安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：NCP718ASN250T1G 编号：C892788

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP718是一款300 mA的低压差（LDO）线性稳压器。它是一款非常稳定且精确的器件，具有超低静态电流消耗（在全温度范围内典型值为4 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达24 V）。

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型号：NCV303LSN31T1G 编号：C464244

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP/NCV302 和 NCP/NCV303 系列是第二代超低电流电压检测器，包含了一个可编程时间延迟生成器。此类器件专门用作重置控制器，适用于较长电池寿命至关重要的、基于便携式微处理器的系统。每个系列均具有带有迟滞的高准确度欠电压检测器，以及外部可编程时间延迟生成器。这种功能组合可防止错误的系统重置运行。NCP/NCV302 系列由互补输出器件组成，并提供有效高电平或有效低电平重置。NCP/NCV303 系列具有开路漏极 N 沟道输出，且带有有效低电平重置输出。

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型号：NCP711ASN330T1G 编号：C892725

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP711器件具备独特的特性组合——极低的静态电流、快速的瞬态响应以及较宽的输入和输出电压范围。NCP711是一款CMOS低压差（LDO）稳压器，其输入电压最高可达18 V，输出电流为100 mA。仅1 μA的静态电流使该器件成为电池供电、常通系统的理想解决方案

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型号：NCP699SN18T1G 编号：C233371

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP699系列固定输出LDO专为需要低静态电流的手持通信设备和便携式电池供电应用而设计。该系列的接地电流非常低，仅40 μA，且与负载电流无关。每个器件包含一个电压参考单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管、用于设置输出电压的内部电阻、电流限制和温度限制保护电路。

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型号：NCP718BSN250T1G 编号：C892793

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCV8161AMX280TBG 编号：C604029

封装：UDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP380LSN05AAT1G 编号：C603709

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NLPS22990MN1TAG 编号：C604187

封装：WDFN-10-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

NLPS22990和NLPS22990N器件是导通电阻为3.9 mΩ的单通道负载开关，具备可控且可调节的开启功能，并集成了电源好（PG）指示功能。每个器件均为N沟道MOSFET，其输入电压范围为0.6 V至5.5 V。该开关支持的最大连续电流为10 A

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型号：MC78FC50HT1G 编号：C232425

封装：SOT-89

品牌：onsemi(安森美)

MC78FC00 系列电压调节器专为用作视频仪器、手持通信设备和电池供电设备的电源而设计。MC78FC00 系列电压调节器 IC 具有高精度输出电压和超低静态电流的特点。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个驱动晶体管、用于设置输出电压的电阻以及一个限流电路

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型号：NCV8187AMT180TAG 编号：C893189

封装：WDFN-6(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

是 1.2 A LDO 线性稳压器。是非常稳定和精确的设备，具有低静态电流消耗（全温度范围内典型值为 30μA）、低压差、低输出噪声和非常好的 PSRR。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断、软启动、限流，还有用于轻松实现 MCU 接口的 Power Good 输出信号。

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型号：MC33269DR2G 编号：C903945

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC33269/NCV33269系列是低压差、中电流、固定和可调的正电压稳压器，专为低输入电压应用而设计。这些器件为电路设计人员提供了一种经济的精密电压调节解决方案，同时将功率损耗降至最低。稳压器由一个1.0 V压差复合PNP-NPN传输晶体管、电流限制和热关断组成。

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型号：NCP177BMX330TCG 编号：C892280

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是CMOS LDO稳压器，具有500 mA输出电流。输入电压低至1.6 V，输出电压可从0.7 V设置。

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型号：NCP167AMX280TBG 编号：C892223

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一个线性稳压器，能够提供700 mA输出电流。旨在满足RF和模拟电路的要求，提供低噪声、高PSRR、低静态电流和非常好的负载/线路瞬态性能。该器件设计用于与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用。有两种厚度的超小型0.35P、0.65mm×0.65mm芯片级封装（CSP）和XDFN4 0.65P、1mm×1mm封装。

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型号：NCP167AMX180TBG 编号：C892222

封装：XDFN-4-EP(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

NCP167是一款线性稳压器，能够提供700 mA的输出电流。该NCP167器件专为满足射频（RF）和模拟电路的要求而设计，具备低噪声、高电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及出色的负载/线性瞬态响应特性。该器件设计为搭配1 μF的输入和1 μF的输出陶瓷电容使用

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型号：NCV303LSN42T1G 编号：C892937

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是第二代超低电流电压检测器，包含可编程时间延迟发生器。专为便携式微处理器系统中的复位控制器而设计，在这些系统中，延长电池寿命至关重要。每个系列都具有一个高精度的欠压检测器和一个外部可编程时间延迟发生器，这种特性组合可防止系统复位操作不稳定。

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型号：NCV8164AMTWADJTAG 编号：C5209202

封装：WDFNW-6

品牌：onsemi(安森美)

是一款300 mA的LDO，具有高PSRR、超低噪声和低压差特性，带有Power Good开集电极输出。旨在满足RF和敏感模拟电路的要求，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流，还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于与1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容器配合使用，有行业标准的TSOP-5、WDFNW6 0.65P 2mm×2mm和DFNW8 0.65P 3mm×3mm封装。

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型号：NCP59801CMLADJTCG 编号：C5209185

