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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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20V N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺,针对电源管理应用进行了优化。
数据手册
  • 20+

    ¥0.121
  • 200+

    ¥0.1053
  • 600+

    ¥0.0966
  • 3000+

    ¥0.0872
  • 9000+

    ¥0.0827
  • 21000+

    ¥0.0802
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1918
    • 100+

      ¥0.1673
    • 300+

      ¥0.155
    • 1000+

      ¥0.1364
    • 5000+

      ¥0.129
    • 10000+

      ¥0.1254
  • 有货
  • 采用SOD-323封装,可保护一条单向线路。为设计者在不适合使用阵列的应用中保护一条线路提供了灵活性。可满足IEC 61000-4-2标准4级的ESD抗扰度要求(空气放电±15kV,接触放电±8kV)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1939
    • 200+

      ¥0.1503
    • 600+

      ¥0.1262
    • 3000+

      ¥0.1068
    • 9000+

      ¥0.0942
    • 21000+

      ¥0.0875
  • 有货
  • 是高性能单路同相缓冲器,具有开漏输出,工作电源电压范围为 1.65 至 5.5V。输出级为具有过压容限的开漏输出,可用于将 5.0V 电路与 0 至 +7.0V 之间的任何电压电路进行接口。
    • 10+

      ¥0.2101
    • 100+

      ¥0.1841
    • 300+

      ¥0.1711
    • 1000+

      ¥0.1613
    • 5000+

      ¥0.1535
    • 10000+

      ¥0.1496
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 24mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ(VGS = 4.5V)
    • 10+

      ¥0.2127
    • 100+

      ¥0.1863
    • 300+

      ¥0.1732
    • 3000+

      ¥0.1633
    • 6000+

      ¥0.1554
    • 9000+

      ¥0.1515
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 I=3A。 RDS(ON)<80mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<95mΩ(VGS=4.5V)。应用:负载电源开关。 接口
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2137
    • 200+

      ¥0.1631
    • 600+

      ¥0.135
    • 3000+

      ¥0.1182
    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.0957
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ(典型值)@VGS = 10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2153
    • 200+

      ¥0.1666
    • 600+

      ¥0.1395
    • 3000+

      ¥0.1233
    • 9000+

      ¥0.1092
    • 21000+

      ¥0.1016
  • 有货
  • 特性:300W峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ± 30kV 接触,± 30kV 空气。应用:数据线路。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2328
    • 200+

      ¥0.1761
    • 600+

      ¥0.1446
    • 3000+

      ¥0.1258
    • 9000+

      ¥0.1094
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
  • 是高性能单非反相施密特触发器,采用0.8V至3.6V电源供电。采用先进的CMOS技术,实现超高速和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2365
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1426
    • 6000+

      ¥0.1276
    • 9000+

      ¥0.1201
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用:负载电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2471
    • 200+

      ¥0.1886
    • 600+

      ¥0.1561
    • 3000+

      ¥0.1366
    • 9000+

      ¥0.1197
    • 21000+

      ¥0.1106
  • 订货
  • 结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的导通电阻。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.275
    • 100+

      ¥0.2133
    • 300+

      ¥0.1824
    • 3000+

      ¥0.1593
    • 6000+

      ¥0.1408
    • 9000+

      ¥0.1316
  • 有货
  • 逻辑门
    • 10+

      ¥0.2759
    • 100+

      ¥0.2175
    • 300+

      ¥0.1883
    • 3000+

      ¥0.1663
    • 6000+

      ¥0.1488
    • 9000+

      ¥0.14
  • 有货
  • 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS =-4.5V)。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值6.2nC),更高的功率处理能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2981
    • 100+

      ¥0.2344
    • 300+

      ¥0.2025
    • 3000+

      ¥0.1786
    • 6000+

      ¥0.1595
    • 9000+

      ¥0.15
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 36V。双电源范围:±1.0V 至 ±18V。极低的电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 10+

