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瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
  • 20+

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    ¥0.0951
  • 有货
  • 用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬态事件的损坏或闩锁。适用于电路板空间有限的应用。可保护多达两条线路。双向器件,可用于信号极性高于地的线路。
    • 20+

      ¥0.2074
    • 200+

      ¥0.1606
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      ¥0.119
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    • 21000+

      ¥0.0982
  • 有货
  • 特性:60W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.25μF 典型值)。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±15kV 接触,±20kV 空气。应用:以太网。 数字视频接口
    • 20+

      ¥0.2095
    • 200+

      ¥0.1626
    • 600+

      ¥0.1365
    • 3000+

      ¥0.1208
    • 9000+

      ¥0.1073
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • 特性:两行ESD保护装置。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2标准:接触放电±30 kV,空气放电±30 kV。 根据AEC-Q101标准的ESD能力:人体模型,H3B级:> 8 kV。 节省空间的SOT-23封装。 可提供AEC-Q101认证
    • 20+

      ¥0.2129
    • 200+

      ¥0.1637
    • 600+

      ¥0.1364
    • 3000+

      ¥0.12
    • 9000+

      ¥0.1058
    • 21000+

      ¥0.0981
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
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    • 20+

      ¥0.2206
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      ¥0.1715
    • 600+

      ¥0.1443
    • 3000+

      ¥0.1246
    • 9000+

      ¥0.1104
    • 21000+

      ¥0.1028
  • 有货
  • 特性:60W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.7pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2238
    • 200+

      ¥0.1764
    • 600+

      ¥0.1501
    • 3000+

      ¥0.1201
    • 9000+

      ¥0.1064
    • 21000+

      ¥0.099
  • 有货
  • SN74LVC1G34是一款单缓冲器,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。该器件采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力,同时保持低静态功耗。
    • 20+

      ¥0.2246
    • 200+

      ¥0.1743
    • 600+

      ¥0.1463
    • 3000+

      ¥0.1296
    • 9000+

      ¥0.115
    • 21000+

      ¥0.1072
  • 有货
  • 超低电容:典型值 0.3pF(I/O-IO)。超低泄漏:nA 级别。低工作电压:5V。低钳位。可保护多达 4 条数据线和 1 条电源线。IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±25kV。IEC 61000-4-4(EFT)40A(5/50ns)。IEC 61000-4-5(雷电):A(8/20μs)
    • 20+

      ¥0.2322
    • 200+

      ¥0.1798
    • 600+

      ¥0.1507
    • 3000+

      ¥0.1332
    • 9000+

      ¥0.1181
    • 21000+

      ¥0.1099
  • 有货
  • 特性:IEC 61000-4-2 (ESD):空气放电 ±15kV,接触放电 ±8kV。 4 通道 ESD 保护。 典型通道输入电容低至 0.5pF。 适用于 IEEE1394、Serial ATA、DVI、HDMI、PCI。 通常用于高速端口,如 USB 2.0、USB3.0
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1803
    • 600+

      ¥0.1511
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      ¥0.1184
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      ¥0.1102
  • 有货
  • 此N沟道逻辑电平MOSFET采用专门定制的工艺生产,可最大限度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。
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    • 20+

      ¥0.2338
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      ¥0.108
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻,低栅极电荷,并且可以在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2349
    • 100+

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      ¥0.1576
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    • 6000+

      ¥0.1228
    • 9000+

      ¥0.115
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6.1V,VC MAX:20V,Ppp:150W
    • 10+

      ¥0.2364
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      ¥0.1863
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    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.1863
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      ¥0.1613
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      ¥0.1425
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      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 特性:ESD/瞬态保护高速数据线,符合以下标准: -IEC61000-4-2 (ESD):±25 kV(空气/接触)。 -IEC61000-4-4 (EFT):±2.5 kV/±50 A (5/50 ns)。 -IEC61000-4-5 (浪涌):±6 A (8/20 µs)。 最大工作电压:VRWM = 5.5 V。 可自由选择一条线路保护VBUS。 极低电容:CL = 0.45 pF(I/O到GND,典型值)。 非常低的动态电阻:RDYN = 0.2Ω(I/O到GND,典型值)。 非常低的反向钳位电压:VCL = 9 V(典型值,IPP = 16 A)
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      ¥0.1202
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -4.5V)。应用:移动计算负载开关。 笔记本适配器开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2386
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      ¥0.1835
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      ¥0.11
  • 有货
  • 817系列光耦合器由一个GaAs的发射管和一个NPN的晶体管组成。817的BIN脚宽是2.54mm。
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      ¥0.2395
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      ¥0.1881
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      ¥0.1624
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      ¥0.1277
    • 10000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 可用于提供高达 ±30 kV(接触放电)的 ESD 保护(根据 IEC61000-4-2),并能承受高达 20 A(8/20 μs)的峰值脉冲电流(根据 IEC61000-4-5)。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2407
    • 200+

      ¥0.1876
    • 600+

      ¥0.158
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.1193
    • 21000+

      ¥0.111
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2408
    • 200+

      ¥0.1883
    • 600+

      ¥0.1591
    • 3000+

      ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.1102
  • 有货
  • SN74AUP1G126 是一款来自超低功耗系列的单路同相缓冲器,具有三态输出,可在 0.8V 至 3.6V 的电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2411
    • 100+

      ¥0.189
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      ¥0.163
    • 3000+

      ¥0.1435
    • 6000+

      ¥0.1279
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 是一种瞬态电压抑制器阵列,旨在保护连接到数据和传输线上的组件免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击的影响。所有引脚都能承受 30kV ESD 脉冲。
    • 10+

      ¥0.2472
    • 100+

      ¥0.1931
    • 300+

      ¥0.1661
    • 3000+

      ¥0.1458
    • 6000+

      ¥0.1296
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      ¥0.1215
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性。适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.2514
    • 100+

      ¥0.1978
    • 300+

      ¥0.1711
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    • 5000+

      ¥0.1331
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      ¥0.125
  • 有货
  • 特性:采用专有、高单元密度的DMOS技术制造。 VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
    • 10+

      ¥0.2551
    • 100+

      ¥0.2011
    • 300+

      ¥0.1741
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      ¥0.1376
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      ¥0.1295
  • 有货
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      ¥0.2561
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      ¥0.2019
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  • 有货
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  • 有货
    • 10+

      ¥0.2561
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      ¥0.2019
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    • 1000+

      ¥0.1544
    • 5000+

      ¥0.1381
  • 有货
  • SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
    • 10+

      ¥0.2561
    • 100+

      ¥0.2019
    • 300+

      ¥0.1747
    • 3000+

      ¥0.1544
    • 6000+

      ¥0.1381
    • 9000+

      ¥0.13
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2592
    • 100+

      ¥0.2036
    • 300+

      ¥0.1758
    • 3000+

      ¥0.1481
    • 6000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.123
  • 有货
  • 适用于需要高达100mA电源的应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2593
    • 200+

      ¥0.1983
    • 1000+

      ¥0.1531
    • 2000+

      ¥0.1327
    • 10000+

      ¥0.1151
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      ¥0.1056
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      ¥0.2638
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