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型号：LT6657BHMS8-3#PBF 编号：C673453

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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型号：RT8816AGQW 编号：C3031674

封装：QFN-20-EP(3x3)

品牌：RICHTEK(立锜)

RT8816A是一款2/1相同步降压PWM控制器，专为高性能图形微处理器进行了优化，并通过PWMVID接口支持英伟达（nVidia）OVR2规格。该IC将恒定导通时间（COT）PWM控制器、两个内置自举二极管的MOSFET驱动器，以及通道电流平衡和保护功能（包括过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、电流限制和热关断）集成到3x3 WQFN-20L封装中。RT8816A采用RDS(ON)电流检测技术

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型号：MIC5319-3.0YD5-TR 编号：C626048

封装：TSOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能 500 mA LDO 稳压器，具有高 PSRR、超低噪声和低接地电流。适用于电池供电应用，精度达 1%，压差极低（500 mA 时典型值为 200 mV），轻载时接地电流低（典型值为 90 μA）。配备逻辑兼容使能引脚，可设置为零关断模式电流状态，禁用时典型电流仅为 0.5 μA。μCap 设计，使用非常小的陶瓷输出电容即可稳定工作，从而减少所需的电路板空间和元件成本。有固定输出电压和可调输出版本，采用紧凑的 2 mm × 2 mm DFN 无铅封装或薄型 SOT23-5 封装。

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型号：MIC5319YML-TR 编号：C622148

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能 500 mA LDO 稳压器，具有高 PSRR、超低噪声和低接地电流。适用于电池供电应用，精度达 1%，压差极低（500 mA 时典型值为 200 mV），轻载时接地电流低（典型值为 90 μA）。配备逻辑兼容使能引脚，可设置为零关断模式电流状态，禁用时典型电流仅为 0.5 μA。μCap 设计，使用非常小的陶瓷输出电容即可稳定工作，从而减少所需的电路板空间和元件成本。有固定输出电压和可调输出版本，采用紧凑的 2 mm × 2 mm DFN 无铅封装或薄型 SOT23-5 封装。

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型号：MIC5319-5.0YML-TR 编号：C622147

封装：DFN-6-EP(2x2)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能 500 mA LDO 稳压器，具有高 PSRR、超低噪声和低接地电流。适用于电池供电应用，精度达 1%，压差极低（500 mA 时典型值为 200 mV），轻载时接地电流低（典型值为 90 μA）。配备逻辑兼容使能引脚，可设置为零关断模式电流状态，禁用时典型电流仅为 0.5 μA。μCap 设计，使用非常小的陶瓷输出电容即可稳定工作，从而减少所需的电路板空间和元件成本。有固定输出电压和可调输出版本，采用紧凑的 2 mm × 2 mm DFN 无铅封装或薄型 SOT23-5 封装。

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型号：MAX38641AELT+T 编号：C7456045

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是超低330nA静态电流降压（降压）DCDC转换器，可在1.8V至5.5V输入电压下工作，支持高达175mA、350mA、700mA的负载电流，峰值效率达96%。关机时，关机电流仅为5nA。该器件提供超低静态电流、小的总解决方案尺寸，并在整个负载范围内具有高效率。适用于必须延长电池寿命的电池应用。MAX38642在关机时不包括有源放电电阻，允许输出由另一个电源或充电输出电容调节或保持高电平。提供节省空间的1.42mm×0.89mm 6引脚WLP（2×3凸块，0.4mm间距）以及2mm×2mm 6引脚uDFN封装。所有部件的工作温度范围为-40℃至+85℃。

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型号：MAX6775XKB+T 编号：C5277069

封装：SC-70-5

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

低功耗、精度达1%的电池监测器，提供μDFN和SC70封装

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型号：TC1017-2.5VLTTR 编号：C5237501