      ¥0.3947
    • 100+

      ¥0.3112
    • 300+

      ¥0.2694
    • 1000+

      ¥0.2381
    • 4000+

      ¥0.213
    • 8000+

      ¥0.2005
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = -30V。 RDS(ON) < 43mΩ(VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 52mΩ(VGS = -2.5V)。 Halogen-free。应用:Load Switch。 Notebook Adaptor Switch
    • 5+

      ¥0.4917
    • 50+

      ¥0.4308
    • 150+

      ¥0.4003
    • 500+

      ¥0.3775
    • 2500+

      ¥0.3592
    • 5000+

      ¥0.3501
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V,ID =-5.3A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<41mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<75mΩ(VGS =-4.5V)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5179
    • 50+

      ¥0.4074
    • 150+

      ¥0.3521
    • 500+

      ¥0.3107
    • 3000+

      ¥0.2566
    • 6000+

      ¥0.24
  • 有货
  • 特性:宽电源范围。 单电源:2V 至 36V(非 V 器件测试至 30V,V 后缀器件测试至 32V)。 双电源:±1V 至 ±18V(非 V 器件测试至 ±15V,V 后缀器件测试至 ±16V)。 低电源电流消耗,与电源电压无关:0.8mA(典型值)。 低输入偏置电流:25nA(典型值)。 低输入失调电流:3nA(典型值)。 低输入失调电压:2mV(典型值)。 共模输入电压范围包括地。 差分输入电压范围等于最大额定电源电压:±36V。 低输出饱和电压。 输出与 TTL、MOS 和 CMOS 兼容
    • 5+

      ¥0.5863
    • 50+

      ¥0.4611
    • 150+

      ¥0.3986
    • 500+

      ¥0.3516
    • 2500+

      ¥0.3141
    • 4000+

      ¥0.2953
  • 有货
  • 双P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
    • 5+

      ¥0.6942
    • 50+

      ¥0.6054
    • 150+

      ¥0.5674
    • 500+

      ¥0.5199
    • 3000+

      ¥0.4988
    • 6000+

      ¥0.4861
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-20V。 RDS(ON)<18mΩ(VGS =-4.5V)。 RDS(ON)<26mΩ(VGS =-2.5V)。 Trench Technology Ultra Low On- Resistance。 Low Profile (<1.1mm)。 Available in Tape & Reel。 2.5V Rated。 Lead- Free
    • 5+

      ¥0.7977
    • 50+

      ¥0.6942
    • 150+

      ¥0.6498
    • 500+

      ¥0.5945
    • 3000+

      ¥0.5698
    • 6000+

      ¥0.555
  • 有货
  • 将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的导通电阻。适用于PWM、负载开关和通用应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.81
    • 50+

      ¥0.6401
    • 150+

      ¥0.5552
    • 500+

      ¥0.4915
    • 2500+

      ¥0.4255
    • 5000+

      ¥0.4
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,提供低栅极电荷和出色的导通电阻。适用于广泛的功率转换应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0228
    • 50+

      ¥0.7959
    • 150+

      ¥0.6987
    • 500+

      ¥0.5774
    • 3000+

      ¥0.5041
    • 6000+

      ¥0.4717
  • 有货
  • 8通道,集电极最高电压:50V,集电极最大电流:500mA,控制端输入最高电压:30V
    • 5+

      ¥1.2338
    • 50+

      ¥0.9639
    • 150+

      ¥0.8483
    • 500+

      ¥0.704
    • 2500+

      ¥0.6398
    • 4000+

      ¥0.6012
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 71A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 7.9mΩ(VGS = 5V)。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2617
    • 50+

