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首页 > 热门关键词 > PUOLOP迪浦dcdc芯片
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特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻
数据手册
  • 20+

    ¥0.1852
  • 200+

    ¥0.1447
  • 600+

    ¥0.1222
  • 3000+

    ¥0.1087
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2274
    • 200+

      ¥0.1783
    • 600+

      ¥0.1511
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 适用于作为负载开关或PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2595
    • 100+

      ¥0.2067
    • 300+

      ¥0.1803
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2595
    • 100+

      ¥0.2067
    • 300+

      ¥0.1803
  • 有货
  • PT3415采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4247
    • 100+

      ¥0.3383
    • 300+

      ¥0.2951
  • 有货
  • AO3415采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4247
    • 100+

      ¥0.3383
    • 300+

      ¥0.2951
  • 有货
  • 特性:最大输出电流 IoM:0.5 A。 输出电压 V₀:9V。 连续总功耗 PD:1.25W(Ta = 25℃)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6076
    • 50+

      ¥0.4826
    • 150+

      ¥0.4202
    • 500+

      ¥0.3733
    • 2500+

      ¥0.3359
  • 有货
  • 特性:最大输出电流 IoM:0.5A。 输出电压 Vo:5V。 连续总功耗 Pb:1.25W
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6795
    • 50+

      ¥0.5547
    • 150+

      ¥0.4923
    • 500+

      ¥0.4455
  • 有货
  • 特性:工作温度范围:-20℃~70℃。 时钟源:内部高频RC振荡器,内部低频RC振荡器和外部晶体震荡。 Band-gap电路提供1.2V参考电压。 一个硬件16位计数器
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0315
    • 50+

      ¥0.7739
    • 150+

      ¥0.6832
  • 有货
  • 特性:高抗干扰(HighEFT)系列。 工作温度范围:-40℃~85℃(PTBO131XXC)。 通用系列。 工作温度范围:-20℃~70℃(PTBO131XXS, PTBO130XXS)。 时钟源:内部高频RC振荡器(IHRC)、内部低频RC振荡器(ILRC)、外部晶振。 内置Band-gap硬件模块输出1.20V参考电压
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4047
    • 50+

      ¥1.1053
    • 150+

      ¥0.977
  • 有货
  • 特性:共阴极结构。 低功耗,高效率。 高工作结温。 用于过压保护的保护环,高可靠性。 RoHS产品。应用:高频开关电源。 续流二极管,极性保护应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6972
    • 50+

      ¥1.3444
    • 150+

      ¥1.1932
  • 有货
    • 5+

      ¥1.7689
    • 50+

      ¥1.3919
    • 150+

      ¥1.2303
  • 有货
  • 特性:65V/88A,RDS(ON)=7.0mΩ @ VGS=10V。 有无铅和环保器件可供选择。 低Rds-on以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%雪崩测试。应用:电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.5
    • 10+

      ¥2.2
    • 50+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.91
    • 500+

      ¥1.84
  • 有货
  • 特性:60V / 0.2A,RDS(ON) = 4Ω (MAX) @VGS=10V,Id = 0.5A;RDS(ON) = 4Ω (MAX) @VGS=5V,Id = 0.05A。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 可靠耐用。 采用SOT-23表面贴装封装。 ESD保护高达2KV。应用:台式计算机或DC/DC转换器中的电源管理
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1377
    • 200+

      ¥0.108
    • 600+

      ¥0.0915
  • 有货
  • 是精确、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。由限流电路、驱动晶体管、精密参考电压和误差校正电路组成。与低ESR陶瓷电容器兼容。限流电路的折返电路还可作为输出限流和输出引脚的短路保护。输出电压可通过激光微调技术在内部设置,可在1.2V至5.0V范围内以100mV的增量进行选择。提供SOT-89-3、SOT-23-3、SOT353和SOT23-3B封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1923
    • 200+

      ¥0.1518
    • 600+

      ¥0.1293
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3067
    • 100+

      ¥0.2443
    • 300+

      ¥0.2131
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用
    • 10+

      ¥0.3437
    • 100+

      ¥0.2717
    • 300+

      ¥0.2357
  • 有货
  • PT3416采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4247
    • 100+

      ¥0.3383
    • 300+

      ¥0.2951
  • 有货
  • P沟道
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4832
    • 50+

      ¥0.3776
    • 150+

      ¥0.3248
  • 有货
  • 特性:80V/100A,RDS(ON)=6.5mΩ (typ.)@ VGS=10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻,以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用:电源。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.91
    • 10+

      ¥3.15
    • 50+

      ¥2.78
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
  • 有货
  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5927
    • 50+

      ¥0.4721
    • 150+

      ¥0.4118
    • 500+

      ¥0.3666
    • 3000+

      ¥0.3304
    • 6000+

      ¥0.3123
  • 订货
  • 特性:最大输出电流 Io:0.1A。 输出电压 Vo:5V。 连续总功耗 PD:0.5W(Ta = 25℃)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.601
    • 100+

      ¥0.505
    • 300+

      ¥0.457
  • 有货
  • HT75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最高工作电压可达30V,有几种固定输出电压值,输出范围为2.8V~9.0V,具有较低的静态功耗,广泛用于各类音频、视频设备和通信等设备的供电。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6763
    • 50+

      ¥0.5372
    • 150+

      ¥0.4677
  • 有货
  • 特性:最大输出电流 IOm:0.5 A。输出电压 VO:8 V。连续总功耗 PD:1.25 W
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8815
    • 50+

      ¥0.6988
    • 150+

      ¥0.6074
  • 有货
  • 特性:RDS(on)(典型值2.6Ω)@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力,高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围(150℃)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8184
    • 50+

      ¥1.4404
    • 150+

      ¥1.2784
    • 500+

      ¥1.0763
  • 有货
  • 是精确、低功耗、高电压的正电压调节器,采用CMOS和激光微调技术制造。该系列可提供大电流,且压差电压显著较小。由限流电路、驱动晶体管、精密参考电压和误差校正电路组成。与低ESR陶瓷电容器兼容。限流电路的折返电路还可作为输出限流和输出引脚的短路保护。输出电压可通过激光微调技术在内部设置,可在1.2V至5.0V范围内以100mV的增量进行选择。提供SOT-89-3、SOT-23-3、SOT353和SOT23-3B封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2424
    • 100+

      ¥0.1926
    • 300+

      ¥0.1677
  • 有货
  • HT75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最高工作电压可达30V,有几种固定输出电压值,输出范围为2.8V ~ 9.0V,具有较低的静态功耗,广泛用于各类音频、视频设备和通信等设备的供电。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6072
    • 50+

      ¥0.4824
    • 150+

      ¥0.4199
  • 有货
  • HT75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器。最高工作电压可达30V,有几种固定输出电压值,输出范围为2.8V~9.0V,具有较低的静态功耗,广泛用于各类音频、视频设备和通信等设备的供电。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7038
    • 50+

      ¥0.559
    • 150+

      ¥0.4867
  • 有货
  • 特性:低RDS(on)@VGS =-5V。 5V逻辑电平控制。 双P沟道SOP8封装。 无铅,符合RoHS标准。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8257
    • 50+

      ¥0.6577
    • 150+

      ¥0.5737
  • 有货
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