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首页 > 热门关键词 > UMW友台dcdc芯片
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特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
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  • 特性:薄型封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 10/1000 μs波形下具有600 W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 出色的钳位能力。 响应时间极快。 浪涌电阻增量低。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260℃。 可提供AEC-Q101认证-汽车订购代码:基础型号P/N HE3或P/N HM3。 IEC 61000-4-2 ESD防护:空气放电30 kV,接触放电30 kV。 符合IEC 61000-4-4的数据线路EFT保护
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  • SOP-8通过定制引线框架进行了改进,具有增强的热特性和多芯片能力,使其非常适合各种功率应用。通过这些改进,多个器件可用于应用中,大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中,功率耗散可能超过0.8W。
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  • 特性:SOP-8通过定制框架进行了修改,以增强热特性和多芯片能力,使其适用于各种电源应用。采用第五代技术。超低导通电阻。表面贴装。完全雪崩额定。无铅
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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
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  • 特性:薄型封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 提供单向和双向两种类型。 600W峰值脉冲功率能力,波形为10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。 可提供AEC-Q101认证-汽车订购代码:基础型号P/NHE3或P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 空气放电30kV,接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-4的数据线路EFT保护
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  • SOP-8经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊技术。
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  • SOP-8通过定制引线框架进行了改进,具有增强的热特性和多芯片能力,使其非常适合各种电源应用。通过这些改进,多个器件可以在应用中使用,大大减少了电路板空间。该封装设计用于气相、红外或波峰焊技术。
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  • UMW MOC304X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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  • 特性:塑料封装,具有UL94V-0阻燃等级。 低轮廓表面贴装封装。 内置应力消除。 快速开关,效率高。 玻璃钝化芯片结。 高温焊接,端子可承受250℃/10秒
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      ¥0.0304
    • 50000+

      ¥0.028
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
    • 50+

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    • 500+

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      ¥0.0495
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  • 是具有施密特触发器功能的非门集成电路,可实现数学逻辑运算,Y = A(overline)。采用先进的CMOS工艺设计,具有低功耗和高输出驱动能力。芯片在1.65V至5.5V的VCC电源电压下能良好工作。有多种小型封装形式,可广泛应用于高端精密仪器、小型化低功耗手持设备和人工智能领域。
    • 10+

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    • 10000+

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  • 有货
  • SOP-8 经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。
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    • 3000+

      ¥0.3591
    • 6000+

      ¥0.35
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  • UMW MOC302X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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    • 5+

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  • SOP-8通过定制引线框架进行了改进,具有增强的热特性和多芯片能力,使其非常适合各种电源应用。
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      ¥0.8289
    • 50+

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      ¥0.4207
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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
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    • 20+

      ¥0.1679
    • 200+

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    • 600+

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    • 10800+

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    • 19800+

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  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
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  • UMWMOC305X系列器件中系由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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      ¥0.5563
    • 5000+

      ¥0.5196
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  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
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    • 500+

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    • 1500+

      ¥0.0603
    • 5000+

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    • 25000+

      ¥0.0474
    • 50000+

      ¥0.0442
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  • 特性:采用定制框架进行了修改,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种功率应用。 可在应用中使用多个器件,显著减少电路板空间。 该封装设计用于气相、红外或波峰焊接技术
    • 5+

      ¥0.6796
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      ¥0.5223
    • 150+

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      ¥1.5336
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      ¥0.7981
    • 6500+

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  • UMW MOC308X系列器件是由一个GaAs红外发光二极管和一个单晶硅芯片的过零相位光电双向晶闸管组成的光电耦合器。
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