安森美电源管理芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：WLCSP-4(1x1)

NCP334 和 NCP335 为极低导通电阻 MOSFET，通过外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备自治。由于使用 PMOS 结构实现的电流耗量优化，不使用时绝缘了电池上联接的集成电路，消除了漏电流。NCP335 版本中提供了输出放电路径。

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型号：NCP380HMUAJAATBG 编号：C145185

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：NCP186AMX120TAG 编号：C603675

封装：XDFN-8-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCP1623ASNT1G 编号：C5159251

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP1623极为紧凑，旨在优化整个负载范围内PFC级的效率。它还集成了保护功能，确保运行稳定。总体而言，NCP1623非常适合对成本效益、可靠性、高功率因数和效率比有严格要求的系统。

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型号：LP2950CZ-3.3RAG 编号：C903065

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

是微功率电压调节器，专门设计用于在极低的输入输出电压差下保持适当的调节。这些设备的静态偏置电流非常低，为75 μA，能够提供超过100 mA的输出电流，并提供内部电流和热限制保护。LP2951有三个附加功能，一是误差输出，可用于向外部电路发出调节异常的信号，或作为微处理器上电复位；二是输出电压可预设为5.0 V、3.3 V或3.0 V（取决于版本），也可在1.25 V至29 V之间进行编程；三是关断输入，允许逻辑电平信号关闭或开启稳压器输出。由于其低输入输出电压差和偏置电流规格，这些设备非常适合用于电池供电的计算机、消费和工业设备，以延长电池的使用寿命。

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型号：MC7905BTG 编号：C153066

封装：TO-220

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器是流行的 MC7800 系列设备的补充。这些负电压调节器提供与 MC7800 设备相同的七种电压选项。此外，MECL 系统中常用的一种额外电压选项在负 MC7900 系列中也可用。提供从 -5.0V 到 -24V 的固定输出电压选项，这些调节器采用了限流、热关断和安全区补偿功能，使其在大多数工作条件下都非常坚固。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。

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型号：NIS5420MT6TXG 编号：C2902285

封装：WDFN-10(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是一种经济高效、可复位的保险丝，可大大提高硬盘或其他电路的可靠性，避免灾难性和停机故障。它旨在缓冲负载设备，防止输入电压过高损坏敏感电路。还包括过压钳位电路，可在瞬态期间限制输出电压，但不会关闭设备，从而允许负载电路继续运行。

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型号：NCP551SN30T1G 编号：C78247

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

3.0V微功耗稳压

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型号：MC78LC18NTRG 编号：C891507

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

MC78LC00系列固定输出低压差线性稳压器专为手持通信设备和需要低静态电流的便携式电池供电应用而设计。MC78LC00系列的特点是具有1.1 μA的超低静态电流。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个PMOS功率晶体管和用于设置输出电压的电阻。 MC78LC00设计用于搭配低成本陶瓷电容，且要求最小输出电容为0.1 μF。该器件采用微型薄型SOT23 - 5表面贴装封装和3引脚SOT - 89封装。标准电压版本有1.5、1.8、2.5、2.7、2.8、3.0、3.3、4.0和5.0 V。其他电压可按100 mV的步长提供。

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型号：FAN48623UC50X 编号：C890726

封装：WLCSP-16(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FAN48623使系统能够利用新型电池化学体系的优势，当电池电压低于系统电源IC所需电压时，这些新型电池化学体系仍能提供大量电能。通过集成内置功率晶体管、同步整流和低电源电流，这款IC为采用先进锂离子电池化学体系的系统提供了紧凑的解决方案。FAN48623是一款升压调节器，旨在即使单节锂离子电池的电压低于系统最低电压，也能提供最低输出电压

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型号：FPF2290BUCX-F130 编号：C891244

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2290 具有低导通电阻 (RON) 内部场效应晶体管 (FET)，工作电压范围为 2.5 V 至 23 V。内部钳位电路能够分流 ±100 V 的浪涌电压，保护下游组件并增强系统稳定性。

