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首页 > 热门关键词 > VISHAY威世dcdc芯片
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  • 高精度CMOS模拟多路复用器。DG4051E是8通道多路复用器。
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  • DG2523和DG2524是四个通道单刀双掷(SPDT)模拟开关。DG2523有两个控制输入,每个控制一对单刀双掷(SPDT)。它也被称为两通道双极双掷(DPDT)配置。DG2524有一个EN引脚,当逻辑为低时启用设备。
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  • DG213是一款多功能模拟开关,包含两个常闭和两个常开开关。它可以配置为四个单刀单掷(SPST)、两个单刀双掷(SPDT)、一个“T”开关或一个双刀双掷(DPDT)等。该器件具有低导通电阻、低泄漏电流、快速切换时间等特点。
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  • DG411LE、DG412LE和DG413LE是单片四通道单刀单掷(SPST)模拟开关。DG411LE和DG412LE的区别仅在于它们对相反的逻辑电平做出响应。DG413LE有两个常开开关和两个常闭开关
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  • DG612E 包含四个独立选择的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作,具有低电荷注入和低泄漏电流。
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  • DG417B、DG418B、DG419B 单片 CMOS 模拟开关专为实现模拟信号的高性能切换而设计。DG417B 系列集低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸等特性于一身,非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能,DG417B 系列采用了 Vishay Siliconix 的高压硅栅(HVSG)工艺
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  • DG417是单刀单掷(SPST)配置的高电压、低功耗、高速度、低导通电阻和小尺寸的模拟开关。
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    DG413LE是单片四路单刀单掷模拟开关。它具有低导通电阻、低寄生电容和低电荷注入特性。
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  • DG201B、DG202B 模拟开关是行业标准产品 DG201A、DG202 的大幅改进版本。这些器件采用 Vishay Siliconix 专有的硅栅 CMOS 工艺制造,具有更低的导通电阻、更低的泄漏电流、更高的速度和更低的功耗。这些四通道单刀单掷开关适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等多种应用领域
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  • 四路独立选择的高电压(44V)SPST开关,导通电阻低(典型值4Ω),适用于低失真音频信号切换。
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  • 8通道单端模拟多路复用器和双4通道差分模拟多路复用器,适用于单电源和双电源操作。
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    DG9454E是一款高精度三通道SPDT(三通道2:1)模拟开关/多路复用器。它具有低寄生电容、低泄漏电流和低电荷注入特性,适用于医疗保健、数据采集和仪器产品。
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  • DG308A具有低导通电阻(60 Ω)和快速开关(130 ns)的特点,采用“常开”配置供货,而DG309则采用“常闭”配置供货。输入阈值与高压CMOS兼容。该产品采用Vishay Siliconix PLUS - 40 CMOS工艺设计,将低功耗与44 V的高击穿电压额定值相结合
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  • 由四个独立控制的单刀双掷模拟开关组成,设计用于高精度控制模拟信号。低功耗版本。
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  • 具有低导通电阻、低泄漏电流、高速切换等特点。适用于电信、仪器仪表、过程控制、计算机外设等广泛的应用领域。
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  • DG1408和DG1409是低导通电阻、高精度的模拟多路复用器。它们支持单电源和双电源操作,具有低功耗、低寄生电容和低电荷注入的特点。
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  • SiC780是一款集成的MOSFET功率级解决方案,专为同步降压应用设计,提供高电流、高效能和高功率密度。采用Vishay的6 mm x 6 mm MLP封装,支持高达50A的连续电流和93%的峰值效率。内部MOSFET利用先进的TrenchFET Gen III技术,显著降低开关和导通损耗。支持3.3V (SiC780ACD) 和5V (SiC780CD) PWM逻辑,具有低PWM传播延迟(< 20 ns)和热监测标志。
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      ¥12.665921
    提供高速、低误差的模拟和音频信号切换。具有常闭功能。
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    • 10+

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    • 100+

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      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.27
  • 订货
  • 高性能模拟信号切换,低功耗,低泄漏,高速,低导通电阻,小体积。适用于便携式和电池供电工业。
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  • 2.4G陶瓷天线
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