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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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描述
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操作
特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度
数据手册
  • 50+

    ¥0.0647
  • 500+

    ¥0.0488
  • 3000+

    ¥0.0407
  • 6000+

    ¥0.0354
  • 24000+

    ¥0.0308
  • 51000+

    ¥0.0284
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0777
    • 500+

      ¥0.0591
    • 3000+

      ¥0.0475
    • 6000+

      ¥0.0413
    • 24000+

      ¥0.0359
    • 51000+

      ¥0.033
  • 有货
  • 低电容静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型贴片塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损坏。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1006
    • 500+

      ¥0.0758
    • 3000+

      ¥0.0622
    • 6000+

      ¥0.054
    • 24000+

      ¥0.0468
    • 51000+

      ¥0.0429
  • 有货
  • 肖特基二极管
    • 50+

      ¥0.1064
    • 500+

      ¥0.0825
    • 3000+

      ¥0.0692
    • 6000+

      ¥0.0612
    • 24000+

      ¥0.0543
    • 51000+

      ¥0.0506
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接:引脚250℃/10秒
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1691
    • 200+

      ¥0.129
    • 600+

      ¥0.1067
    • 2000+

      ¥0.0934
    • 10000+

      ¥0.0818
    • 20000+

      ¥0.0756
  • 有货
  • 20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺,针对电源管理应用进行了优化。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1737
    • 200+

      ¥0.1354
    • 600+

      ¥0.1142
    • 3000+

      ¥0.0972
    • 9000+

      ¥0.0862
    • 21000+

      ¥0.0802
  • 有货
  • 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过电压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1876
    • 200+

      ¥0.1468
    • 600+

      ¥0.1241
    • 3000+

      ¥0.1028
    • 9000+

      ¥0.091
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • SN74LVC1G125是一款高性能同相缓冲器,工作电源电压范围为1.65V至5.5V。该器件采用先进的CMOS工艺制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2112
    • 100+

      ¥0.1851
    • 300+

      ¥0.172
    • 1000+

      ¥0.1622
    • 5000+

      ¥0.1543
    • 10000+

      ¥0.1504
  • 有货
  • 特性:300 W 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 120 pF 典型值)。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2269
    • 200+

      ¥0.1749
    • 600+

      ¥0.146
    • 3000+

      ¥0.1286
    • 9000+

      ¥0.1136
    • 21000+

      ¥0.1055
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2418
    • 200+

      ¥0.183
    • 600+

      ¥0.1504
    • 2000+

      ¥0.1274
    • 10000+

      ¥0.1105
    • 20000+

      ¥0.1013
  • 有货
  • 是一款正低压差稳压器,典型压差仅为1.2V(1A时)。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2582
    • 100+

      ¥0.2025
    • 300+

      ¥0.1747
    • 2500+

      ¥0.1538
    • 5000+

      ¥0.1371
    • 10000+

      ¥0.1287
  • 有货
  • 特性:这些器件非常适合用于需要低在线功率损耗的低压和电池供电应用,采用非常小的外形表面贴装封装。 VDSS(V) = 30V。 ID(VGS = -10V) = -1.3A。 RDSS(O)(VGS = -10V) ≤ 180mΩ。 RDSS(O)(VGS = -4.5V) ≤ 300mΩ。应用:笔记本电脑电源管理
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2696
    • 100+

      ¥0.2136
    • 300+

      ¥0.1856
    • 3000+

      ¥0.1451
    • 6000+

      ¥0.1283
    • 9000+

      ¥0.1199
  • 有货
  • 逻辑门
    • 10+

      ¥0.2789
    • 100+

      ¥0.2205
    • 300+

      ¥0.1912
    • 3000+

      ¥0.1693
    • 6000+

      ¥0.1518
    • 9000+

      ¥0.143
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 36V。双电源范围:±1.0V 至 ±18V。极低的电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.3369
    • 50+

      ¥0.2952
    • 150+

      ¥0.2744
    • 500+

      ¥0.2587
    • 2500+

      ¥0.2462
    • 4000+

      ¥0.2399
  • 有货
  • UMW100X 系列产品将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射器,该发射器与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双塑封结构,UMW100X 系列具备最稳定的隔离特性。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.451
    • 100+

      ¥0.3533
    • 300+

      ¥0.3044
    • 3000+

      ¥0.234
    • 6000+

      ¥0.2047
    • 9000+

      ¥0.19
  • 有货
  • G表示SOT-223封装
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5908
    • 50+

      ¥0.4547
    • 150+

      ¥0.3866
    • 500+

      ¥0.3356
    • 2500+

      ¥0.2835
    • 5000+

      ¥0.263
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = 650 V。 ID = 1 A。 RDS(ON) = 8.5 Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6503
    • 50+

