN-12(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效的可复位保险丝，可大大提高硬盘或其他电路的可靠性，防止灾难性和关机故障。它旨在通过限制电流来保护下游电路免受过流事件的影响，同时防止高浪涌电流，并实时监控负载电流。

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型号：LM385Z-2.5G 编号：C513141

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

LM285/LM385系列是微功耗两端带隙电压调节二极管。这些器件设计用于10 μA至20 mA的宽电流范围，具有极低的动态阻抗、低噪声，且在不同时间和温度条件下能稳定工作。通过片上微调可实现严格的电压容差。较大的动态工作范围使这些器件能够在电源变化范围较大的应用中实现出色的稳压效果。极低的工作电流使这些器件非常适合用于微功耗电路，如便携式仪器、稳压器和其他需要延长电池寿命的模拟电路。 LM285/LM385系列采用低成本TO - 226塑料封装，有1.235 V和2.500 V两种电压版本，由器件后缀表示。LM285的工作温度范围为 - 40°C至 + 85°C，而LM385的额定温度范围为0°C至 + 70°C。 LM385也有1.235 V和2.500 V电压的表面贴装塑料封装版本。

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型号：LM431ACZX 编号：C480716

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

LM431A/LM431B/LM431C是三端输出可调稳压器，在整个工作温度范围内具有热稳定性。通过两个外部电阻，输出电压可设置为VREF（约2.5 V）至36 V之间的任意值。这些器件的典型动态输出阻抗为0.2 Ω。有源输出电路具有快速开启特性，使其在许多应用中可出色替代齐纳二极管。

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型号：NCP4318ALFPDR2G 编号：C20047205

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

是一种用于 LLC 谐振转换器的高级同步整流 (SR) 控制器，只需最少的外部组件。它有两个栅极驱动器，用于驱动对次级变压器绕组输出进行整流的 SR MOSFET。两个栅极驱动器都有各自的漏极和源极感应引脚，并且彼此独立工作。先进的自适应死区时间控制可补偿寄生电感上的电压，以最大限度地减少体二极管导通并提高系统效率。先进的关断控制算法允许在整个负载范围内实现稳定的 SR 操作。有两种引脚分配版本以及两种封装类型。

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型号：LM385BD-2.5G 编号：C897692

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

微功率电压参考二极管

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型号：NCP1618FDR2G 编号：C5208461

封装：SOP-10

品牌：onsemi(安森美)

NCP1618是一款创新的多模式功率因数控制器。该电路会根据开关周期时长自然地从一种工作模式转换到另一种工作模式，从而在输入电压/负载范围内实现效率优化。在极轻负载条件下，电路可进入软跳周期（Soft - SKIP）模式以将损耗降至最低。该电路采用SO - 9封装，还集成了构建坚固紧凑的PFC级所需的特性，仅需少量外部元件。

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型号：NCP367DPMUECTBG 编号：C892446

封装：DFN-8-EP(2x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP367是一款充电路径保护器件，当检测到错误的充电条件时，可将系统与输出引脚断开。该系统具备正向过压保护功能，最高可承受+30 V电压。由于电流消耗极低，USB充电与该集成元件兼容。该器件采用内部PMOS FET，无需外部器件，从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。若输入电压超过过压阈值，NCP367能够立即将输出与输入断开。额外的过流保护功能可在充电电流超过电流限制时关闭内部PMOS FET，电流限制值可通过外部选择。可通过控制逻辑引脚修改电流限制值，将其除以内部增益，实现USB 100 mA/500 mA充电或USB/壁式适配器充电，直至达到过流阈值。同时，持续监测锂离子电池电压，为充电过程提供更高的安全性。此外，还具备热关断保护功能。NCP367提供一个负向标志（FLAG）输出，当出现过压（电源或电池电压）、过流或热事件等故障时，会向系统发出警报。此外，当使用1 μF或更大的电容进行旁路时，该器件的输入具备ESD保护（15 kV空气放电）。

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型号：NCP10672BD100R2G 编号：C904375