封装：DFNW-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一款1A LDO，具有高电源抑制比（PSRR）、低噪声和低压差特性，带有电源良好（Power Good）开集电极输出。专为满足射频和敏感模拟电路的要求而设计，可提供低噪声、高PSRR和低静态电流，同时能够将输出电压调节至低至0.6V。该器件还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于与4.7μF的输入和输出陶瓷电容器配合使用。有行业标准的DFNW8 0.65P（3mm×3mm）和WDFNW6 0.65P（2mm×2mm）封装可供选择。

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型号：NCP711ASN500T1G 编号：C892726

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP711器件具备独特的特性组合——极低的静态电流、快速的瞬态响应以及较宽的输入和输出电压范围。NCP711是一款CMOS低压差（LDO）稳压器，其输入电压最高可达18 V，输出电流为100 mA。仅1 μA的静态电流使该器件成为电池供电、常通系统的理想解决方案

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型号：NCP752ASN33T1G 编号：C892831

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

噪声敏感的射频应用,如卫星收音机中的功率放大器、信息娱乐设备和精密仪器,需要非常干净的电源。该产品可提供非常稳定、精确的电压,具有超低噪声和非常高的电源抑制比 (PSRR),适用于射频应用。该器件无需任何额外的噪声旁路电容即可实现超低噪声性能。为了优化电池供电的便携式应用的性能,该产品采用了自动低功耗功能,以实现超低静态电流消耗。

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型号：LM317MDTG 编号：C232650

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP1117ST25T3G 编号：C233237

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout 正电压调节器，能够提供超过 1.0A 的输出电流，在 800mA 时最大 dropout 电压为 1.2V。该系列包含 1.5V、1.8V、1.9V、2.0V、2.5V、2.85V、3.3V、5.0V 和 12V 九种固定输出电压，无需最小负载即可保持稳压。此外，还有一个可调输出版本，可通过两个外部电阻从 1.25V 编程到 18.8V。片上微调将参考/输出电压调整到 ±1.0% 的精度。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和热关断。可在高达 20V 的输入下工作。器件采用 SOT-223 和 DPAK 封装。

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型号：NCP151AAMX330180TCG 编号：C603593

封装：XDFN-4(1x1)

品牌：onsemi(安森美)

是一款双线性稳压器，能够从 1.7 V 输入电压提供 300 mA 输出电流。该器件提供 0.8 V 至 3.6 V 的宽输出电压范围。为了优化电池供电便携式应用的性能，采用动态静态电流调整，在无负载时实现极低的 IQ 消耗。

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型号：NCV8164CSN180T1G 编号：C893145

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCV8164C是一款300 mA的低压差线性稳压器（LDO），属于下一代高电源抑制比（PSRR）、超低噪声、低压差稳压器，具备电源正常（Power Good）开集电极输出功能。该器件专为满足射频（RF）和敏感模拟电路的需求而设计，能够提供超低噪声、高电源抑制比和低静态电流。此外，它还具备出色的负载/线性瞬态响应特性

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型号：NCV361SNT1G 编号：C603913

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

当在输入端检测到错误的VBUS工作条件时，该产品会断开其输出端的系统。系统具有正向过压保护，最高可达+20V。由于集成了PMOS FET，无需外部设备，降低了系统成本和应用板的PCB面积。如果输入电压超过过压阈值（5.675V），该产品能够立即将输出与输入断开。由于具有过流保护功能，当充电电流超过电流限制时，集成的PMOS会关闭。该产品提供一个负向标志（FLAG）输出，用于提醒系统发生了电压、电流或过热故障。此外，当与1μF或更大的电容旁路时，该设备的输入具有ESD保护（15kV空气放电）。

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型号：MC78M12CTG 编号：C233228

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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型号：NCV8163ASN180T1G 编号：C604039

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是下一代高PSRR、超低噪声LDO，能够提供250 mA输出电流。旨在满足RF和敏感模拟电路的要求，提供超低噪声、高PSRR和低静态电流，还具有出色的负载/线路瞬态性能。设计用于配合1 μF输入和1 μF输出陶瓷电容工作，提供XDFN4 0.65P、1 mm×1 mm和TSOP-5封装。

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型号：FPF1204UCX 编号：C232816

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF 1203 / 03L / 04 是超小型集成式 IntelliMAX 负载开关，具备集成 P 沟道开关和模拟控制功能。集成的压摆率控制可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上出现过大的电压降。输入电压范围为 1.2 V 至 5.5 V，可为便携式和消费类产品中的后调节电源轨提供电源断开功能

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型号：LP2950CDT-5.0G 编号：C68189

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

低功耗

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型号：MC33269T-3.3G 编号：C232423

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

是低 dropout、中电流、固定和可调的正电压调节器，专为低输入电压应用而设计，为电路设计师提供了一种经济的精密电压调节解决方案，同时将功率损耗降至最低。调节器由 1.0 V dropout 复合 PNP-NPN 传输晶体管、限流和热关断组成。

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型号：NCP189CMTW330TAG 编号：C5209178

封装：WDFNW-6

品牌：onsemi(安森美)

是一款0.5A的LDO，为下一代高PSRR、低噪声和低压差稳压器，具有Power Good开集电极输出。旨在满足RF和敏感模拟电路的要求，提供低噪声、高PSRR和低静态电流，同时能够将输出电压调节至低至0.6V。该器件还具有出色的负载/线路瞬态响应。设计用于与4.7μF的输入和输出陶瓷电容器配合使用，采用行业标准的WDFNW6 0.65P、2mm×2mm封装。

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