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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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双向 TVS 二极管,采用领先的单晶硅技术,提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,是保护对电压敏感的高速数据线的理想解决方案。
数据手册
  • 50+

    ¥0.1056
  • 500+

    ¥0.0799
  • 1500+

    ¥0.0655
  • 10000+

    ¥0.0569
  • 20000+

    ¥0.0495
  • 50000+

    ¥0.0455
  • 有货
  • 特性:IEC61000-4-2(ESD):±30kV(空气放电),±30kV(接触放电)。 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)。 350 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 保护一条 I/O 线(单向)。 低钳位电压。 工作电压:3.3V 至 36V。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1387
    • 200+

      ¥0.109
    • 600+

      ¥0.0925
    • 3000+

      ¥0.075
    • 9000+

      ¥0.0665
    • 21000+

      ¥0.0618
  • 有货
  • 特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功率损耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。应用:低压、高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.1268
    • 600+

      ¥0.1068
    • 3000+

      ¥0.0869
    • 9000+

      ¥0.0765
    • 21000+

      ¥0.0709
  • 有货
  • 817 系列光耦合器由一个 GaAs 的发射管和一个 NPN 的晶体管组成。817 的 BIN 脚宽是 2.54mm。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1791
    • 200+

      ¥0.1351
    • 600+

      ¥0.1121
    • 2000+

      ¥0.0984
    • 10000+

      ¥0.0864
    • 20000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 单向二极管为可能暴露于静电放电 (ESD) 的电子设备提供高级别的保护。该组件可以安全地吸收高于 IEC 61000-4-2 国际标准(4 级,±80V 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,而不会导致性能下降。
    • 10+

      ¥0.2204
    • 100+

      ¥0.1935
    • 300+

      ¥0.1801
    • 3000+

      ¥0.17
    • 6000+

      ¥0.1619
    • 9000+

      ¥0.1579
  • 有货
  • 特性:280W峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 接触放电 ±30kV,空气放电 ±30kV。应用:数据线。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.224
    • 200+

      ¥0.1765
    • 600+

      ¥0.1502
    • 3000+

      ¥0.1211
    • 9000+

      ¥0.1074
    • 21000+

      ¥0.1
  • 有货
  • 特性:300W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容 (Ci = 60 pF 典型值)。应用:数据线路。 自动取款机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2243
    • 200+

      ¥0.1807
    • 600+

      ¥0.1565
    • 3000+

      ¥0.1202
    • 9000+

      ¥0.1076
    • 21000+

      ¥0.1009
  • 有货
  • 74AUP1G04是一款高性能单反相器,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。该器件采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速运行和高输出驱动能力。
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1613
    • 3000+

      ¥0.1425
    • 6000+

      ¥0.1275
    • 9000+

      ¥0.12
  • 有货
  • 是一款采用CMOS工艺制造的低功耗高压稳压器。最大输入电压为30V,输出电压范围为1.5V至12.0V。具有输出电压精度高、电源电流极低和压降电压极低的特点。
    • 10+

      ¥0.2594
    • 100+

      ¥0.2046
    • 300+

      ¥0.1771
    • 1000+

      ¥0.1566
    • 5000+

      ¥0.1401
    • 10000+

      ¥0.1319
  • 有货
  • 运算放大器
    • 5+

      ¥0.409
    • 50+

      ¥0.3584
    • 150+

      ¥0.3331
    • 500+

      ¥0.3141
    • 2500+

      ¥0.2989
    • 5000+

      ¥0.2913
  • 有货
  • UMW TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管光耦合而成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5kVRMS(最小值))。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4823
    • 100+

      ¥0.3744
    • 300+

      ¥0.3204
    • 2000+

      ¥0.2743
    • 4000+

      ¥0.2419
    • 10000+

      ¥0.2257
  • 有货
  • 是光耦合隔离器,包含一个砷化镓发光二极管和一个 NPN 硅光电晶体管。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5898
    • 50+

      ¥0.466
    • 200+

      ¥0.3494
    • 500+

      ¥0.303
    • 2500+

      ¥0.2658
    • 5000+

      ¥0.2473
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=600V。 ID = 2A。 RDS(ON)=4.5Ω
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6467
    • 50+

      ¥0.5027
    • 150+

      ¥0.4307
    • 500+

      ¥0.3767
    • 2500+

      ¥0.3017
    • 5000+

      ¥0.28
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 23mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS = 4.5V)。 是无铅产品
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1708
    • 50+

      ¥0.9208
    • 150+

      ¥0.8137
    • 500+

      ¥0.68
    • 2500+

      ¥0.5908
    • 5000+

      ¥0.555
  • 有货
  • 提供低电压操作和轨到轨输入输出,以及出色的速度/功耗比,在5V时仅消耗最大1.1mA电流的情况下提供8MHz增益带宽积。该运算放大器为单位增益稳定,具有超低输入偏置电流。适用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。
    • 5+

      ¥1.3311
    • 50+

      ¥1.0408
    • 150+

      ¥0.9165
    • 500+

      ¥0.7613
    • 3000+

      ¥0.6922
    • 6000+

      ¥0.6507
  • 有货
  • 该产品是一款完全集成的、电阻可编程的温度开关,其温度阈值可在整个工作范围内通过一个外部电阻设置。它提供开漏、低电平有效输出,电源电压范围为 2.7V 至 5.5V。温度阈值精度通常为 ±0.5℃,在 60℃ 至 100℃ 范围内最大为 ±3℃。静态电流消耗通常为 33μA。迟滞可通过引脚选择为 2℃ 或 10℃。该产品有 5 引脚 SOT-23 和小型 DFN 6 封装。
    • 5+