封装：SC-70-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高精度（通常为±0.5%）的CMOS升级产品，用于替代双极低压差稳压器（LDO）。采用SC-70或SOT-23封装，SC-70封装比流行的SOT-23封装占用面积减少50%，且提供两种引脚排列，便于电路板布局。专为电池供电系统开发，CMOS结构在整个150mA工作负载范围内仅消耗53μA典型电源电流，比双极LDO的静态工作电流低达60倍。在整个输入电压和输出电流范围内，使用低值（1μF）陶瓷或钽电容器即可稳定工作，有助于减少电路板空间并节省成本

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型号：MIC2033-55AYM6-TR 编号：C625681

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

一款高端MOSFET功率分配开关，可提高系统可靠性，电流限制精度达5%。其工作输入电压范围为2.5V至5.5V，具备内部电流限制功能，并设有热关断保护，可保护器件和系统

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型号：IW1799-02 编号：C424989

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

iW1799是一款高性能AC/DC电源控制器，适用于支持高分辨率电压/电流控制的快速充电应用。该器件可支持功率等级达45W及以上的高功率应用，能支持最高21V、步长为10mV的电压调节请求。它采用Dialog的PrimAcconcrete™技术，以减少外部元件数量并简化系统设计

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型号：SY6935QDC 编号：C207625

封装：QFN-16(3x3)

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6935是一款输入电压范围为4 - 14V、充电电流达3.5A的多节锂离子电池降压充电器。充电电流高达3

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型号：UC2525AN 编号：C1530253

封装：PDIP-16

品牌：TI(德州仪器)

UC1525A/1527A系列脉冲宽度调制器集成电路旨在用于设计各类开关电源时，提升性能并减少外部元件数量。片上5.1V基准电压源精度达1%，误差放大器的输入共模范围包含基准电压，无需外部电阻。振荡器的同步输入可使多个单元同步，或使单个单元与外部系统时钟同步。CT端和放电端之间的单个电阻可实现宽范围的死区时间调节。这些器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断端可控制软启动电路和输出级，通过PWM锁存器实现脉冲关断时的瞬时关断，以及较长关断命令下的软启动循环。

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￥8.809665 / 个

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型号：LTC3779IFE#TRPBF 编号：C685957

封装：TSSOP-38-EP-4.4mm

品牌：ADI(亚德诺)

LTC3779是一款高性能降压-升压型开关稳压器控制器，可在高于、低于或等于输出电压的输入电压条件下工作。恒定频率电流模式架构支持高达600kHz的可锁相频率，同时输入/输出恒流环路可为电池充电提供支持。LTC3779的输入和输出电压范围宽达4.5V至150V，且能在不同工作区域之间实现无缝转换，非常适合应用于汽车、电信和电池供电系统

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型号：LT3905IUD#PBF 编号：C671645

封装：QFN-16-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT3905是一款固定频率的电流模式升压转换器，专为偏置光接收器中的雪崩光电二极管（APD）而设计。LT3905具备高端APD电流监测功能，动态范围达四个数量级，在3μA至3mA范围内相对精度优于2%。最大APD电流可通过单个电阻进行编程设定，带有指示功能的快速电流限制器可在过载情况下保护APD

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型号：MAX6175BASA+ 编号：C1575503

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是低噪声、高精度电压基准源。具有专有的温度系数曲率校正电路和激光微调薄膜电阻，温度系数低至3ppm/℃，初始精度达±0.06%。提供TEMP输出，输出电压与管芯温度成正比，适用于各种温度传感应用。还提供TRIM输入，可通过电阻分压器网络微调输出电压

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￥47.5092 / 个

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型号：TS3312AQPR 编号：C2071866

封装：QFN-8(1.5x1.5)

品牌：ST(意法半导体)

TS33系列低功耗电压基准源能够在较宽的温度范围（-40至+125°C）内提供稳定、精确的输出电压，初始精度达0.15%。超低工作电流是其在功率受限设计中的关键优势。此外，TS33在整个工作温度范围内非常稳定，适用于高精度应用

