UMW友台dcdc芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。宽栅极驱动电压范围：2.5V-12V。适用于作为负载开关。漏源击穿电压（V(BR)DS）：60V。连续漏极电流（ID）：2.1A。导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 10V时，小于105mΩ。应用：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关

数据手册

20+
￥0.2676
200+
￥0.2039
600+
￥0.1685
3000+
￥0.1384
9000+
￥0.12
21000+
￥0.1101

有货

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型号：SN74AHCT1G08DBVR(UMW) 编号：C20617901

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

SN74AHCT1G08器件是一款单路2输入正与门。该器件在正逻辑中执行布尔函数Y = A • B或Y = A + B

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￥0.2689
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￥0.2135
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￥0.1858
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￥0.165
6000+
￥0.1484
9000+
￥0.14

有货

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型号：SN74AUP2G34DCKR(UMW) 编号：C22396371

封装：SC-70-6

品牌：UMW(友台半导体)

74AUP2G34是一款高性能双缓冲器，工作电源电压范围为0.8至3.6V。该器件采用先进的CMOS工艺制造，可实现超高速运行和高输出驱动能力。

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￥0.2789
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￥0.2205
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￥0.1912
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￥0.1693
6000+
￥0.1518
9000+
￥0.143

有货

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型号：SN74AUP1G126DBVR(UMW) 编号：C18057301

封装：SOT23-5

品牌：UMW(友台半导体)

SN74AUP1G126 是一款来自超低功耗系列的单路同相缓冲器，具有三态输出，可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压下工作。

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￥0.2967
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￥0.2339
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￥0.2025
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￥0.1789
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￥0.16
9000+
￥0.1506

有货

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型号：ESD7371HT1G(UMW) 编号：C19626365

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

旨在保护需要超低电容的电压敏感组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行 ESD 保护。

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￥0.3121
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￥0.2509
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￥0.1974
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￥0.179
9000+
￥0.1698

有货

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型号：AQ3530-01FTG(UMW) 编号：C19626363

封装：SOD-323

品牌：UMW(友台半导体)

单向二极管为可能暴露于静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。该组件可以安全地吸收高于 IEC 61000-4-2 国际标准（4 级，±80V 接触放电）规定的最大水平的重复 ESD 冲击，而不会导致性能下降。

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￥0.3141
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￥0.247
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￥0.2135
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￥0.1884
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￥0.1683
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￥0.1582

有货

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型号：AO6800 编号：C5375979

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=20V。 RDS(ON)<22mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<28mΩ(VGS=4.5V)

数据手册

10+
￥0.3398
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￥0.2669
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￥0.2304
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￥0.203
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￥0.1812
9000+
￥0.1702

有货

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型号：MGSF1N03L(UMW) 编号：C20617895

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻（RDS(ON)）可确保最小的功率损耗并节约能源，使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS = 4.5V）

10+
￥0.3467
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￥0.2733
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￥0.2366
3000+
￥0.209
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￥0.187
9000+
￥0.176

有货

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型号：ESD0504F 编号：C2833283

封装：SOT-363

品牌：UMW(友台半导体)

是一款超低电容瞬态电压抑制器 (TVS)，旨在保护高速数据接口。仅具有 0.20pF（I/O 到 I/O）的典型电容，旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。采用小型 SOT-363 封装。每个器件可以保护四条高速数据线和一条 Vcc 线。超低电容、小尺寸和高 ESD 鲁棒性的综合特性使其非常适合高速数据端口和高频线路（如 HDMI 和 DVI）应用。低钳位电压保证了受保护 IC 上的最小应力。

数据手册

10+
￥0.3611
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￥0.2856
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￥0.2479
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￥0.2121
6000+
￥0.1894
9000+
￥0.1781

有货

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型号：HT7850-A 编号：C347197

封装：SOT-89-3

品牌：UMW(友台半导体)

HT78XX-A系列是一款实用CMOS技术开发的低压差、高精度输出电压、超低功耗电流的正电压型电压稳压电路。由于内置有低通态电阻晶体管，因而如数输出压差低，同事具有高输入电压承受能力，最高工作电压可达12V，适合需要较高耐压的应用电路。