      ¥1.3336
    • 50+

      ¥1.0684
    • 150+

      ¥0.9547
    • 500+

      ¥0.8129
    • 3000+

      ¥0.7498
    • 6000+

      ¥0.7119
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 RDS(ON) < 11.6mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 18mΩ (VGS = -4.5V)。 RoHS合规。 高性能沟槽技术,极低的RDS(ON)。应用:逆变器。 电源
    • 5+

      ¥1.4293
    • 50+

      ¥1.1182
    • 150+

      ¥0.9849
    • 500+

      ¥0.8186
    • 2500+

      ¥0.7445
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。凭借TO-252封装出色的热阻,该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5349
    • 50+

      ¥1.2031
    • 150+

      ¥1.0609
    • 500+

      ¥0.8835
    • 2500+

      ¥0.8045
    • 5000+

      ¥0.7571
  • 有货
  • 这款放大器具有超低失调、超低漂移和超低偏置电流。AD8628/AD8629/AD8630 是宽带宽自动稳零放大器,具有轨到轨输入和输出摆幅以及低噪声特性。其工作特性在 2 至……(原文未完整,此处按原文截断)
    • 5+

      ¥1.6264
    • 50+

      ¥1.4549
    • 150+

      ¥1.3814
    • 500+

      ¥1.2897
    • 3000+

      ¥1.2489
    • 6000+

      ¥1.2244
  • 有货
  • TMP112B是一款高精度、低功耗的数字温度传感器,可替代NTC/PTC热敏电阻。它可用于通信、计算机、消费电子、环境、工业和仪器仪表等领域的扩展温度测量。在 -40°C至 +125°C的正常工作范围内,TMP112B的温度精度 ≤±0.5°C,且具有良好的温度线性度
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6813
    • 50+

      ¥1.3214
    • 150+

      ¥1.1671
    • 500+

      ¥0.9372
    • 3000+

      ¥0.8515
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • 温度至数字转换器,采用片上带隙温度传感器和Sigma-Delta模数转换技术,具有过温检测输出。包含多个数据寄存器,可通过2线串行I²C总线接口与控制器通信。有三个可选逻辑地址引脚,可在同一总线上连接八个设备而无地址冲突。可配置不同操作条件,温度寄存器存储11位二进制补码数据,温度分辨率为0.125℃。上电时处于正常操作模式,OS处于比较器模式,温度阈值为80℃,滞后为75℃,可用作独立恒温器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8797
    • 50+

      ¥1.5061
    • 150+

      ¥1.3459
    • 500+

      ¥0.9924
    • 2500+

      ¥0.9034
    • 4000+

      ¥0.85
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-60V。 RDS(ON)<15mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)<20mΩ(VGS =-4.5V)。应用:负载开关
    • 5+

      ¥2.1744
    • 50+

      ¥1.6987
    • 150+

      ¥1.4948
    • 500+

      ¥1.2404
    • 2500+

      ¥1.1271
    • 5000+

      ¥1.0591
  • 有货
  • MOS管
    • 1+

      ¥3.85
    • 10+

      ¥3.09
    • 30+

      ¥2.71
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥2.11
    • 1000+

      ¥1.99
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 1+

      ¥4.86
    • 10+

      ¥3.9
    • 50+

      ¥3.42
    • 100+

      ¥2.95
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0605
    • 500+

      ¥0.048
    • 3000+

      ¥0.0378
    • 6000+

      ¥0.0336
    • 24000+

      ¥0.03
    • 51000+

      ¥0.028
  • 有货
  • 特性:极快的开关速度
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0712
    • 500+

      ¥0.0563
    • 3000+

      ¥0.0425
    • 6000+

      ¥0.0375
    • 24000+

      ¥0.0332
    • 51000+

      ¥0.0309
  • 有货
  • 特性:VHF/UHF晶体管,标记:3EM
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0736
    • 500+

      ¥0.0577
    • 3000+

      ¥0.0454
    • 6000+

      ¥0.0401
    • 24000+

      ¥0.0355
    • 51000+

      ¥0.0331
  • 有货
  • 低电容静电放电 (ESD) 保护二极管,采用超小型贴片塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态电压的损坏。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0932
    • 500+

      ¥0.0704
    • 3000+

      ¥0.0578
    • 6000+

      ¥0.0502
    • 24000+

      ¥0.0436
    • 51000+

      ¥0.04
  • 有货
  • 特性:45W 峰值脉冲功率(脉冲时间 tp = 8 / 20μs)。 微型 X1SON-2 封装。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容(典型值 Cj = 0.7pF)。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0951
    • 500+

      ¥0.0736
    • 1500+

      ¥0.0616
    • 10000+

      ¥0.0544
    • 20000+

      ¥0.0482
    • 50000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 肖特基二极管
    • 50+

      ¥0.1061
    • 500+

      ¥0.0822
    • 3000+

      ¥0.0689
    • 6000+

      ¥0.0609
    • 24000+

      ¥0.054
    • 51000+

      ¥0.0502
  • 有货
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