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是超低330nA静态电流降压（降压）DCDC转换器，可在1.8V至5.5V输入电压下工作，支持高达175mA、350mA、700mA的负载电流，峰值效率达96%。关机时，关机电流仅为5nA。该器件提供超低静态电流、小的总解决方案尺寸，并在整个负载范围内具有高效率。适用于必须延长电池寿命的电池应用。MAX38642在关机时不包括有源放电电阻，允许输出由另一个电源或充电输出电容调节或保持高电平。提供节省空间的1.42mm×0.89mm 6引脚WLP（2×3凸块，0.4mm间距）以及2mm×2mm 6引脚uDFN封装。所有部件的工作温度范围为-40℃至+85℃。

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型号：MIC5319-5.0YML-TR 编号：C622147

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能 500 mA LDO 稳压器，具有高 PSRR、超低噪声和低接地电流。适用于电池供电应用，精度达 1%，压差极低（500 mA 时典型值为 200 mV），轻载时接地电流低（典型值为 90 μA）。配备逻辑兼容使能引脚，可设置为零关断模式电流状态，禁用时典型电流仅为 0.5 μA。μCap 设计，使用非常小的陶瓷输出电容即可稳定工作，从而减少所需的电路板空间和元件成本。有固定输出电压和可调输出版本，采用紧凑的 2 mm × 2 mm DFN 无铅封装或薄型 SOT23-5 封装。

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型号：MAX6175BASA+ 编号：C1575503

封装：SOIC-8

是低噪声、高精度电压基准源。具有专有的温度系数曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，温度系数低至3ppm/℃，初始精度达±0.06%。提供TEMP输出，输出电压与管芯温度成正比，适用于各种温度传感应用。还提供TRIM输入，可通过电阻分压器网络微调输出电压

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型号：RT8816AGQW 编号：C3031674

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8816A是一款2/1相同步降压PWM控制器，专为高性能图形微处理器进行了优化，并通过PWMVID接口支持英伟达（nVidia）OVR2规格。该IC将恒定导通时间（COT）PWM控制器、两个内置自举二极管的MOSFET驱动器，以及通道电流平衡和保护功能（包括过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、电流限制和热关断）集成到3x3 WQFN-20L封装中。RT8816A采用RDS(ON)电流检测技术

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型号：TC1017-2.5VLTTR 编号：C5237501

封装：SC-70-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高精度（通常为±0.5%）的CMOS升级产品，用于替代双极低压差稳压器（LDO）。采用SC-70或SOT-23封装，SC-70封装比流行的SOT-23封装占用面积减少50%，且提供两种引脚排列，便于电路板布局。专为电池供电系统开发，CMOS结构在整个150mA工作负载范围内仅消耗53μA典型电源电流，比双极LDO的静态工作电流低达60倍。在整个输入电压和输出电流范围内，使用低值（1μF）陶瓷或钽电容器即可稳定工作，有助于减少电路板空间并节省成本

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型号：IW1799-02 编号：C424989

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

iW1799是一款高性能AC/DC电源控制器，适用于支持高分辨率电压/电流控制的快速充电应用。该器件可支持功率等级达45W及以上的高功率应用，能支持最高21V、步长为10mV的电压调节请求。它采用Dialog的PrimAcconcrete™技术，以减少外部元件数量并简化系统设计

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型号：TP10DB 编号：C5154987

封装：-

品牌：SURGING(绍鑫)

TP10DB 是一款电源防雷器；应用于路灯照明（ClassI2、ClassII3）、景观灯照明等商用照明电源的浪涌防护，以及安防、电器、插座等电源端口的浪涌防护。TP10DB 具有全密封外壳，防火、防水、防尘，IP67 防护等级。该防雷器采用全模式保护，应用 UVT1 技术，并带有漏流 4 和续流 5 遮断功能。产品体积小巧，且自带 L、N 和 PE 连接线，安装应用十分方便。该产品的最大防护雷击电流达 10kA6，能够耐受 10kV7 的浪涌电压冲击。