      ¥0.5146
    • 150+

      ¥0.4467
    • 500+

      ¥0.3958
    • 2500+

      ¥0.3204
    • 5000+

      ¥0.3
  • 有货
  • 特性:D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。 典型表面贴装应用中的功率耗散水平高达1.5W。 VDS(V) = 55V。 ID = 44A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 27mΩ(VGS = 10V)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1304
    • 50+

      ¥0.8829
    • 150+

      ¥0.7768
    • 500+

      ¥0.6444
    • 2500+

      ¥0.5855
    • 5000+

      ¥0.5501
  • 有货
  • MOS管
    • 5+

      ¥1.1442
    • 50+

      ¥0.9952
    • 150+

      ¥0.9313
    • 500+

      ¥0.8516
    • 2500+

      ¥0.8161
    • 5000+

      ¥0.7948
  • 有货
  • 提供低电压操作和轨到轨输入输出,以及出色的速度/功耗比,在5V时仅消耗最大1.1mA电流的情况下提供8MHz增益带宽积。该运算放大器为单位增益稳定,具有超低输入偏置电流。适用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。
    • 5+

      ¥1.331
    • 50+

      ¥1.0408
    • 150+

      ¥0.9164
    • 500+

      ¥0.7613
    • 3000+

      ¥0.6922
    • 6000+

      ¥0.6507
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用:移动设备电池管理。 适配器和充电器开关
    • 5+

      ¥1.3666
    • 50+

      ¥1.0696
    • 150+

      ¥0.9423
    • 500+

      ¥0.7143
    • 3000+

      ¥0.6435
    • 6000+

      ¥0.6011
  • 有货
  • 该单片集成电路是一款可调 3 端正电压稳压器,设计用于提供超过 1.5A 的负载电流,输出电压可在 1.2 至 37V 范围内调节。它采用了内部限流、热关断和安全区域补偿功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4697
    • 50+

      ¥1.0808
    • 150+

      ¥0.9432
    • 500+

      ¥0.7714
    • 2000+

      ¥0.6949
    • 5000+

      ¥0.649
  • 有货
  • 小尺寸和低功耗(每通道最大34μA),非常适合便携式和电池供电的应用。输入范围比电源轨高200mV,输出范围在电源轨的50nV以内。具有出色的速度/功率比,带宽为350kHz。可以使用2.3V至5.5V的单电源或双电源供电。所有型号的工作温度范围为-55°C至+125°C。
    • 5+

      ¥1.65
    • 50+

      ¥1.44
    • 150+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.23
    • 2500+

      ¥1.18
    • 5000+

      ¥1.15
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S9013互补。 出色的hFE线性度
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0728
    • 500+

      ¥0.0575
    • 3000+

      ¥0.049
    • 6000+

      ¥0.0438
    • 24000+

      ¥0.0394
    • 51000+

      ¥0.037
  • 有货
  • 特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0779
    • 500+

      ¥0.0594
    • 3000+

      ¥0.0463
    • 6000+

      ¥0.0402
    • 24000+

      ¥0.0348
    • 51000+

      ¥0.032
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0819
    • 500+

      ¥0.0626
    • 3000+

      ¥0.0486
    • 6000+

      ¥0.0421
    • 24000+

      ¥0.0366
    • 51000+

      ¥0.0335
  • 有货
  • 是一款3.3V双向ESD保护二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和超低ESD钳位电压,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。采用超小型1.0x0.6x0.5mm DFN无铅封装。
    • 50+

      ¥0.0882
    • 500+

      ¥0.0699
    • 3000+

      ¥0.0592
    • 6000+

      ¥0.0531
    • 24000+

      ¥0.0479
    • 51000+

      ¥0.045
  • 有货
  • 特性:45W 峰值脉冲功率(脉冲时间 tp = 8 / 20μs)。 微型 X1SON-2 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容(典型值 Cj = 0.7pF)。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.118
    • 500+

      ¥0.0932
    • 1500+

      ¥0.0795
    • 10000+

      ¥0.0711
    • 20000+

      ¥0.0639
    • 50000+

      ¥0.06
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。该器件适用于用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1843
    • 200+

      ¥0.139
    • 600+

      ¥0.1138
    • 3000+

      ¥0.0986
    • 9000+

      ¥0.0855
    • 21000+

      ¥0.0785
  • 有货
  • 是高性能单路同相缓冲器,具有开漏输出,工作电源电压范围为 1.65 至 5.5V。输出级为具有过压容限的开漏输出,可用于将 5.0V 电路与 0 至 +7.0V 之间的任何电压电路进行接口。
    • 10+

      ¥0.2101
    • 100+

      ¥0.1841
    • 300+

      ¥0.1711
    • 1000+

      ¥0.1613
    • 5000+

      ¥0.1535
    • 10000+

      ¥0.1496
  • 有货
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