封装：SO-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1067X 产品集成了固定频率电流模式控制器和 700 V MOSFET。NCP1067X 采用 SOIC-7 封装，提供了高水平的集成，包括软启动、频率抖动、短路保护、跳过周期、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。在正常负载运行期间，NCP1067X 可在一个可用频率下开关（60 或 100 kHz）。当输出功率需求消失时，该集成电路将自动进入跳过模式，降低待机功耗。保护功能包括：检测过载或短路事件的计时器、带自动恢复的过电压保护。为了提高待机性能，连接辅助绕组或从输出为该集成电路供电会停止 DSS 运行，有助于将高电平线路的输入功耗降至 15 mW 以下。NCP1067x 可以无缝用于非隔离和隔离拓扑结构中。

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型号：NCV4264-2ST33T3G 编号：C895032

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV4264−2在功能和引脚方面与NCV4264兼容，且静态电流消耗更低。其输出级可提供100 mA电流，输出电压精度为±2.0%。在负载电流为100 mA时，最大压差为500 mV

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型号：NCP1340B3D1R2G 编号：C603550

封装：SOIC-9-150mil

品牌：onsemi(安森美)

NCP1340 是一款高度集成的准谐振反激控制器，适用于设计高性能离线功率转换器。NCP1340 具有集成的有源 X2 电容器放电功能，可以实现低于 30 mW 的无负载功耗。准谐振电流模式反激级功能具有专属的谷锁闭电路，确保了稳定的谷开关。此系统可在低至第 6 个谷的情况下运行，并转换为频率折回模式以降低开关损耗。随着负载进一步降低，NCP1340 进入静音跳过模式来管理功率传递。为了帮助确保转换器耐用性，NCP1340 实施了若干关键保护功能，如内部欠电压检测、在任何输入电压下保证恒定最大输出功率的非功耗过功率保护 (OPP)、通过专门引脚实现的锁存过电压和 NTC 就绪高温保护，以及线路去除检测，可在去除线路时对 X2 电容器进行安全放电。

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型号：NCP45525IMNTWG-H 编号：C603741

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动功能实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。这些器件将控制和驱动功能与高性能、低导通电阻的功率MOSFET集成在单个封装中。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NIS5420MT5TXG 编号：C2902284

封装：WDFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效的可复位保险丝，可大大提高硬盘或其他电路在灾难性故障和关机故障时的可靠性。它旨在缓冲负载设备，防止其受到可能损坏敏感电路的过高输入电压的影响。还包括过压钳位电路，可在瞬态期间限制输出电压，但不会关闭设备，从而允许负载电路继续运行。

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型号：UC3845BVDR2G 编号：C889962

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3844B、UC3845B系列是高性能固定频率电流模式控制器。它们专为离线和直流 - 直流转换器应用而设计，为设计人员提供了一种使用最少外部元件的经济高效解决方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和一个非常适合驱动功率MOSFET的大电流图腾柱输出。还包括保护功能，其中包括带迟滞的输入和基准欠压锁定、逐周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存器，以及一个触发器，该触发器每隔一个振荡周期将输出关断，允许将输出死区时间从50%编程到70%。这些器件有8引脚双列直插式和表面贴装（SOIC - 8）塑料封装，以及14引脚塑料表面贴装（SOIC - 14）封装。SOIC - 14封装为图腾柱输出级提供了独立的电源和接地引脚。UCX844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线转换器。UCX845B针对低电压应用进行了优化，其UVLO阈值为8.5V（开启）和7.6V（关断）。

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型号：NCP1618DDR2G 编号：C3093817

封装：SOP-10

品牌：onsemi(安森美)

是一款创新的多模式功率因数控制器。电路会根据开关周期的持续时间自然地从一种工作模式转换到另一种工作模式，从而在线路/负载范围内实现效率优化。在极轻负载条件下，电路可以进入软跳过模式以实现最小化损耗。采用SO-9封装，该电路还集成了功能完善且紧凑的功率因数校正（PFC）级所需的特性，只需很少的外部组件。

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型号：LC05111C02MTTTG 编号：C603090

封装：WDFN-6-EP(2.6x4)

品牌：onsemi(安森美)

LC05111CMT是一款用于单节锂离子二次电池的保护IC，集成了功率MOSFET。它还集成了高精度检测电路和检测延迟电路，以防止电池过充、过放、过流放电和过流充电。仅需LC05111CMT和少量外部元件即可构成电池保护系统。