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型号：LTC3896EFE#PBF 编号：C687039

封装：TSSOP-38-EP-4.4mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3896是一款高性能反相DC/DC开关稳压器控制器，可驱动全N沟道同步功率MOSFET级。它能将宽范围的正输入电压源转换为稳压负输出，该负输出电压可比地电位低达60V。输入电压范围低至4V，高达140V - |V_{OUT}^{- }

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￥63.7524 / 个

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型号：TPS54318RTET 编号：C882748

封装：WQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

TPS54318是一款全功能6V、3A同步降压电流模式转换器,具有两个集成的MOSFET。该器件通过实施电流模式控制来减少外部组件数量,通过启用高达2MHz的开关频率来减小电感尺寸,并借助小型3mm×3mm热增强型QFN封装尽量减小器件封装尺寸,从而实现小型设计。TPS54318可在整个温度范围内为多种负载提供电压基准（VREF)精度达+1%的精确调节。

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型号：UCC21220DR 编号：C2878023

封装：SOIC-16

品牌：TI(德州仪器)

UCC21220 和UCC21220A 器件是具有4A 峰值拉电流和6A 峰值灌电流的基本隔离式和功能隔离式双通道栅极驱动器。它们设计用于在PFC、隔离式直流/直流和同步整流应用中驱动功率MOSFET 和GaNFET ，借助超过100V/ns 的共模瞬态抗扰度(CMTI)，可实现快速开关性能和稳健的接地反弹保护。这些器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或半桥驱动器。可以将两个输出并联，以形成单个驱动器，由于具有一流的延迟匹配性能，因此可以在重负载条件下使驱动强度加倍。保护功能包括：DIS 引脚在设置为高电平时可同时关断两个输出；INA/B 引脚可抑制短于5ns 的输入瞬态；输入和输出可以承受–2V 的尖峰达200ns，所有电源都具有欠压锁定(UVLO) 功能，有源下拉保护功能可以在断电或悬空时将输出钳制在2.1V 以下。凭借这些功能，这些器件可实现高效率、高功率密度和稳健性，适用于多种电源应用。

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型号：NCP1729SN35T1G 编号：C82407

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP1729是一款CMOS电荷泵电压反相器，设计用于在1.5 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为122 μA，并提供节能关断输入，可将电流进一步降低至仅0.4 μA。该器件包含一个35 kHz的振荡器，驱动四个低电阻MOSFET开关，输出电阻低至26 Ω，电压转换效率达99%。这款器件仅需两个3.3 μF的外部电容即可构成完整的反相器，是众多电池供电和板级应用的理想解决方案。NCP1729采用节省空间的TSOP−6封装。

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型号：ISL21090BFB825Z-TK 编号：C2156550

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21090是一款超低噪声、高直流精度的精密电压基准源，具有较宽的输入电压范围。ISL21090采用全新的Intersil先进双极技术，在0.1Hz至10Hz频率范围内实现了低于1.0μVₚ₋ₚ（1.25V选项）的噪声，初始电压精度达0.02%（2.5V选项）。ISL21090提供1.25V、2.5V、5.0V和7.5V的输出电压选项，温度系数为7ppm/°C，同时具备出色的线性调整率和负载调整率

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￥8.64 / 个

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型号：TS3312AQPR 编号：C2071866

封装：QFN-8(1.5x1.5)

品牌：ST(意法半导体)

TS33系列低功耗电压基准源能够在较宽的温度范围（-40至+125°C）内提供稳定、精确的输出电压，初始精度达0.15%。超低工作电流是其在功率受限设计中的关键优势。此外，TS33在整个工作温度范围内非常稳定，适用于高精度应用

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￥4.175491 / 个

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型号：TS3330AQPR 编号：C2156899

封装：UQFN-8(1.5x1.5)

品牌：ST(意法半导体)

TS33系列低功耗电压基准源能够在较宽的温度范围（-40至+125°C）内提供稳定、精确的输出电压，初始精度达0.15%。超低工作电流是其在功率受限设计中的关键优势。此外，TS33在整个工作温度范围内非常稳定，适用于高精度应用