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￥4.476575 / 个

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型号：TS3330AQPR 编号：C2156899

封装：UQFN-8(1.5x1.5)

品牌：ST(意法半导体)

TS33系列低功耗电压基准源能够在较宽的温度范围（-40至+125°C）内提供稳定、精确的输出电压，初始精度达0.15%。超低工作电流是其在功率受限设计中的关键优势。此外，TS33在整个工作温度范围内非常稳定，适用于高精度应用

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￥19.23
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型号：LT6657AHMS8-3#PBF 编号：C673443

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

LT6657是一款精密电压基准源，它将稳健的工作特性与极低的漂移和噪声相结合。通过先进的曲率补偿，这款带隙基准源的漂移低至1.5ppm/°C，温度特性可预测，初始电压精度达0.1%。它还具备0.5ppmₚ₋ₚ的噪声和极低的温度循环滞后

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型号：MCP73871T-3CCI/ML 编号：C623877

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是用于系统负载共享和锂离子/锂聚合物电池充电管理的完全集成线性解决方案，具备交流-直流壁式适配器和USB端口电源选择功能，也能在输入和电池之间自动选择电源。所需外部组件数量少，尺寸小，非常适合便携式应用。自动从单节锂离子电池或输入电源（交流-直流壁式适配器或USB端口）获取系统负载所需的电源，严格遵守USB规范规定的电流汲取限制。使用交流-直流壁式适配器为系统供电时，外部电阻可设置最大1A充电电流，同时支持系统负载和电池充电电流总计达1.8A

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型号：NCP1729SN35T1G 编号：C82407

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

NCP1729是一款CMOS电荷泵电压反相器，设计用于在1.5 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为122 μA，并提供节能关断输入，可将电流进一步降低至仅0.4 μA。该器件包含一个35 kHz的振荡器，驱动四个低电阻MOSFET开关，输出电阻低至26 Ω，电压转换效率达99%。这款器件仅需两个3.3 μF的外部电容即可构成完整的反相器，是众多电池供电和板级应用的理想解决方案。NCP1729采用节省空间的TSOP−6封装。

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￥11.05
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￥9.775
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￥9.35
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型号：MAX1720EUTG 编号：C70466

封装：TSOP-6

品牌：onsemi(安森美)

MAX1720是一款CMOS电荷泵电压反相器，设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为67 μA，并提供节能关断输入，可将电流进一步降低至仅0.4 μA。该器件包含一个12 kHz振荡器，驱动四个低电阻MOSFET开关，输出电阻低至26 Ω，电压转换效率达99%。这款器件仅需两个外部10 μF电容即可构成完整的反相器，是众多电池供电和板级应用的理想解决方案。MAX1720采用节省空间的TSOP−6封装。

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￥2.36
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型号：SG3525AP 编号：C19884

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

SG3525A系列脉冲宽度调制器集成电路旨在用于设计各类开关电源时，提升性能并减少外部元件数量。片上+5.1V基准电压经过微调，精度达±1%，误差放大器的输入共模范围包含基准电压，无需外部电阻。振荡器的同步输入允许多个单元同步工作，或使单个单元与外部系统时钟同步。CT端和放电端之间的单个电阻可实现宽范围的死区时间调节。这些器件还具备内置软启动电路，仅需一个外部定时电容。关断端可控制软启动电路和输出级，通过脉冲关断的PWM锁存器实现瞬时关断，以及在较长关断命令下实现软启动循环。这些功能还受欠压锁定电路控制，该电路在输入电压低于正常水平时，使输出关闭，软启动电容放电。此锁定电路包含约500mV的迟滞，以实现无抖动运行。这些PWM电路的另一特性是比较器后接锁存器。一旦PWM脉冲因任何原因终止，输出将在整个周期内保持关闭。锁存器随每个时钟脉冲复位。输出级采用图腾柱设计，能够提供或吸收超过200mA的电流。SG3525A输出级采用或非逻辑，关断状态下输出为低电平。

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