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型号：TL431AILPRPG 编号：C19584

封装：TO-92-Forming1

品牌：onsemi(安森美)

电压参考，可编程精度，分路稳压器

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型号：FAN6248HDMX 编号：C606296

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FAN6248是一款先进的同步整流器（SR）控制器，针对LLC谐振转换器拓扑进行了优化，所需外部元件极少。它有两个驱动级，用于驱动对变压器次级绕组输出进行整流的SR MOSFET。这两个栅极驱动级有各自的感应输入，且相互独立工作。自适应寄生电感补偿功能可最大限度减少体二极管导通，从而提高效率。先进的控制算法可确保SR在整个负载范围内稳定运行。根据工作频率和关断阈值电压，FAN6248有四个不同版本——FAN6248HCMX、FAN6248HDMX、FAN6248LCMX、FAN6248LDMX。

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型号：NCP4306DAHZZAASNT1G 编号：C603725

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP4306 是一款高性能驱动器，专门为控制开关模式电源中的同步整流 MOSFET 而设计。由于其高性能驱动器和多功能性，可用于多种拓扑结构，如 DCM 或 CCM 反激、准谐振反激、正向和半桥谐振 LLC。外部可调或固定可调最短开关时间间隔时段的组合有助于抵御 PCB 布局和其他寄生元件产生的振铃。SR 系统的可靠低噪音运行由于自同步功能而得以保证。NCP4306 还利用 MOSFET 的驱动器开尔文连接，实现了满负载下的高能效运行，利用轻负载检测结构实现了轻负载下的高能效。该驱动器精确的关断阈值、极低的关断延迟时间和高接受电流功能可实现最长的同步整流 MOSFET 导通时间以及最高的 SMPS 能效。这种高准确性驱动器和 5V 门极箝位实现了 GaN MOSFET 的使用。

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型号：NCP702SN30T1G 编号：C603771

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

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型号：NCV4254CPDAJR2G 编号：C904613

封装：SOIC-8-EP

品牌：onsemi(安森美)

NCV4254C 是一款单片集成式低漏跟踪稳压器，适用于紧密跟踪参比输入电压的可调缓冲输出电压。该输出可高达 70 mA，同时能够配置为高于、低于或等于参比电压。该零部件可用于带远程传感器的汽车应用，或需要隔离其他稳压器输出的场合。需要现有稳压器无法提供的更高电流时，NCV4254C 还能让用户快速升级模块。

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型号：NCP45520IMNTWG-H 编号：C509024

封装：DFN-8(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动功能实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：NCP380HSNAJAAT1G 编号：C77573

封装：TSOP-6-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：FAN48623UC50GX 编号：C890725

封装：WLCSP-16(1.8x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FAN48623使系统能够利用新型电池化学体系的优势，当电池电压低于系统电源IC所需电压时，这些新型电池化学体系仍能提供大量电能。通过集成内置功率晶体管、同步整流和低电源电流，这款IC为采用先进锂离子电池化学体系的系统提供了紧凑的解决方案。FAN48623是一款升压调节器，旨在即使单节锂离子电池的电压低于系统最低电压，也能提供最低输出电压

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型号：NCP3133AMNTXG 编号：C603696

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP3133A 是一款完全集成的同步降压转换器,适用于3.3 V和5 V降压应用。它可以提供高达3 A的负载电流,支持高效率和快速瞬态响应,并提供电源良好指示器。控制方案包括两种工作模式:FCCM和自动CCM/DCM。在自动CCM/DCM模式下,控制器可以在CCM和DCM之间平滑切换,以更高的效率运行。

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型号：NCP730ASN250T1G 编号：C892811

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

是一款CMOS LDO稳压器，设计用于高达38V的输入电压和150mA的输出电流。仅1μA的静态电流使其成为电池供电、始终开启系统的理想解决方案。有几种固定输出电压版本以及可调版本。该器件（B版本）实现了电源良好电路（PG），用于指示输出电压是否处于稳压状态，此信号可用于电源排序或作为微控制器复位信号。内部短路和过温保护可防止器件在过载条件下损坏。