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型号：MCP73871T-3CCI/ML 编号：C623877

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是用于系统负载共享和锂离子/锂聚合物电池充电管理的完全集成线性解决方案，具备交流-直流壁式适配器和USB端口电源选择功能，也能在输入和电池之间自动选择电源。所需外部组件数量少，尺寸小，非常适合便携式应用。自动从单节锂离子电池或输入电源（交流-直流壁式适配器或USB端口）获取系统负载所需的电源，严格遵守USB规范规定的电流汲取限制。使用交流-直流壁式适配器为系统供电时，外部电阻可设置最大1A充电电流，同时支持系统负载和电池充电电流总计达1.8A

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型号：MAX1720EUTG 编号：C70466

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

MAX1720是一款CMOS电荷泵电压反相器，设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为67 μA，并提供节能关断输入，可将电流进一步降低至仅0.4 μA。该器件包含一个12 kHz振荡器，驱动四个低电阻MOSFET开关，输出电阻低至26 Ω，电压转换效率达99%。这款器件仅需两个外部10 μF电容即可构成完整的反相器，是众多电池供电和板级应用的理想解决方案。MAX1720采用节省空间的TSOP−6封装。

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型号：SG3525AP 编号：C19884

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

SG3525A系列脉冲宽度调制器集成电路旨在用于设计各类开关电源时，提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1V基准电压经过微调，精度达±1%，误差放大器的输入共模范围包含基准电压，无需外部电阻。振荡器的同步输入允许多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。CT端和放电端之间的单个电阻可实现宽范围的死区时间调节。这些器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断端可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断的PWM锁存器实现瞬时关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。这些功能还受欠压锁定电路控制，该电路在输入电压低于正常水平时，使输出关闭，软启动电容放电。此锁定电路包含约500mV的迟滞，以实现无抖动运行。这些PWM电路的另一特性是比较器后接锁存器。一旦PWM脉冲因任何原因终止，输出将在整个周期内保持关闭。锁存器随每个时钟脉冲复位。输出级采用图腾柱设计，能够提供或吸收超过200mA的电流。SG3525A输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

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￥6.59
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￥5.5
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￥3.92
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￥3.62
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型号：MAX1793EUE33/V+T 编号：C3743716

封装：TSSOP-16-EP

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

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￥7.52
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￥7.26
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型号：MAX1793EUE33/V+ 编号：C3747313

封装：TSSOP-16-EP

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

单价：
￥23.976 / 个

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型号：MAX1793EUE25+ 编号：C5668395

封装：TSSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

单价：
￥20.4552 / 个

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型号：MAX1793EUE33+ 编号：C3750331

封装：TSSOP-16-EP

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

单价：
￥21.2544 / 个

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型号：MAX1793EUE18+ 编号：C3752656

封装：TSSOP-16-EP

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

单价：
￥20.4552 / 个

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型号：MAX1793EUE50+ 编号：C3751576

封装：TSSOP-16-EP

低压差、低IQ、1A线性稳压器、压差仅为210mV的1A LDO，封装耗散功率达1.7W，尺寸比SOT23封装缩小30%

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型号：AMS1117-3.3 编号：C347222

封装：SOT-223

是正低压差稳压器；典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%，固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性，适用于所有电子产品。

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￥0.2366
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￥0.1859
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￥0.1599
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￥0.1254
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￥0.1179
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￥0.1128

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型号：78L05 编号：C347258

封装：SOT-89-3

特性：最大输出电流为100mA。输出电压为3.3V、5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V和24V。热过载保护。短路电流限制

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￥0.1944
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￥0.1423
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￥0.1192
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￥0.1018
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￥0.0949
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￥0.0903

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型号：78M05 编号：C347278

封装：TO-252

三端正稳压器采用TO-252封装，有几种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。

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￥0.3621
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￥0.3126
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￥0.2721
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型号：XL1509-5.0 编号：C2902368

封装：SOIC-8