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型号：NCV6324BMTAATBG 编号：C555497

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP6324/NCV6324 是一系列同步降压转换器,优化用于由单节锂离子或三节碱性/NiCd/NiMH电池供电的便携式应用。这些设备能够提供高达2 A的外部可调电压,工作频率为3MHz,支持小尺寸电感和电容器。同步整流和自动PWM/PFM节能模式提高了系统效率。

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型号：NIS5420MT1TXG 编号：C893374

封装：WDFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效的可复位保险丝，可大大提高硬盘或其他电路的可靠性，防止灾难性和关机故障。它旨在缓冲负载设备，防止过高的输入电压损坏敏感电路。还包括过压钳位电路，可在瞬态期间限制输出电压，但不会关闭设备，从而允许负载电路继续运行。

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型号：NIS6420MT2TWG 编号：C2902037

封装：WQFN-12(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效的可复位保险丝，可大大提高硬盘或其他电路的可靠性，防止灾难性和关机故障。它旨在通过限制电流来保护下游电路免受过流事件的影响，同时防止高浪涌电流，并实时监控负载电流。

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型号：NCP1611BDR2G 编号：C463844

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP1611旨在优化PFC级在整个负载范围内的效率。此外，它还集成了保护功能，以确保稳定运行。更广泛地说，NCP1611非常适合那些对成本效益、可靠性、低待机功耗和高效率有严格要求的系统。电流控制频率折返：NCP1611设计用于驱动所谓的电流控制频率折返（CCFF）模式下的PFC升压级。在这种模式下，当电感电流超过可编程值时，电路通常工作在临界导通模式（CrM）。当电流低于预设水平时，NCP1611会线性降低频率，当电流为零时，频率可降至约20 kHz。CCFF可在标称负载和轻负载下实现效率最大化。

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型号：MC78M18BTG 编号：C897068

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

正电压调节器与流行的 MC7800 系列器件相同，只是输出电流仅为其一半。像 MC7800 器件一样，三端调节器适用于本地板载电压调节。内部限流、热关断电路和内部传输晶体管的安全区补偿，使这些器件在大多数工作条件下非常耐用。在有足够散热的情况下，最大输出电流为 500mA。

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型号：NCP1070STAT3G 编号：C894950

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCP107x系列产品将固定频率电流模式控制器与700 V MOSFET集成在一起。该系列产品采用PDIP - 7或SOT - 223封装，具备高度集成性，功能包括软启动、频率抖动、短路保护、跳周期、最大峰值电流设定点、斜坡补偿以及动态自供电（无需辅助绕组）。与其他单片解决方案不同，NCP107x本质上工作安静：在额定负载运行期间，该器件以可选频率（65、100或130 kHz）之一进行开关操作。当输出功率需求降低时，IC自动进入频率折返模式，在轻载条件下实现出色的效率。当功率需求进一步降低时，它进入跳周期模式，将待机功耗降至空载水平。保护功能包括：用于检测过载或短路事件的定时器、具备自动恢复功能的过压保护以及交流输入线电压检测。为提高待机性能，连接辅助绕组可停止动态自供电（DSS）操作，并有助于在高输入电压下将输入功耗降至50 mW以下。

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型号：MC34064SN-5T1G 编号：C891426

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款欠压感应电路，专为基于微处理器的系统中的复位控制器而设计。它为低电压检测提供了一种经济的解决方案，只需一个外部电阻。该电路具有一个封装内微调的带隙基准，以及一个具有精确阈值和内置迟滞的比较器，可防止复位操作不稳定。其开集电极复位输出能够吸收超过10mA的电流，并且在低至1.0V的输入电压下仍能保证正常工作，待机电流低。

