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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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  • 有货
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      ¥4.59
    • 1200+

      ¥4.4
  • 有货
  • 是一款高电流、高精度、低压降稳压器。5A LDO 稳压器具有 560mV(满载)的压降电压和极低的接地电流。专为高电流负载设计,也适用于低电流、对压降要求严格的系统,其压降电压和接地电流值是重要特性。稳压器总精度为 ±2%(在温度、线路和负载调节范围内),具有快速的瞬态恢复能力,可应对输入电压浪涌和输出负载电流变化。具有可调输出,可通过两个外部电阻将电压设置在 1.24V 至 15V 之间。此外,该器件还具有过流故障、输入极性反转、引脚插入反转和过热保护功能。有一个 TTL/CMOS 逻辑使能 (EN) 引脚用于关闭稳压器。不使用时,可通过将 EN 连接到输入 (IN) 使其连续工作。
    • 1+

      ¥9.46
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      ¥7.81
    • 30+

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    • 500+

      ¥5.41
    • 800+

      ¥5.21
  • 有货
  • 特性:小封装。 与MMBT3906T互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0568
    • 500+

      ¥0.0446
    • 3000+

      ¥0.0347
    • 6000+

      ¥0.0307
    • 24000+

      ¥0.0272
    • 51000+

      ¥0.0253
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0616
    • 500+

      ¥0.0484
    • 3000+

      ¥0.0384
    • 6000+

      ¥0.034
    • 24000+

      ¥0.0301
    • 51000+

      ¥0.028
  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0738
    • 500+

      ¥0.0579
    • 3000+

      ¥0.0454
    • 6000+

      ¥0.0401
    • 24000+

      ¥0.0355
    • 51000+

      ¥0.033
  • 有货
  • 特性:肖特基势垒整流器。 保护环保护。 低正向电压。 反向能量测试。 高电流能力。 极低的热阻
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0759
    • 500+

      ¥0.0625
    • 2000+

      ¥0.0454
    • 4000+

      ¥0.041
    • 24000+

      ¥0.0371
    • 50000+

      ¥0.035
  • 有货
  • 特性:VHF/UHF晶体管,标记:3EM
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0765
    • 500+

      ¥0.0601
    • 3000+

      ¥0.0467
    • 6000+

      ¥0.0413
    • 24000+

      ¥0.0365
    • 51000+

      ¥0.034
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流。 出色的hFE线性度。 与C1815互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0825
    • 500+

      ¥0.0622
    • 3000+

      ¥0.0509
    • 6000+

      ¥0.0441
    • 24000+

      ¥0.0383
    • 51000+

      ¥0.0351
  • 有货
  • 是一款单通道 ESD TVS 二极管,采用小型 0402 封装,适用于空间受限的应用,也有行业标准 SOD-523 封装。该 TVS 保护产品提供 ±30 kV 接触 ESD、±30 kV IEC 气隙保护,并有一个带背对背 TVS 二极管的 ESD 钳位电路,支持双极或双向信号。该 ESD 保护二极管的 12 pF 线路电容适用于支持高达 400 Mbps 数据速率的广泛应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.099
    • 500+

      ¥0.0774
    • 1500+

      ¥0.0654
    • 10000+

      ¥0.0545
    • 20000+

      ¥0.0483
    • 50000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 旨在保护低电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行ESD保护。
    • 20+

      ¥0.131
    • 200+

      ¥0.1134
    • 600+

      ¥0.1037
    • 3000+

      ¥0.0978
    • 9000+

      ¥0.0927
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 旨在保护LIN和单线路CAN收发器免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响。该器件采用单个SOT-23封装为数据线提供双向保护,为系统设计人员提供了一种提高系统可靠性的低成本选择。
    • 20+

      ¥0.153
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      ¥0.1324
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      ¥0.121
    • 3000+

      ¥0.1142
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      ¥0.1082
    • 21000+

      ¥0.105
  • 有货
  • 特性:40瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 SOT-363封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 0.25pF 典型值)。应用:以太网。 数字视频接口 (DVI)
    • 20+