数据手册

10+
￥0.3648
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￥0.2826
300+
￥0.2415
1000+
￥0.1977
5000+
￥0.173
10000+
￥0.1607

有货

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型号：FDS9435A(UMW) 编号：C19100573

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

MOS（场效应管）

10+
￥0.3813
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￥0.2999
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￥0.2592
3000+
￥0.2286
6000+
￥0.2042
9000+
￥0.192

有货

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型号：SS510C 编号：C2988632

封装：SMC

品牌：UMW(友台半导体)

特性：金属与硅整流器，多数载流子传导。适用于低电压、高频逆变器续流和极性保护应用。低功耗，高效率。高电流能力，低正向电压VF。高浪涌容量。玻璃钝化

数据手册

10+
￥0.4153
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￥0.3185
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￥0.2701
3000+
￥0.2338
6000+
￥0.2048
9000+
￥0.1902

有货

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型号：SA555DR(UMW) 编号：C5692998

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

这些器件是精密定时电路，能够产生精确的时间延迟或振荡。在时间延迟或单稳态工作模式下，定时时间间隔由单个外部电阻和电容网络控制。在无稳态工作模式下，频率和占空比可通过两个外部电阻和一个外部电容分别进行控制

5+
￥0.4784
50+
￥0.3757
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￥0.3243
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￥0.2858
2500+
￥0.2552
5000+
￥0.2397

有货

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型号：LM393APWR(UMW) 编号：C41367205

封装：TSSOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：宽单电源范围：2.0V 至 36V。双电源范围：±1.0V 至 ±18V。极低的电流消耗，与电源电压无关：0.4mA。低输入偏置电流：25nA。低输入失调电流：5.0nA。低输入失调电压：5.0mV（最大值）。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压

5+
￥0.4921
50+
￥0.3879
150+
￥0.3358
500+
￥0.2967
2500+
￥0.2654
4000+
￥0.2498

有货

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型号：LM2903PWR(UMW) 编号：C41367209

封装：TSSOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：宽单电源范围：2.0V 至 30V。分离电源范围：±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗，与电源电压无关：0.4mA。低输入偏置电流：25nA。低输入失调电流：5.0nA。低输入失调电压：5.0mV（最大值）。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压

5+
￥0.5122
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￥0.4037
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￥0.3494
500+
￥0.3088
2500+
￥0.2762
4000+
￥0.2599

有货

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型号：LM311DR(UMW) 编号：C18212277

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

LM311DR和LM211DR可在5V至30V的单电源或±15V的双电源下工作。与常用的比较器一样，LM311可成为真正的通用比较器。LM311DR和LM211DR的输入可与系统隔离，输出可参考地、电源或VEE

5+
￥0.5368
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￥0.4231
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￥0.3662
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￥0.3236
2500+
￥0.2895
5000+
￥0.2724

有货

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型号：LM833DT(UMW) 编号：C18212280

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

LM833是一款双通道音频运算放大器，特别适用于音频和数据信号应用。该器件可在宽范围的单电源和双电源电压下工作，具有低噪声、高增益带宽和高转换速率的特点。它具备低噪声电压、高转换速率、低失真和大相位裕量的特性

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￥0.5459
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￥0.4287
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￥0.3701
500+
￥0.3262
2500+
￥0.291
5000+
￥0.2735

有货

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型号：2N65G 编号：C2889159

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=650V。 I=2A。 RDS(ON)=5.5Ω

数据手册

5+
￥0.5713
50+
￥0.4503
150+
￥0.3898
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￥0.3444
2500+
￥0.3081
5000+
￥0.29

有货

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型号：AO4807 编号：C5125952

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和超低栅极电荷。VDS(V) = -30V。ID = -6A（VGS = 10V）。RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）。RDS(ON) < 58mΩ（VGS = 4.5V）

数据手册

5+
￥0.5841
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￥0.5144
150+
￥0.4795
500+
￥0.4534
3000+
￥0.4115
6000+
￥0.4011

有货

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型号：AO4435A 编号：C18295969

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。漏源电压（VDS） = -30V。漏极电流（ID） = -12A。导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（栅源电压VGS = 10V）