      ¥1.106
    • 150+

      ¥1.0393
    • 500+

      ¥0.9116
    • 2500+

      ¥0.8746
    • 5000+

      ¥0.8524
  • 有货
  • 是单、双和四通道微功耗、轨到轨输入和输出放大器,具有低电源电流以及低输入电压和电流噪声的特点。该器件可在 1.8V 至 5V 单电源或 ±0.9V 和 ±2.5V 双电源下完全工作。低噪声、极低的输入偏置电流和低功耗的结合,使其特别适用于便携式和环路供电的仪器仪表。输入和输出均能实现轨到轨摆动,使设计人员能够在低功耗单电源系统中缓冲 CMOS ADC、DAC、ASIC 和其他宽输出摆幅器件。
    • 5+

      ¥1.2861
    • 50+

      ¥1.1127
    • 150+

      ¥1.0383
    • 500+

      ¥0.9456
    • 3000+

      ¥0.9043
    • 6000+

      ¥0.8795
  • 订货
  • AD8515是一款轨到轨放大器,可采用低至1.8 V的单电源供电。AD8515单放大器采用5引脚SOT-23和5引脚SC70封装,尺寸小巧,可放置在传感器旁边,从而减少外部噪声拾取。AD8515是一款轨到轨输入和输出放大器,增益带宽为5 MHz,典型失调电压为1 mV(1.8 V电源供电)。低电源电流使这些器件非常适合电池供电应用。
    • 5+

      ¥1.3263
    • 50+

      ¥1.0414
    • 150+

      ¥0.9194
    • 500+

      ¥0.767
    • 3000+

      ¥0.6992
    • 6000+

      ¥0.6585
  • 有货
  • AD8531、AD8532 和 AD8534 分别为单通道、双通道和四通道轨到轨输入/输出单电源放大器,输出驱动电流达 250 mA。如此高的输出电流使这些放大器非常适合驱动阻性或容性负载。其交流性能出色,带宽为 3 MHz,压摆率为 5 V/μs,且失真较低
    • 5+

      ¥1.5588
    • 50+

      ¥1.2366
    • 150+

      ¥1.0986
    • 500+

      ¥0.9263
    • 3000+

      ¥0.8496
    • 6000+

      ¥0.8036
  • 有货
  • 小尺寸和低功耗(每通道最大34μA),非常适合便携式和电池供电的应用。输入范围比电源轨高200mV,输出范围在电源轨的50nV以内。具有出色的速度/功率比,带宽为350kHz。可以使用2.3V至5.5V的单电源或双电源供电。所有型号的工作温度范围为-55°C至+125°C。
    • 5+

      ¥1.65
    • 50+

      ¥1.44
    • 150+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.23
    • 2500+

      ¥1.18
    • 5000+

      ¥1.15
  • 有货
  • 是一系列具有负温度系数的模拟温度传感器,提供与摄氏温度成线性比例的模拟电压输出。进行了工厂校准,无需外部校准,在 +25°C 时典型精度为 ±4°C,在 40°C 至 +125°C 温度范围内最大精度为 ±2.7°C。具有低输出阻抗、线性输出和工厂校准的特点,可显著简化温度控制电路和 ADC 要求。该系列传感器组件可在 1.5V 至 5.5V 的单电源下工作。电源电流低于 10μA,自热效应极小,在静态空气中温度变化小于 0.1°C。有低成本的 5 引脚 SOT-23 表面贴装、3 引脚 TO-92 和 8 引脚 SOIC 三种封装。
    • 5+

      ¥1.8261
    • 50+

      ¥1.4314
    • 150+

      ¥1.2622
    • 500+

      ¥1.0511
    • 3000+

      ¥0.9571
    • 6000+

      ¥0.9007
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=650V。ID = 7A。RDS(ON) ≤ 1.4Ω (VGS = 10V)
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0406
    • 50+

      ¥1.4142
    • 150+

      ¥1.2672
    • 500+

      ¥1.0837
    • 2000+

      ¥1.002
    • 5000+

      ¥0.953
  • 有货
  • MOS管
    • 1+

      ¥4.36
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.61
    • 100+

      ¥3.36
    • 500+

      ¥3.21
    • 1000+

      ¥3.14
  • 有货
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