      ¥0.1602
    • 200+

      ¥0.1387
    • 600+

      ¥0.1267
    • 3000+

      ¥0.1195
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      ¥0.1133
    • 21000+

      ¥0.11
  • 有货
  • 特性:IEC61000-4-2(ESD):±30kV(空气放电),±30kV(接触放电)。 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)。 350 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 保护一条 I/O 线(单向)。 低钳位电压。 工作电压:3.3V 至 36V。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1609
    • 200+

      ¥0.1264
    • 600+

      ¥0.1072
    • 3000+

      ¥0.0869
    • 9000+

      ¥0.077
    • 21000+

      ¥0.0716
  • 有货
  • 瞬态电压抑制器阵列用于智能手机、笔记本电脑和其他便携式电子产品的静电放电保护。这些基于硅的二极管与多层压敏电阻等其他技术相比,具有出色的钳位电压和性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.184
    • 200+

      ¥0.1443
    • 600+

      ¥0.1223
    • 3000+

      ¥0.0999
    • 9000+

      ¥0.0885
    • 21000+

      ¥0.0823
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压(VDS):-20V。 导通电阻RDS(ON) < 40mΩ(VGS = -4.5V,ID = -4.2A)。 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ(VGS = -2.5V,ID = -3.4A)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2028
    • 200+

      ¥0.1529
    • 600+

      ¥0.1252
    • 3000+

      ¥0.1085
    • 9000+

      ¥0.0941
    • 21000+

      ¥0.0863
  • 有货
  • 超低电容单向静电放电(ESD)保护二极管,采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态损坏。
    • 20+

      ¥0.2039
    • 200+

      ¥0.1586
    • 600+

      ¥0.1334
    • 3000+

      ¥0.1153
    • 9000+

      ¥0.1022
    • 21000+

      ¥0.0952
  • 有货
  • 特性:350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触,±30kV空气。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2143
    • 200+

      ¥0.1666
    • 600+

      ¥0.1401
    • 3000+

      ¥0.1204
    • 9000+

      ¥0.1066
    • 21000+

      ¥0.0992
  • 有货
  • 特性:两行ESD保护装置。 ESD抗扰度符合IEC 61000-4-2标准:接触放电±30 kV,空气放电±30 kV。 ESD能力符合AEC-Q101标准:人体模型H3B级,> 8 kV。 节省空间的SOT-23封装。 可提供AEC-Q101认证
    • 20+

      ¥0.234
    • 200+

      ¥0.1809
    • 600+

      ¥0.1514
    • 3000+

      ¥0.1337
    • 9000+

      ¥0.1184
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的高精度、低噪声、快速响应的低压差线性稳压器。该系列稳压器内置固定参考电压、误差校正电路、限流电路、相位补偿电路和低内阻MOSFET,实现了高纹波抑制、低输出噪声和对低压差的快速响应。
    • 20+

      ¥0.2395
    • 200+

      ¥0.187
    • 600+

      ¥0.1578
    • 3000+

      ¥0.1333
    • 9000+

      ¥0.1181
    • 21000+

      ¥0.1099
  • 有货
  • 特性:金属与硅整流器,多数载流子传导。 适用于低电压、高频逆变器的续流和极性保护应用。 低功耗、高效率。 高电流能力,低正向电压VF。 高浪涌容量。 玻璃钝化
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2994
    • 100+

      ¥0.2352
    • 300+

      ¥0.203
    • 3000+

      ¥0.1789
    • 6000+

      ¥0.1597
    • 9000+

      ¥0.15
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。源极引脚分开,允许与源极进行开尔文连接,可用于绕过源极电感。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.405
    • 100+

      ¥0.3202
    • 300+

      ¥0.2778
    • 3000+

      ¥0.2386
    • 6000+

      ¥0.2132
    • 9000+

      ¥0.2005
  • 有货
  • UMW101X 系列将 AlGaAs 红外发射二极管作为发射器,与采用塑料 LSOP4 封装的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW101X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4515
    • 100+