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型号：NCV8664CDT33RKG 编号：C604072

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

是一款精密的3.3V和5.0V固定输出、低压差集成电压调节器，输出电流能力为150mA。精心管理轻载电流消耗，结合低泄漏工艺，实现了22μA的典型静态电流。引脚和功能与NCV4264-2C兼容，在需要较低静态电流时可以替代该部件。输出电压精度在±2.0%以内，在满载额定电流下最大压差为600mV。内部具备防止输入电源反转、输出过流故障和芯片过热的保护功能，无需外部组件即可启用这些功能。

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型号：NCP186BMX330TAG 编号：C603677

封装：XDFN-8-EP(1.2x1.6)

品牌：onsemi(安森美)

是CMOS LDO稳压器，具有1A输出电流。输入电压低至1.8V，输出电压可从0.8V开始设置。

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型号：NCP45540IMNTWG-H 编号：C154609

封装：DFN-12(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP45540 负载开关提供的方案可减少组件数量和面积，通过软启动使用涌入电流限值实现高效的功率域切换。除了集成的控制功能和超低导通电阻之外，该器件还通过故障保护和电源正常信号提供了附加的系统保护和监控。此经济高效的方案适用于需要小占位和低功耗的功率管理和热插拔应用。

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型号：NCV8535MN500R2G 编号：C893204

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

是高性能、低压差稳压器。在线路和负载上精度为 ±0.9%，具有超低静态电流和噪声，涵盖了当今消费电子产品所需的所有必要特性。无需最小负载电流即可保证稳定，使用低至 1.0 μF 的任何类型电容器都能保持稳定。还配备了检测和降噪引脚，以提高设备的整体实用性，提供反向偏置保护。

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型号：NCP716BCSN300T1G 编号：C2902125

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

是 150 mA LDO 线性稳压器。它是一种非常稳定和精确的器件，具有超低接地电流消耗（在整个输出负载范围内为 4.7 μA）和较宽的输入电压范围（最高可达 24 V）。该稳压器集成了多种保护功能，如热关断和限流。

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型号：NCP4318BLCDR2G 编号：C2902034

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP4318是一款适用于LLC谐振转换器的先进同步整流（SR）控制器，所需外部元件极少。它有两个栅极驱动级，用于驱动对变压器次级绕组输出进行整流的SR MOSFET。这两个栅极驱动级各自拥有漏极和源极感应输入，且相互独立工作。先进的自适应死区时间控制可补偿寄生电感上的电压，以减少体二极管导通，最大化系统效率。先进的关断控制算法可确保SR在整个负载范围内稳定运行。NCP4318有两种引脚分配版本——NCP4318AXX和NCP4318BXX。

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型号：NCV8406ASTT3G 编号：C459816

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8406 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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型号：NCP59800BMNADJTBG 编号：C464053

封装：DFN-8(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

NCP59800 属于 1 A 低漏线性稳压器 (LDO) 系列，具有高电源抑制比 (PSRR) 和超低输出噪声。该 LDO 系列采用先进的 BiCMOS 工艺，电气性能极佳。它是通信设备中所用的噪音敏感性模拟射频前端的理想选择。NCP59800 采用 3 mm x 3 mm DFN8 封装。

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型号：NCV59745AMW1015TAG 编号：C892993

封装：QFN-20(4x4)

品牌：onsemi(安森美)

是非常低压差的低噪声双轨电压调节器，能够在满载电流下提供超过3.0A的输出电流，典型压差电压为115mV。该系列包含固定输出电压器件。高输出电流能力、高精度、宽带宽、高电源抑制比和低噪声，使其非常适合为对噪声敏感的高速通信设备、高端FPGA和微处理器供电。采用QFNW20 4.0mm×4.0mm封装。

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