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型号：UC3845BDG 编号：C897347

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

UC3842B、UC3843B 系列为高性能固定频率电流模式控制器。此类器件专门针对离线和 DC-DC 转换器应用而设计，为设计人员提供了外部部件极少的成本高效方案。这些集成电路具有振荡器、温度补偿参考、高增益误差放大器、电流传感比较器和高电流图腾柱输出，适用于驱动功率 MOSFET。还包括了保护功能，有输入和参考欠压锁定且均具有迟滞、按周期电流限制、用于单脉冲计量的锁存，以及每隔一个振荡器周期即对输出进行间隔关断的触发器，可将输出停滞时间编程为 50% 到 70%。此类器件采用 8 引脚双列直插和表面贴装 (SO-8) 塑料封装以及 14 引脚塑料表面贴装 (SO-14) 封装。SO-14 封装具有单独的电源和接地引脚用于图腾柱输出级。UCX844B 的 UVLO 阈值为 16 V（开）和 10 V（关），适用于离线转换器。UCX845B 针对 UVLO 阈值为 8.5 V（开）和 7.6 V（关）的低电压阈值而量身定制。

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型号：FAN2001MPX 编号：C890637

封装：WDFN-6(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

FAN2001MPX是一款高效率、低噪声的同步PWM电流模式和脉冲跳过（节能）模式的DC-DC转换器,适用于电池供电应用。它可以提供高达1 A的输出电流,输入电压范围为2.5 V到5.5 V,输出电压可通过外部电压分压器在0.8 V到5.5 V之间调整。

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型号：NIS6452MT2TWG 编号：C893387

封装：WQFN-12(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效的可复位保险丝，可大大提高硬盘或其他电路免受灾难性和停机故障的可靠性。它旨在缓冲负载设备免受可能损坏敏感电路的过高输入电压的影响，并保护输入侧电路免受反向电流的影响。它包括一个过压钳位电路，可在瞬态期间限制输出电压，但不会关闭设备，从而允许负载电路继续运行。

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型号：NCV57080CDR2G 编号：C904654

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器，具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。这些器件接受互补输入，并根据引脚配置，为系统设计提供便利选项，如有源米勒钳位（A 版本）、负电源（B 版本）以及独立的高低（OUTH 和 OUTL）驱动器输出（C 版本）。该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平，采用窄体 SOIC - 8 封装。

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型号：NCP4306AAAZZZAMN1TBG 编号：C603719

封装：DFN-8-EP(2x2.2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4306 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调或固定可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4306 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：NCP10970B1DR2G 编号：C904379

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

包含一个高压开关、线性稳压器和专用比较器电路。开关适用于构建高达16V的输出电压（通过FB引脚上的电阻分压器可调），并具有短路保护功能。专用内部电路可防止连续导通模式（CCM）运行，提高浪涌耐受性、效率和电磁兼容性（EMI）。在空载/轻载条件下，器件进入跳周期操作，确保低待机功耗。一种专有技术可确保从输出开关电压轨到为线性稳压器供电的原始子电压轨的降压转换过程中实现高效率。专用比较器电路可指示控制部分已达到过热点。比较器输入由精确的恒流源偏置，输出为开漏类型。为确保极低的空载待机功耗，该器件配备了非常有效的待机模式，且恢复到正常运行模式的唤醒时间较短。

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型号：NCP11184A130PG 编号：C3094531

封装：PDIP-7

品牌：onsemi(安森美)

NCP1118x集成了采用mWSaver技术的峰值电流模式PWM控制器和高度耐用的800 V超结（SJ）MOSFET，在反激式转换器中表现尤为出色。mWSaver技术可在轻载条件下降低控制器的开关频率和工作电流，有助于避免声学噪声问题，甚至能满足国际节能标准，如能源之星（Energy Star）。此外，NCP1118x还具备高压启动电路、频率跳变功能、斜率补偿、恒定输出功率限制以及高度可靠的多种保护功能，便于设计，减少了物料清单（BOM）数量，缩小了PCB尺寸，降低了离线式电源的设计成本。这些保护功能包括反馈引脚开环保护、电流检测电阻短路保护、欠压保护以及通过线路电压检测引脚实现的线路过压保护，且均具备自动恢复功能。

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型号：NCP1632ADR2G 编号：C5209120

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

NCP1632A是一款交错式两相PFC控制器。它设计用于在重载条件下以临界导通模式（CrM）运行，在轻载时以带频率折返的不连续导通模式（DCM）运行，从而在整个功率范围内实现优化效率。此外，该电路集成了保护功能，以确保可靠运行。更广泛地说，NCP1632A的功能使其成为需要成本效益、可靠性、低待机功耗、宽负载范围内的高效能以及接近单位功率因数的系统的理想选择。

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