      ¥0.3538
    • 300+

      ¥0.305
    • 3000+

      ¥0.234
    • 6000+

      ¥0.2047
    • 9000+

      ¥0.19
  • 有货
  • TP321/358 是通用的单路、双路和四路 CMOS 运算放大器,具有低失调、高频响应、低功耗、低电源电压以及轨到轨输入和输出的特点。TP321/358 具有单位增益稳定性,恒定增益带宽积为 1MHz,压摆率为 1V/μs,每个放大器仅消耗 45μA 的电源电流。轨到轨输入和输出特性允许将整个电源电压用于信号范围
    • 5+

      ¥0.5118
    • 50+

      ¥0.4034
    • 150+

      ¥0.3492
    • 500+

      ¥0.3085
    • 3000+

      ¥0.276
    • 6000+

      ¥0.2597
  • 有货
  • LMV721A(单通道)、LMV722A(双通道)和LMV724A(四通道)是低噪声、低电压、微功耗运算放大器。LMV72xA系列具有10 MHz的出色带宽、9 V/μs的压摆率,在5V电源下每个放大器的静态电流为1000 μA,可应用于广泛的领域。LMV72xA运算放大器旨在为低电压、低噪声系统提供最佳性能
    • 5+

      ¥0.5389
    • 50+

      ¥0.4232
    • 150+

      ¥0.3654
    • 500+

      ¥0.322
    • 3000+

      ¥0.2873
    • 6000+

      ¥0.27
  • 有货
  • LM324由四个独立的高增益、内部频率补偿运算放大器组成,这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可使用双电源供电,且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路
    • 5+

      ¥0.632
    • 50+

      ¥0.5537
    • 150+

      ¥0.5146
    • 500+

      ¥0.4853
    • 2500+

      ¥0.4618
    • 4000+

      ¥0.45
  • 有货
  • TLV313 系列单通道、双通道和四通道精密运算放大器将低功耗与良好性能相结合。这使其适用于广泛的应用领域,如可穿戴设备、公用事业计量、楼宇自动化、点钞机等。该系列产品具备轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅、低静态电流(典型值为 65 μA)、宽带宽(1 MHz)以及极低噪声(在 1 kHz 时为 26 nV/√Hz),这使其在要求成本与性能良好平衡的各种电池供电应用中颇具吸引力
    • 5+

      ¥0.632
    • 50+

      ¥0.5537
    • 150+

      ¥0.5146
    • 500+

      ¥0.4853
    • 3000+

      ¥0.4618
    • 6000+

      ¥0.45
  • 有货
  • TLV313 系列单通道、双通道和四通道精密运算放大器将低功耗与良好性能相结合。这使其适用于广泛的应用领域,如可穿戴设备、公用事业计量、楼宇自动化、点钞机等。该系列产品具备轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅、低静态电流(典型值为 65 μA)、宽带宽(1 MHz)以及极低噪声(在 1 kHz 时为 26 nV/√Hz),这使其在要求成本与性能良好平衡的各种电池供电应用中颇具吸引力
    • 5+

      ¥0.636
    • 50+

      ¥0.5563
    • 150+

      ¥0.5165
    • 500+

      ¥0.4866
    • 3000+

      ¥0.4627
    • 6000+

      ¥0.4508
  • 有货
  • 特性:宽电源范围。 单电源:2V 至 36V(非 V 器件测试至 30V,V 后缀器件测试至 32V)。 双电源:±1V 至 ±18V(非 V 器件测试至 ±15V,V 后缀器件测试至 ±16V)。 低电源电流消耗,与电源电压无关:0.8mA(典型值)。 低输入偏置电流:25nA(典型值)。 低输入失调电流:3nA(典型值)。 低输入失调电压:2mV(典型值)。 共模输入电压范围包括地。 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36V。 低输出饱和电压。 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
    • 5+

      ¥0.715
    • 50+

      ¥0.5624
    • 150+

      ¥0.486
    • 500+

      ¥0.4288
    • 2500+

      ¥0.383
    • 4000+

      ¥0.3601
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 30V。 ID = 30A。 RDS(ON) < 11mΩ (VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    • 5+

      ¥0.7159
    • 50+

      ¥0.6233
    • 150+

      ¥0.5837
    • 500+

      ¥0.5342
    • 2500+

      ¥0.5122
    • 5000+

      ¥0.4989
  • 有货
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