5+
￥0.5875
50+
￥0.4621
150+
￥0.3994
500+
￥0.3523
3000+
￥0.3147
6000+
￥0.2959

有货

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型号：FDT3612(UMW) 编号：C20617897

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。

5+
￥0.6091
50+
￥0.4801
150+
￥0.4156
500+
￥0.3672
2500+
￥0.3285
5000+
￥0.3091

有货

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型号：LM2901PWR(UMW) 编号：C41367201

封装：TSSOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

特性：宽电源范围。单电源：2V 至 36V（非 V 器件测试至 30V，V 后缀器件测试至 32V）。双电源：±1V 至 ±18V（非 V 器件测试至 ±15V，V 后缀器件测试至 ±16V）。低电源电流消耗，与电源电压无关：0.8mA（典型值）。低输入偏置电流：25nA（典型值）。低输入失调电流：3nA（典型值）。低输入失调电压：2mV（典型值）。共模输入电压范围包括地。差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36V。低输出饱和电压。输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容

5+
￥0.715
50+
￥0.5624
150+
￥0.486
500+
￥0.4288
2500+
￥0.383
4000+
￥0.3601

有货

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型号：FDD6796A(UMW) 编号：C18295979

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 VDS(V) = 25V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5.7mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 4.5V)

5+
￥0.7175
50+
￥0.6257
150+
￥0.5864
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￥0.5374
3000+
￥0.5155
6000+
￥0.5024

有货

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型号：IRF9393TR(UMW) 编号：C42370425

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

5+
￥0.7177
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￥0.5657
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￥0.4897
500+
￥0.4327
3000+
￥0.3871
6000+
￥0.3643

有货

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型号：TL062IDR(UMW) 编号：C18212283

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

这种J-FET输入运算放大器专为低功耗应用而设计，具有高输入阻抗、低输入偏置电流和低输入失调电流的特点。先进的设计技术确保了更高的转换速率、增益带宽积和输出摆幅。商用和车载设备可采用塑料双列SOP封装

5+
￥0.7341
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￥0.5774
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￥0.499
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￥0.4402
2500+
￥0.3932
5000+
￥0.3697

有货

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型号：TL072IDR(UMW) 编号：C18212286

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

TL072是一款具有高速J-FET输入的双运算放大器，由高压J-FET和双极晶体管组成。它具有高转换速率、低输入偏置电流和失调电流，以及低失调电压温度系数。工作温度范围为0°C至70°C

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￥0.7447
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￥0.5857
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￥0.5062
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￥0.4466
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￥0.3989
5000+
￥0.375

有货

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型号：LM239PWR(UMW) 编号：C41367204

封装：TSSOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

特性：宽电源范围。单电源：2V 至 36V（非 V 器件测试至 30V，V 后缀器件测试至 32V）。双电源：±1V 至 ±18V（非 V 器件测试至 ±15V，V 后缀器件测试至 ±16V）。低电源电流消耗，与电源电压无关：0.8mA（典型值）。低输入偏置电流：25nA（典型值）。低输入失调电流：3nA（典型值）。低输入失调电压：2mV（典型值）。共模输入电压范围包括地。差分输入电压范围等于最大额定电源电压：±36V。低输出饱和电压。输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容

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￥0.5109
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￥0.4038
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￥0.38

有货

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型号：NDS8435A(UMW) 编号：C18214388

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

SOP-8 P-Channel增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。

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￥0.7585
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￥0.5156
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￥0.4549
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￥0.4063
6000+
￥0.382

有货

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型号：25N06 编号：C2890396

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用先进的沟槽技术设计。提供出色的导通电阻和低栅极电荷。符合 RoHS 标准。快速开关。低导通电阻（Rdson ≤ 29mΩ）。低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试

数据手册

5+
￥0.7608
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￥0.5171
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￥0.4562
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￥0.4075
5000+
￥0.3831

有货

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型号：FDS6685(UMW) 编号：C18214387

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET，针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)。低栅极电荷（典型值17nC）。快速开关速度

5+
￥0.7906
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